本发明涉及基板保持装置、基板运送装置、处理组件和用于处理基板的方法。
背景技术：
：：基板或多个基板(例如晶片或其他板状基板)通常在例如涂覆工艺(或用于处理基板的任何其他工艺)期间可以借助于基板载具而被保持。本文的基板载具可以用于将基板或多个基板保持在例如涂覆腔室中的预定义位置处，或者用于运送所述基板或多个基板通过涂覆腔室，和/或用于在涂覆腔室中移动所述基板或多个基板。传统上使用的是其中仅以散放方式放置了基板的基板载具，例如，其中在该情况下的基板可以例如凭借在真空腔室正被通风时被接纳的空气而容易地掉出基板载具。因此，传统基板载具可具有盖元件，其相应地搁在基板上压住后者，或者将基板压在基板载具上。可替代地，晶片可以夹在两个柔性结构之间(例如两个橡胶圈之间)并因此被固定在例如安装架中。在基板载具与各基板或者与用于各基板的支撑表面之间的机械固定会相应地产生损害基板的机械应力。例如，即使支撑表面的微小变形也会造成其上搁置的基板上的斑点状应力，和/或造成基板的未完全搁置于其上的那些部分的寄生涂覆(不充分溅镀)。基板载具传统上连同实现对一个挨一个地被保持的基板的一面(也就是说所述基板的正面)的涂覆的涂覆装置一起使用。如果需要涂覆反面，则将基板翻转并再次仅对一面进行处理，即使是在例如执行相同或不同的反面涂覆的情况下。可替代地，基板载具连同实现对一个挨一个地被保持的基板的两面(也就是说所述基板的正面和反面)的涂覆的涂覆装置一起使用。然而，如果要在被设想用于对基板排层(tier)的两面进行涂覆的涂覆装置中执行仅一面涂覆(即，仅仅示例性地基板的前侧被涂覆)，则涂覆装置的处理能力减半。这牺牲了所述涂覆装置的经济性。技术实现要素：根据各个实施例，提供了在基板载具(也可以被称为承载框或载具)与其一个或多个基板放置区域(也可以被称为口袋)之间的机械和/或几何去耦。为此，提供了一个或多个保持框(也可以被称为遮罩(mask))，借助于保持框可以将相应基板保持在基板放置区域中。机械去耦例如实现了与基板载具的任何变形无关的在每个基板放置区域(各个口袋)中的可靠的基板支撑。由此，例如减小了作用在基板的支撑上的(例如高达200℃的温度下的)热机械变形(换句话说，热翘曲)的影响。几何去耦分别实现了与基板载具无关的对基板或基板放置区域执行的修改和/或改进。可替代地或附加地，在各个基板放置区域或保持框受到磨损或损坏的情况下，所述各个基板放置区域或保持框相应地可以各自被替换。这使得基板载具能够继续被使用并且无需修改和/或更换。根据各个实施例，例如还可以关于一个或多个基板的外围覆盖范围精确地定位一个或多个基板(例如晶片)(换句话说，基板可以完全通过外围区域而搁置)。此外，根据各个实施例，提供了保持框，其支撑表面使得关于基板而提供的容差能够被适应性调整。这可以有助于使用具有生产相关的偏差(例如来自不相同的生产单位)的基板。可替代地或附加地，例如，由此可以借助于机器人拾取和放置来有助于对基板载具自动化的拾取和与基板的放置。例如，容差可以适应于在正通过(用于晶片处置的)自动化装置放置基板时的变化和/或适应于所述基板的产生偏差，而例如无需修改基板载具。此外，标准基板载具可以用于不相同的基板类型和/或方法，例如使得其中放置的保持框被调整为所需的状况和/或被更换。例如，甚至可以借助于基板载具共同地运送不相同的基板类型。相应地，这实现了更大灵活性，减小了匹配基板载具的库存，并且减小了用于操作或改装的成本。根据各个实施例，可以提供对基板两侧上的遮蔽(masking)，例如使得将附加的上遮罩(例如第二或第三保持框)放置在基板上(并且例示性地部分覆盖后者)。例如，可以提供在两侧上具有遮蔽的基板保持(例示性地，夹持)。根据各个实施例，提供了精确和可重现的遮蔽。例如，下遮罩和上遮罩可以(借助于例如对中特征)彼此对准。这允许基板的和/或被后续处理的基板的上侧和下侧的叠合遮蔽。可替代地或附加地，例如，上遮罩和下遮罩的对中允许借助于机器人拾取和放置进行的对基板载具的自动化的拾取和与遮罩的放置(自动化处置)。根据各个实施例，例如在运送期间和/或在处理期间，基板可以更稳定地保持在所放置的位置上。