技术总结
本发明提供一种硅柱通孔互连结构及其制作方法，该结构包括第一硅片以及与该第一硅片键合的第二硅片；所述第一硅片和第二硅片键合后形成接触孔部分金属引线的电连接和非接触孔部分金属环的密封结构；所述硅柱通孔和通孔上的金属层结构用于电连接，实现真空或气密封装时内部器件及结构与外部的电学互连；所述硅柱通孔外表面金属层用于降低硅柱电阻；所述固体基板上的金属层用于键合工艺，实现器件及结构的真空或气密封装。本发明通过硅柱通孔互连结构，能够优化现有真空或气密封装存在较大台阶时的电连接问题；可以实现真空或气密封装内部结构与器件与外部直接的电连接；完全平面化引线连接，可以实现多层堆叠；可以实现晶圆级的电学连接。
技术研发人员：熊斌;蒋万里;徐德辉;王跃林;马颖蕾
受保护的技术使用者：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
文档号码：201510770462
技术研发日：2015.11.12
技术公布日：2017.05.24