技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、层间介电层和具有接触孔开口图案的掩膜层；蚀刻层间介电层，直至在所述接触孔开口图案的下部残留部分层间介电层；去除所述掩膜层；完全去除位于所述接触孔开口图案下部的残留的层间介电层，以形成贯通所述层间介电层的接触孔，同时圆化位于所述接触孔顶部附近的所述层间介电层；去除露出的蚀刻停止层。根据本发明，提供了一种具有新的蚀刻轮廓的接触孔，可以扩大形成接触塞的工艺窗口，提升产品的良率。
技术研发人员：张城龙;黄敬勇;张海洋
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
文档号码：201510967098
技术研发日：2015.12.21
技术公布日：2017.06.27