因此可以防止(例如由于在运送期间的振动和/或由压差引起的振动而导致的)力使得基板脱位。例如，上遮罩可以放置在基板上，前者使基板被压制(限制器效果)，例如抵制基板跳出基板载具。根据各个实施例，保持框的和其中放置的基板的几何结构以以下方式可适应于彼此：使得所述保持框和所述基板用作彼此的防止处理的屏障。例如，基板的外围区域可以稳定地保护保持框的支撑表面和/或插入轮廓不受处理的影响。例如，因此可以提供防止下遮罩的遮罩基座(插入轮廓)不受溅镀的覆盖范围影响的保护。根据各个实施例，以下方式提供保持框：使得可以减少由于寄生涂覆而导致的在前者中的基板的支撑的任何缺陷。例示性地，可以在保持框中(例如在下遮罩基座(口袋))中提供凹陷(例如凹陷和/或底切)。当在没有上遮罩的情况下(通过例如溅镀)涂覆基板时，凹陷减少了材料在支撑表面上(例如在遮罩基座中)的沉积(寄生涂覆)。因此，可以防止寄生涂覆形成局部抬高，这会导致基板的支撑的修改(偏离水平支撑表面)。根据各个实施例，保持框的生产可以被简化并且显得更为成本有效。保持框(例如上遮罩)可以例示性地由可适合真空的塑料材料和/或复合材料通过例如注塑成型法来生产。因此可以以高精度和/或相对低的投资成本以成本有效方式进行大批量生产。保持框的大批量生产可以通过注塑成型来快速生产并且所述保持框是可运送的。根据各个实施例，生产起来成本有效的保持框可以被用作一次性使用部件(新的部件)。这实现了在要提供的尺寸准确性和表面粗糙度方面的经检验的均衡的质量。因此，在多次使用的部件的情况下在保持框的回收利用(重整)中，例如由于在外围工艺情况中的机械变形的风险、由于运送、由于清洁、由于重复划破、由于仓储、以及由于每次回收利用事件之后对保持框的重检而可能发生的以及可预见的和不可预见的偶发性成本可以被减小。可替代地或附加地，塑料材料和/或复合材料允许保持框的化学清洁(例如借助于蚀刻剂)。在保持框的回收利用(重整)中可预见和不可预见的例如由于在外围工艺情况中的机械变形的风险、由于清洁、由于重复划破、以及由于每次回收利用事件之后对保持框的重检而导致的偶发性成本可以被减小。塑料材料和/或复合材料可以例示性地用作蚀刻停止层。根据各个实施例，提供了具有空腔的承载板和具有框开口的用于将基板保持在空腔中的保持框。保持框可以可选地包括塑料材料或复合材料或者由塑料材料或复合材料形成。可以可选地使用第二保持框。保持框可以可选地具有凹陷。可选地提供对每一插入区域的两个基板的一侧上同时处理以用于提高生产率。根据各个实施例，基板保持装置可以具有以下：具有空腔的承载板，其中空腔从承载板的上侧延伸通过承载板到达承载板的下侧；保持框(也被称为第一保持框)，其具有框开口和用于将基板保持在空腔中的支撑表面，所述支撑表面围绕框开口；其中所述保持框在被插入空腔中时部分地搁置在所述承载板上。根据各个实施例，所述基板保持装置还可以具有另一保持框(也被称为第二保持框)，其部分地搁置在所述保持框上。根据各个实施例，两个保持框(第一保持框和第二保持框)可以被调整适于使得在被布置在所述空腔中时在两个保持框之间提供用于容纳所述基板的外围部分的容纳空间。根据各个实施例，所述另一保持框可以具有用于在所述基板(也被称为第一基板)上方保持另一基板(也被称为第二基板)的另一支撑表面(也被称为第二支撑表面)。根据各个实施例，两个保持框可以被适应性调整使得它们在所述另一保持框被放置在所述保持框上时以形状配合的方式相互咬合。根据各个实施例，两个保持框可以具有相互成对匹配的多个对中结构(centeringstructure)，使得当所述另一保持框被放置在所述保持框上时，两个保持框彼此对中。根据各个实施例，两个保持框的相应内圆周壁可以具有倒角。根据各个实施例，基板保持装置还可以包括：又一保持框(也被称为第三保持框)，其中所述又一保持框在被插入所述空腔中时被布置在所述另一保持框上方以使得在所述又一保持框与所述另一保持框之间提供用于容纳所述另一基板的外围部分的容纳空间。根据各个实施例，基板保持装置还可以具有通风口，其用于对所述保持框与所述另一保持框之间的间隙进行排空。