1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基板；
活性图案，配置于上述基板上，包括氮化物；
保护图案，配置于上述活性图案上，包括非氮化物；
栅电极，与上述活性图案重叠；以及
栅极绝缘膜，形成于上述栅电极与上述活性图案之间。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
上述保护图案由半导体性非氮化物形成，
上述活性图案具有大于上述保护图案的移动度。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：
钝化膜，覆盖上述保护图案；
源电极，贯通上述钝化膜，与靠近上述栅电极的一侧的上述保护图案的一部分相接触；以及
漏电极，贯通上述钝化膜，与靠近上述栅电极的另一侧的上述保护图案的一部分相接触。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
还包括上述栅电极的一侧的源电极及上述栅电极的另一侧的漏电极，
上述源电极及上述漏电极分别与靠近上述栅电极的上述一侧及上述另一侧的上述保护图案的一部分相接触。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，上述保护图案配置于上述活性图案与上述栅电极之间。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
上述活性图案由第一元素、第二元素及氮的化合物形成，
上述保护图案由上述第一元素及上述第二元素的化合物形成。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，上述第一元素包括锌，上述第二元素包括氧。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，上述保护图案的厚度小于上述活性图案的厚度。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，上述保护图案与上述活性图案直接接触。
10.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
包括：
在基板上形成包含氮化物的活性膜的步骤；
在上述活性膜上形成包含非氮化物的保护膜的步骤；以及
按上述保护膜及上述活性膜的顺序依次形成图案，来形成层叠于上述基板上的活性图案及保护图案的步骤，
上述保护膜在用于使上述活性膜形成图案的溶液工序中保护上述活性膜。
11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
上述活性膜利用包含第一元素的第一源、包含第二元素的第二源及包含氮的第三源而成，
上述保护膜利用上述第一源及上述第二源并通过与上述活性膜的制作方法相同的制作方法制作而成。
12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在形成上述活性膜之前，还包括：
在上述基板上形成栅电极的步骤；以及
在上述栅电极上形成栅极绝缘膜的步骤。
13.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在形成上述活性膜之后，还包括：
在上述保护图案上形成栅极绝缘膜的步骤；以及
在上述栅极绝缘膜上形成栅电极的步骤。
14.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
包括：
在基板上形成包含金属氮氧化物的活性膜的步骤；
在上述活性膜上形成保护膜的步骤，上述保护膜包含金属氧化物，厚度小于上述活性膜的厚度，具有小于上述活性膜的移动度；以及
利用溶液工序来依次使上述保护膜及上述活性膜形成图案的步骤，
上述保护膜在上述溶液工序中保护上述活性膜。
15.根据权利要求14所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
上述活性膜及上述保护膜通过相同的工序制作而成，
上述活性膜所包含的金属与上述保护膜所包含的金属相同。
16.根据权利要求14所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
使上述保护膜及上述活性膜形成图案的步骤包括：
在上述保护膜及上述活性膜上形成光阻图案的步骤，
上述保护膜在对上述光阻图案进行冲洗的溶液工序中保护上述活性膜。
17.根据权利要求14所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
使上述保护膜及上述活性膜形成图案的步骤包括：
在上述保护膜及上述活性膜上形成光阻图案的步骤，
上述保护膜将上述光阻图案用作掩膜，以此在对上述保护膜及上述活性膜进行蚀刻的溶液工序中防止上述活性膜被过蚀刻。
18.根据权利要求14所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
上述活性膜包含锌氧氮化物，
上述保护膜包含锌氧化物。
19.根据权利要求14所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，上述保护膜由半导体性金属氧化物形成。
20.根据权利要求14所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
还包括形成与上述活性膜隔开的栅电极的步骤，
借助向上述栅电极施加的电压，在上述活性膜内限定性地形成通道，在上述保护膜内不形成通道。