技术总结
本发明提供一种检测出有机TFT阵列中的断线缺陷和/或能评价各有机TFT元件的输出特性、响应速度的偏差的检测装置及其方法。本发明的装置及其方法是对作为有机TFT元件通道层的有机半导体薄膜中的载流子的蓄积的有无进行光学测定的装置及其方法，其特征在于，使各有机TFT中的源极和漏极短路，并在源极/漏极与栅极之间以规定周期使电压开/关，并且在照射单色光的同时，与所述规定周期同步进行电压施加前后的摄像，获得该差分图像。
技术研发人员：堤润也;松冈悟志;山田寿一;长谷川达生
受保护的技术使用者：国立研究开发法人产业技术综合研究所
文档号码：201580043636
技术研发日：2015.08.11
技术公布日：2017.05.10