根据各个实施例，保持框还可以具有凹陷，其与所述支撑表面相邻并且至少部分地围绕后者。根据各个实施例，所述凹陷可以与所述保持框的内圆周壁相邻。根据各个实施例，所述空腔可以为基本上立方体形状并且具有四个角落部分，其中所述保持框仅在所述空腔的角落部分中搁置在所述支撑板上。根据各个实施例，两个保持框以与所述空腔匹配的方式可以包括具有四个外角部分的基本上立方体形状的外部轮廓，并且其中两个保持框在所述四个外角部分中各自具有相互成对匹配的对中结构。根据各个实施例，所述支撑表面可以是平面的。根据各个实施例，所述保持框可以包括金属或者由金属形成。根据各个实施例，所述保持框可以包括塑料材料和/或复合材料，或者由塑料材料和/或复合材料形成。根据各个实施例，基板保持装置还可以具有两个保持区域，所述承载板在所述两个保持区域处被支撑以便运送所述承载板，其中所述空腔布置在所述两个保持区域之间。根据各个实施例，一种基板运送装置可以具有以下：根据各个实施例的基板保持装置；以及运送系统，其用于运送所述基板保持装置，其中所述运送系统具有两个保持元件以使得所述基板保持装置的承载板仅被保持在所述两个保持区域中。根据各个实施例，一种处理组件可以具有以下：处理腔室，用于在所述处理腔室的处理区域中处理多个基板的两侧；以及根据各个实施例的基板运送装置，其用于在所述处理区域(也被称为处理区域)中运送和/或定位所述多个基板。根据各个实施例，所述处理组件还可以具有以下：两个处理装置(也被称为处理装置)，其中所述运送系统适于在所述两个处理装置之间运送和/或定位所述基板保持装置。根据各个实施例，一种用于处理基板的方法可以包括以下步骤：将用于保持基板的保持框插入承载板中的空腔中，其中所述保持框具有用于放置基板的支撑表面；将所述基板插到所述保持框的支撑表面上；以及在所述基板借助于所述保持框而被保持在所述空腔中时，通过所述框开口对所述基板进行处理，和/或在后者借助于所述保持框而被保持在所述空腔中时运送所述基板。根据各个实施例，一种基板保持装置可以具有以下：承载板；彼此平行地延伸的两个支撑区域，在所述两个支撑区域处可以支撑所述基板保持装置以便后者被运送；以及布置在所述两个支撑区域之间的多个基板放置区域，所述基板放置区域中的每一个具有空腔，其从所述承载板的上侧延伸通过所述承载板到达所述承载板的下侧，并且所述基板放置区域中的每一个具有保持框，所述保持框具有框开口和用于将基板保持在所述空腔中的支撑表面，所述支撑表面围绕所述框开口；其中所述保持框在被插入所述空腔中时部分地搁置在所述承载板上。根据各个实施例，提供了一种基板保持装置(也被称为基板保持器、基板载具或晶片载具)，借助于其可以保持基板或多个基板，其中所述基板保持装置具有承载板，承载板具有一个或多个空腔，相应基板可以借助于被插入相应空腔中的两个框(相应地，也被称为保持框或保持遮罩、或下框和上框、或下遮罩和上遮罩)而被保持在所述空腔中，其中基板布置在两个框之间。例如，相应基板可以搁置在下框(所述下框)上并且与放在其上方的上框(所述上框)没有任何直接的物理接触。本文中的基板保持装置可以被适应性调整以使得承载板中的两个框(或至少一个框)在被插入承载板的相应空腔中时被对中并且采取预定义的位置和/或对准。本文中的上框可以排他地搁置在下框上，或者换句话说，两个框中仅一个可以接触承载板，使得在承载板存在任何修改时，例如在承载板弯曲时，两个框的相对位置不被修改。这会是需要的，以为了能够提供在两个框之间的用于容纳基板的一部分的容纳空间(例如，所述容纳空间仅比基板厚度高一个微小的量)；例如，容纳在两个框之间的容纳空间中的基板与上框之间可能具有小于0.5mm的间隔。换句话说，两个框之间的容纳空间可以比待容纳的基板的基板厚度高出小于约0.5mm(例如0.1mm至0.5mm)。根据各个实施例，例如，两个框可以适于待容纳的基板的形状和厚度以使得第一框对被用于第一基板，与第一框对不相同的第二框对被用于与第一基板不相同的第二基板。根据各个实施例，上框和下框可以被适应性调整以使得例如各自具有相互匹配的对中结构，上框可以以形状配合的方式与下框咬合，并且上框维持在相对于下框的预定义位置上。