技术总结
本发明涉及一种钴插层硫化钼二次电池材料及其制备方法和应用，采用化学溶液法制备三维钴插层的硫化钼多级结构。首先将钴盐、钼盐、硫源分散于溶剂中，制备反应液，然后将配制好的反应液进行溶剂热处理，即可得到由类石墨烯的超薄纳米片自组装的三维钴均匀插层的硫化钼多级结构。多级结构大小在100nm左右，还公开了该多级结构的制备方法。通过本发明制备的纳米材料性能稳定，作为锂离子电池负极材料和超级电容器电极材料，循环寿命长。
技术研发人员：李晓敏;宰建陶;钱雪峰;李波;刘雪娇;刘园园;黄守双;何青泉;王敏;何晓波;向仕杰
受保护的技术使用者：上海交通大学
文档号码：201510705417
技术研发日：2015.10.27
技术公布日：2017.05.03