技术总结
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种用于共晶焊的硅片背面金属化结构及加工工艺，所述结构在背面衬底硅片的表面按距硅片由近及远顺序依次镀有第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层和第五金属层，第一金属层的材质为钛、钒或铬中的任一种，第二金属层的材质为镍，第三金属层的材质为银，第四金属层的材质为锡铜或锡锑合金，第五金属层的材质为银。本发明的用于共晶焊的硅片背面金属化结构及加工工艺，在没有毒性的同时，降低成本，在封装时不会出现共晶不良、虚焊等现象，同时在波峰焊时也不会出现过温的问题，增加可靠性，覆盖面大，适用面广。
技术研发人员：王献兵
受保护的技术使用者：苏州同冠微电子有限公司
文档号码：201510740926
技术研发日：2015.11.04
技术公布日：2017.05.10