此外，具有一个或多个部分(例如外围部分或角落部分)的下框可以搁置在承载板上，使得下框可以(例如，与搁置在下框上的上框共同地)被布置在承载板的空腔中。根据各个实施例，下框和承载板可以被适应性调整以使得例如承载板中的空腔的内轮廓可以被提供为与下框的外轮廓匹配，从而下框可以以形状配合的方式与空腔咬合，并且下框维持在相对于空腔的预定义位置上。此外，下框与承载板之间(例如空腔的内轮廓与下框的外轮廓之间)的间隙可以被提供为使得当承载板被修改时(例如当承载板弯曲时)下框受到的影响尽可能小。本文中的下框可以排他地与承载板的表面物理接触。例如，因此可以借助重力来定义两个框在承载板中的位置。例如，由于框或多个框借助重力来维持在空腔中，因此本文所述的基板载具可以适合于基板的水平处置(例如，当基板本应该维持在其位置上时，具有基板的承载板不能竖直地放置或者翻转)。根据各个实施例，当基板布置在两个保持框之间时，保持框可以覆盖基板的一部分。上框可以例示性地部分覆盖基板的上表面。例如，上框可以从上方覆盖基板的外围区域。此外，基板的上表面的中心区域可以维持空置，使得基板的中心区域可以被处理，例如被涂覆。下框可以例示性地部分覆盖基板的下表面(与上表面相对)。例如，下框可以从下方覆盖基板的外围区域。此外，基板的下表面的中心区域可以维持空置，使得基板的中心区域可以被处理，例如被涂覆。根据各个实施例，一种基板保持装置可以具有以下：承载板，其具有用于(至少部分地)容纳第一保持框和第二保持框的空腔，以用于借助于两个保持框将基板保持在空腔中，其中空腔从承载板的上侧延伸通过承载板到达承载板的下侧，其中第一保持框在被插入空腔中时部分地搁置在承载板上，并且其中第二保持框部分地(例如排他地)搁置在第一保持框上，并且其中两个保持框被适应性调整以使得在被布置在空腔中时在两个保持框之间(或者被插入空腔中的各保持框之间)提供用于容纳基板的外围部分的容纳空间。本文中的基板可以排他地搁置在第一保持框上。第一保持框可以或者将会被称为下框或下遮罩。第二保持框可以或将会被称为上框或上遮罩。因此，例如，基板可以借助于基板保持装置被保持并且在两侧上均被处理。此外，两个保持框可以被适应性调整以使得(例如具有横向对中结构使得)当第二保持框被放置在第一保持框上时两个保持框以形状配合的方式相互咬合。此外，两个保持框可以被适应性调整以使得(例如具有横向对中结构和搁置结构使得)当第二保持框被放置在第一保持框上时两个保持框在两个不同的(例如彼此垂直的)方向上形成形状配合。例如，可以排他地借助重力来建立本文的压入配合(force-fit)。可替代地，保持框中的至少一个可以被夹住。此外，两个保持框可以具有相互成对匹配的多个对中结构(也被称为对中元件或对中轮廓)，使得当第二保持框被放置在第一保持框上时，两个保持框(例如侧向地)彼此对中。例如，在第一保持框中可以提供空腔作为对中结构。此外，第二保持框可以具有凸起，作为与第一保持框中的空腔匹配的对中结构。根据各个实施例，相互成对匹配的两个对中结构可以被适应性调整以使得简化了第二保持框在第一保持框上的放置和对中(例如，对中结构可以具有或提供倒角或引入斜面)。此外，两个保持框的相应内圆周壁可以具有倒角。换句话说，第一保持框和/或第二保持框可以在其内圆周壁上被削角。因此，基板会在例如涂覆时遭受由两个保持框引起的更小的阴影。此外，空腔可以为基本上长方盒形状并具有四个角落区域，其中第一保持框仅在空腔的角落区域中搁置在承载板上。这可以实现当承载板(例如沿承载板的宽度)弯曲时两个保持框在空腔中的更好稳定性。此外，两个保持框以与空腔匹配的方式可以包括具有四个外角部分的基本上长方盒形状的外部轮廓，其中两个保持框在四个外角部分中各自具有相互成对匹配的对中结构。