用于共晶焊的硅片背面金属化结构及加工工艺的制作方法

技术特征：

1.一种用于共晶焊的硅片背面金属化结构，其特征在于：所述结构在背面衬底硅片(1)的表面按距硅片(1)由近及远顺序依次镀有第一金属层(2)、第二金属层(3)、第三金属层(4)、第四金属层(5)和第五金属层(6)，第一金属层(2)的材质为钛、钒或铬中的任一种，第二金属层(3)的材质为镍，第三金属层(4)的材质为银，第四金属层(5)的材质为锡铜或锡锑合金，第五金属层(6)的材质为银。

2.根据权利要求1所述的用于共晶焊的硅片背面金属化结构，其特征在于：第一金属层(2)的厚度为

3.根据权利要求2所述的用于共晶焊的硅片背面金属化结构，其特征在于：第二金属层(3)的厚度为

4.根据权利要求3所述的用于共晶焊的硅片背面金属化结构，其特征在于：第三金属层(4)的厚度为

5.根据权利要求4所述的用于共晶焊的硅片背面金属化结构，其特征在于：第四金属层(5)的厚度为

6.根据权利要求5所述的用于共晶焊的硅片背面金属化结构，其特征在于：第五金属层(6)的厚度为

7.根据权利要求6所述的用于共晶焊的硅片背面金属化结构，其特征在于：第四金属层(5)的材质为锡铜合金时，所述锡铜合金中锡的重量百分比为55～65％，铜的重量百分比为35～45％；第四金属层(5)的材质为锡锑合金时，所述锡锑合金中锡的重量百分比为90～94％，锑的重量百分比为6～10％。

8.一种权利要求7所述用于共晶焊的硅片背面金属化结构的加工工艺，其特征在于：第一金属层(2)、第二金属层(3)、第三金属层(4)、第四金属层(5)和第五金属层(6)均通过蒸发的方式进行镀膜，其中第一金属层(2)的蒸发的速率为第二金属层(3)的蒸发的速率为第三金属层(4)的蒸发的速率为第四金属层(5)的蒸发的速率为 第五金属层(6)的蒸发的速率为