1.一种层叠体的品质评价方法，其是氧化物半导体薄膜及在所述氧化物半导体薄膜的表面上具有保护膜的层叠体的品质评价方法，该评价方法具有：
第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定所述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由所述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和
第2步骤，在利用基于所述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定所述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由所述氧化物半导体薄膜与所述保护膜的界面缺陷引起的不良，
其中，所述氧化物半导体薄膜的电子状态是基于所述氧化物半导体薄膜的电阻率测定得到的。
2.根据权利要求1所述的评价方法，其中，通过所述第1步骤中的对由所述膜中缺陷引起的不良进行评价，从而在对薄膜晶体管一并施加光照射和负偏压时，间接地评价施加前后的阈值电压之差ΔVth。
3.根据权利要求1所述的评价方法，其中，通过所述第2步骤中的对由所述界面缺陷引起的不良进行评价，从而评价下述(1)～(3)中的任意：
(1)薄膜晶体管的阈值电压Vth；
(2)在对薄膜晶体管施加正偏压时，施加前后的阈值电压的差ΔVth；
(3)在对薄膜晶体管的阈值电压测定多次时，第一次测定时的阈值电压与多次测定后的阈值电压之差。
4.根据权利要求1所述的评价方法，其中，在所述第1步骤中利用接触式方法测定由所述膜中缺陷引起的不良时，在所述氧化物半导体薄膜的表面上设置第1电极及第2电极，并基于测定得到的电流值或电压进行评价。
5.根据权利要求1所述的评价方法，其中，在所述第2步骤中利用接触式方法测定由所述界面缺陷引起的不良时，以与所述保护膜的两侧接触的方式设置第1电极及第2电极，并基于测定得到的电流值或电压进行评价。
6.根据权利要求2所述的评价方法，其中，在利用接触式方法测定所述氧化物半导体薄膜的电阻率时，使具有至少2个电极的测定端子与所述氧化物半导体薄膜接触而对电流值进行测定。
7.根据权利要求1所述的评价方法，其中，在利用非接触式方法测定所述氧化物半导体薄膜的电子状态时，基于反射率测定步骤和参数计算步骤来测定所述氧化物半导体薄膜的电子状态，
所述反射率测定步骤如下：对所述氧化物半导体薄膜照射激发光及微波，测定因所述激发光的照射而发生变化的所述微波来自所述照射部位的反射波的最大值后，停止所述激发光的照射，并测定对停止所述激发光的照射后的所述微波来自所述照射部位的反射波的反射率在时间上的变化，
所述参数计算步骤如下：根据所述反射率在时间上的变化，计算与在停止激发光的照射后出现的迟缓衰减对应的参数。
8.根据权利要求7所述的评价方法，其中，所述参数计算步骤如下：根据所述反射率的变化，计算与在停止激发光的照射后0.1～10μs出现的迟缓衰减对应的参数，评价所述氧化物半导体薄膜的电子状态。
9.一种氧化物半导体薄膜的品质管理方法，其在氧化物半导体薄膜及在所述氧化物半导体薄膜的表面上具有保护膜的层叠体的制造工序的任意2个工序中应用反射率测定步骤和参数计算步骤，
所述反射率测定步骤如下：对所述氧化物半导体薄膜照射激发光及微波，测定因所述激发光的照射而发生变化的所述微波来自所述照射部位的反射波的最大值后，停止所述激发光的照射，并，测定对停止所述激发光的照射后的所述微波来自所述照射部位的反射波的反射率在时间上的变化，
所述参数计算步骤如下：根据所述反射率在时间上的变化，计算与在停止激发光的照射后出现的迟缓衰减对应的参数，
计算与所述参数计算步骤的迟缓衰减对应的参数分别作为参数PX1、参数PX2，基于所述参数之差ΔP即PX1－PX2来评价所述氧化物半导体薄膜的电子状态，其中，PX2为比PX1更靠后的制造工序的参数。
10.根据权利要求9所述的品质管理方法，其中，计算与所述反射率测定步骤的反射波的最大值对应的参数分别作为参数QX1、参数QX2，基于所述参数QX1、QX2之差ΔQ即QX1－QX2及所述参数PX1、PX2之差ΔP即PX1－PX2来评价所述氧化物半导体薄膜的电子状态。
11.根据权利要求10所述的品质管理方法，其中，将图表的纵轴设为与所述反射率测定步骤的反射波的最大值对应的参数即参数Q，将横轴设为与所述参数计算步骤的迟缓衰减对应的参数即参数P，将所述参数[QX1、PX1]、所述参数[QX2、PX2]绘制成图表来评价所述氧化物半导体薄膜的电子状态。
12.根据权利要求9所述的品质管理方法，其中，所述氧化物半导体薄膜形成在绝缘膜的表面上。
13.根据权利要求9所述的品质管理方法，其中，所述氧化物半导体薄膜实施过热处理。