根据各个实施例，基板保持装置可以具有以下：承载板，其具有(例如沿着承载板的宽度)一个挨一个布置的多个空腔，其中空腔的每一个适于容纳第一保持框和第二保持框，并且从承载板的上侧延伸通过承载板到达承载板的下侧，并且其中在每个空腔中，第一保持框部分地搁置在承载板上，并且第二保持框部分地(例如排他地)搁置在第一保持框上，其中两个保持框被适应性调整以使得在被插入相应空腔中时在两个保持框之间提供(或者在被插入相应空腔中的两个保持框之间提供)用于容纳基板的外围部分的容纳空间；其中承载板具有两个保持区域，在两个保持区域处承载板被支撑以用于运送承载板，其中一个挨一个布置的多个空腔被布置在两个保持区域之间。根据各个实施例，两个保持框和相应空腔可以被设置为使得被插入相应空腔中的两个保持框与承载板(例如至少在承载板的一侧上)齐平地终止。根据各个实施例，例如，两个保持框可以被设置为使得对中结构布置成被覆盖，使得后者在基板被涂覆时不被共同涂覆。因此，例如，两个保持框的被定义的彼此相对位置不会由于被涂覆的对中结构而被修改。根据各个实施例，基板运送装置可以具有以下：基板保持装置(如本文中所述)；以及运送系统，其用于运送基板保持装置，其中运送系统具有两个保持元件以使得基板保持装置的承载板仅在两个保持区域中被保持。根据各个实施例，处理组件可以具有以下：处理腔室，用于在处理腔室在处理区域中处理多个基板的两侧；以及基板运送装置(如本文中所述)，用于在处理区域中运送和/或定位所述多个基板。根据各个实施例，一种用于处理基板的方法可以包括以下步骤：将用于保持基板的第一保持框插入承载板中的空腔中，其中第一保持框具有用于放置基板的平面的支撑表面；将基板插入空腔中以到第一保持框的平面的支撑表面上；将第二保持框放置到第一保持框上，其中两个保持框被适应性调整以使得基板被布置在两个保持框之间，其中在第二保持框与基板之间保留了空隙，使得基板仅搁置在第一保持框上。此外，第一保持框和/或第二保持框的插入可以借助于磁性夹具或抽吸夹具(也被称为真空夹具)来执行。为此，可设置在保持框上的咬合面可以适应于夹具。此外，两个保持框一旦被插入承载板的空腔中或者一旦被放置在后者上，就可以以对中的方式被保持在空腔中，其中两个保持框可以被适应性调整以使得在两个保持框之间提供了用于容纳基板的外围部分的容纳空间。基板的该外围部分可以用作例如搁置部，并且形成基板的垂直保持部/定位部。本文中的基板的外围部分在涂覆工艺正执行时可以不被共同地涂覆。此外，空腔可以是长方盒形状的并且具有四个角落区域(内角区域)。此外，空腔可以是棱柱形的并且具有三个或多于三个角落区域(内角区域)。例如，空腔的角落区域可以被适应性调整为用于第一保持框的对中区域。此外，第一保持框的角落区域可以被适应性调整为用于第二保持框的对中区域。空腔还可以是圆柱形的。例如，第一保持框和/或第二保持框可以具有包括四个角落部分(外角部分)的长方盒形状的外轮廓，其中用于以对中方式放置第二保持框的相应对中部分可以相应地设置在第一保持框的或第二保持框的四个角落区域的每一个处。此外，第一保持框和/或第二保持框可以具有包括三个或多于三个角落部分(外角部分)的棱柱形外轮廓，其中用于以对中方式放置第二保持框的相应对中部分相应地被设置在第一保持框的或第二保持框的三个或多于三个角落部分中的每一个上。第一保持框的或第二保持框的角落部分相应地可以例示性地被适应性调整为用于以对中方式放置第二保持框的对中部分。此外，第一保持框和/或第二保持框可以具有圆柱形外轮廓。根据各个实施例，提供了一种方法、一种基板保持装置和一种处理系统，其增加了每方法周期(例如当基板保持装置正被运送通过处理系统的同时)能够处理的基板的数量。因此，降低了处理成本，并且真空系统中的基板处理变得经济。这使得真空系统中的基板处理相对于其他处理技术更具有竞争力。根据各个实施例，基板堆叠(具有彼此相叠的至少两个基板，并且可选地至少一个布置于其间的另一元件，例如分隔元件和/或另一基板)例示性地布置在基板保持装置中的基板容纳空腔中，使得放在下方的(也就是其下侧的)基板和放在顶部的(也就是其上侧的)基板可以受到处理。换句话说，每基板容纳空腔可以处理至少两个基板。通过这种方式，至少两个基板可以彼此相叠地布置在基板保持装置的每个空腔中，使得放在顶部的基板形成其上侧可以被处理的上基板排层，并且放在下方的基板形成其下侧可以被处理的下基板排层。根据各个实施例，提供了一种基板保持装置(也被称为基板保持器、基板载具、或晶片载具)，借助于其，每基板容纳保持部的两个基板可以彼此相叠地被保持，使得两个基板中的每一个可以在一侧上被处理。基板保持装置使得被设想用于对各个基板排层的两侧均进行处理的传统处理系统能够例如以成本有效方式被改装，使得所述传统处理系统的处理能力例示性地被利用到最大可能的程度。以例示性的方式，不是传统基板排层的下侧，而是第一基板排层(例示性的，下基板排层)被处理，并且不是传统基板排层的上侧，而是第二基板排层(例示性的，上基板排层)被处理。这使得没方法周期可以被处理的基板的数量能够翻倍。当被处理时，被共同插入或将会被共同插入空腔中的两个基板(或相应地，两个基板排层)彼此遮挡。这一般地使得两个基板(或相应地，两个基板排层)能够以不相同的方式被处理，例如在不同的时间点或者使用不同的技术。例如，放在顶部的基板(或相应地，上基板排层)可以被清洁，而放在下方的基板(或相应地，下基板排层)，可以被涂覆。两个基板(或相应地，两个基板排层)的处理可以同时地(并行地)执行，至少部分地(也就是部分地或全部地)同时执行，顺序地(串行地)执行，或至少部分地顺序执行。根据各个实施例，一种方法可以包括以下步骤：将具有第一基板和第二基板(其例如至少部分地相互重叠)的基板堆叠布置在基板保持装置的容纳区域中，其中第一基板的第一侧面对第二基板的第一侧；以及处理第一基板的与第一基板的第一侧相背的第二侧，并且处理第二基板的与第二基板的第一侧相背的且与第一基板的第二侧背向的第二侧。根据各个实施例，基板堆叠的布置使得第一基板(例如其第二侧)被放置在基板保持装置的支撑表面上，例如在平面的支撑表面上。第一基板的第一侧可以例示性地被称为第一基板的上侧，第一基板的第二侧可以例示性地被称为第一基板的下侧，第二基板的第一侧可以例示性地被称为第二基板的下侧，并且第二基板的第二侧可以例示性地被称为第二基板的上侧。例如，第二基板可以例示性地布置在第一基板的上方。基板堆叠和/或基板保持装置可以或者还将以另一定向布置。基板保持装置的容纳区域可以通过基板保持装置的空腔和/或支撑表面来定义或至少定界。例如，容纳区域可以在空腔内延伸。可替代地或附加地，例如，容纳区域可以至少部分地(也就是部分地或全部地)在支撑表面上延伸。根据各个实施例，第一基板和第二基板可以被插入基板保持装置的共同容纳区域中。第一基板的第二侧(例如下侧)可以至少部分地被暴露以用于处理，和/或第二基板的第二侧(例如上侧)可以至少部分地被暴露以用于处理。基板堆叠的处置可以包括以下步骤：将第一基板插入延伸通过例如基板保持装置的承载板(也被称为载具或托盘)的空腔(基板容纳空腔)中；以及将第二基板插入空腔中。根据各个实施例，第一基板可以被插入基板保持装置的空腔中的保持框(下框)中，例如在其支撑表面上。下框可以例如以整块的方式和/或通过结合(例如以材料一体化方式，例如通过焊接和/或粘附接合)连接到承载板。可替换地，下框和承载板可以在两个部分中，例如彼此可分离。在这种情况下，下框可以例如以形状配合和/或压入配合的方式(例如通过夹住、螺纹连接和/或铆接)被插入承载板。例如，下框可以在第一基板被放置之前插入空腔中。第一基板的第二侧可以被插入了第一基板的下框部分地覆盖。该方法还可以包括以下步骤：将保持框(也被称为第二保持框)布置在(例如插入)第一基板与第二基板之间的空腔中，其中基板堆叠的布置(例如放置)包括将第二基板插入保持框中，例如将第二基板的第一侧插到所述保持框的支撑表面上。通常，第一基板的和/或第二基板的处理可以包括修改第一/第二基板，或至少其表面，例如在至少一个化学性质、结构性质和/或物理性质的方面。根据各个实施例，第一基板的第二侧的处理可以包括以下步骤中的至少一个：涂覆、照射、减去、清洁、加热、转换(例如化学地和/或结构性地)、掺杂(例如化学地)、抛光。可替代地或附加地，第二基板的第二侧的处理可以包括以下步骤中的至少一个：涂覆、照射、减去、清洁、加热、转换(例如化学地和/或结构性地)、掺杂(例如化学地)、抛光。第一基板的第二侧的处理可以包括采用气态涂覆材料对第一基板的第二侧进行涂覆。可替代地或附加地，第二基板的第二侧的处理可以包括采用气态涂覆材料对第二基板的第二侧进行涂覆。气态涂覆材料可以相同或不相同，例如相同或不相同的成分。根据各个实施例，第一基板的处理和第二基板的处理可以至少部分地同时执行。换句话说，第一基板的处理和第二基板的处理可以至少部分地在时间上重叠。可替代地，第一基板的处理和第二基板的处理可以顺序地执行，也就是说相互具有时间间隔。根据各个实施例，第一基板的处理和/或第二基板的处理可以在真空中(或至少在负压下)执行。可替代地或附加地，在第一基板的下侧的处理期间和/或第二基板的上侧的处理期间，插入了第一基板和第二基板的基板保持装置可以在真空中被运送和/或布置。根据各个实施例，布置在第一基板与第二基板之间的保持框(也被称为第二保持框)可以定义第一基板与第二基板之间的间隔，使得例如在第一基板的第一侧与第二基板的第一侧之间形成间隙。根据各个实施例，可以在第一基板的处理和/或第二基板的处理期间，例如通过承载板中的通风口(例如管道)和/或保持框中的通风口(例如管道)来排空间隙。根据各个实施例，第一基板和第二基板可以相互物理接触地布置，例如通过使所述基板的第一侧至少部分地(也就是部分地或全部地)相互接触。可替代地或附加地，可以在第一基板与第二基板之间形成间隙(例如当基板为非平面的或者相互间隔地布置时)。可替代地或附加地，可以在第一基板与第二基板之间布置例如具有保持框形式的散热器。散热器可以热耦合到第一基板和/或第二基板，并且散热器可以可选地热耦合到承载板。为了实现所需的热耦合，散热器与第一基板和/或第二基板或者可选地承载板之间的接触面可以对应地被适应性调整为较大。散热器可以适用于从第一基板和/或从第二基板接收热能，并且从所述基板引导所述热能。例如，散热器可以具有以热辐射的方式再次排出所接收的热能的至少一部分的表面。该表面为此可以形成具有冷却片形式的轮廓。为此，散热器可以例如在第一基板与该表面之间和/或在第二基板与该表面之间提供导热路径。散热器可以可选地适于将所接收的热能的至少一部分排出到承载板。为此，散热器可以例如在第一基板与承载板之间和/或在第二基板与承载板之间提供导热路径。散热器(例如保持框)和/或承载板可以包括例如金属的材料或由其形成，该材料具有大于10w/(m·k)的热导率，例如大于50w/(m·k)的热导率，例如大于100w/(m·k)的热导率，例如大于200w/(m·k)的热导率，例如大于300w/(m·k)的热导率，例如大于400w/(m·k)的热导率。第一基板和/或第二基板可以以板状方式来配置；例如，其第一侧和/或第二侧可以配置为平面的(水平的)，例如彼此平面平行。例如当在两者之间不配置间隙时，也就是说当第一基板和第二基板相互接触时，如果第一侧配置为平面的，则第一基板和第二基板可以基本上完全接触。可替代地或附加地，第一基板的至少第一侧和/或第二基板的至少第一侧可以配置为非平面的，例如有角的和/或结构化的，例如在第一基板和/或第二基板配置为至少部分地有角和/或结构化的情况下。如果第一侧中的至少一个配置为非平面的，则第一基板和/或第二基板可以部分地接触。换句话说，例如，甚至当所述基板部分地相互接触时，也可以在第一基板与第二基板之间形成间隙。根据各个实施例，第一基板和/或第二基板可以包括以下中的至少一个或者由以下中的至少一个形成：陶瓷、玻璃、半导体(例如非晶的、多晶的或单晶的半导体，比如硅)、金属、聚合物(例如塑料材料)。例如，第一基板和/或第二基板可以是塑料膜、晶片、金属箔、金属薄板、或玻璃板。所述方法可以可选地包括步骤：将另一基板堆叠(具有第三和第四基板)布置在另一容纳区域中，例如将所述另一基板堆叠插入延伸通过基板保持装置的承载板的另一空腔中，以使得例如第三基板的第二侧(例如下侧)被暴露以用于处理，并且第四基板的第二侧(例如上侧)被暴露以用于处理。根据各个实施例的基板保持装置可以具有如下：承载板，其具有从承载板的上侧延伸通过承载板到达承载板的下侧的空腔；第一保持框，其具有用于(例如在空腔中)保持第一基板的第一(例如平面的)支撑表面；和第二保持框，其在被插入空腔中时被布置在第一(例如平面的)支撑表面上方(例如至少部分地在第一保持框的空腔中和/或至少部分地在第一保持框上方)，并且其具有用于将第二基板保持在空腔中并且保持在第一基板上方的第二(例如平面的)支撑表面。第一支撑表面和第二支撑表面可以至少部分地相互重叠。根据各个实施例，第二保持框可以至少部分地搁置在承载板和/或第一保持框上，例如以使得在第二保持框与第一保持框之间提供用于容纳第一基板的外围部分的容纳空间。在这种情况下，第二基板可以至少部分地(例如通过其外围部分)搁置在第二保持框上。第一基板可以至少部分地(例如通过其外围部分)搁置在第一保持框上。根据各个实施例，第一支撑表面和/或第二支撑表面可以借助于相应保持框中的凹陷而设置。可替代地或附加地，可以借助于凸起、圆形特征、倒角、弯折件、斑点状接触件、平面接触件、线形接触件、以及其类似的或混合的形状来提供支撑表面。第一保持框还可以被称为下框、下遮罩、或例示性地下保持框。第二保持框还可以被称为上框、上遮罩、或例示性地上保持框。第一基板还可以例示性地被称为下基板。第二基板还可以例示性地被称为上基板。根据各个实施例，下框和承载板可以被适应性调整以使得例如承载板中的空腔的内轮廓可以被提供为与下框的外轮廓匹配，使得下框可以以形状配合的方式咬合在空腔中，和/或下框相对于空腔维持在预定义位置上。本文中的下框可以与空腔的侧壁物理接触，和/或搁置在承载板的支撑表面上(也就是说，物理接触)。根据各个实施例，上框、以及承载板和/或下框的至少一个可以被适应性调整以使得上框可以以形状配合的方式咬合在空腔中和/或下框中。例如，上框可以相对于空腔和/或下框而维持在预定义位置上。例如，承载板中的空腔的(和/或下框的凹陷的)内轮廓可以被设置为与上框的外轮廓匹配。可替代地或附加地，下框、上框和承载板可以具有至少成对地相互匹配的相应对中结构。本文中上框可以与空腔的侧壁和/或与下框物理接触。根据各个实施例，第一基板可以通过外围部分搁置在下框上，例如在后者的支撑表面上，和/或第二基板可以通过外围部分搁置在上框上，例如在其支撑表面上。根据各个实施例，第一保持框和承载板可以以整块的方式互连。可替代地，第一保持框可以插入空腔中。在这种情况下，第一保持框可以至少部分地搁置在承载板上，例如在承载板的支撑表面上。为此，承载板可以具有第一保持框至少部分地搁置在其处的支撑表面。根据各个实施例，基板保持装置还可以具有以下：第三保持框，用于覆盖第一基板(在该情形下也被称为第一覆盖框)或第二基板(在该情形下也被称为第二覆盖框)。第一覆盖框在被插入空腔中时可以布置在第一(例如平面的)支撑表面上方，例如布置在第一保持框上方，以使得例如在第一覆盖框与第一(例如平面的)支撑表面(例如第一保持框)之间提供用于容纳第一基板的外围部分的容纳空间，和/或第一覆盖框布置在第一保持框与第二保持框之间的容纳空间中。换句话说，第一覆盖框可以布置在第一与第二基板之间。第一覆盖框在被插入空腔中时可以固定(例如夹住)第一基板。可替代地或附加地，第二覆盖框在被插入空腔中时可以布置在第二(例如平面的)支撑表面上方，例如布置在第二保持框上方，以使得例如在第二覆盖框与第二(例如平面的)支撑表面(例如第二保持框)之间提供用于容纳第二基板的外围部分的容纳空间。第二覆盖框在被插入空腔中时可以固定(例如夹住)第二基板。根据各个实施例，基板保持装置可以具有第二覆盖框和/或第一覆盖框。根据各个实施例，当第一基板被布置在上框与下框之间时，上框可以覆盖第一基板的至少一部分。上框可以例示性地例如从上方至少部分地覆盖第一基板的第一侧，例如其外围区域。第二基板可以搁置在上框上，以使得例如前者的第二侧维持完全空置(暴露)。可替代地，第二覆盖框可以例如从上方部分地覆盖第二基板的第二侧，例如其外围区域。在这种情况下，第二基板的上表面的(也就是在其上侧上的)中心区域可以维持空置(暴露)，使得第二基板的中心区域可以被处理，例如被涂覆。根据各个实施例，例如当第一基板布置在上框与下框之间时，下框可以覆盖第一基板的一部分。下框可以例示性地部分地覆盖第一基板的第二侧，例如其外围区域。此外，第一基板的第二侧的(例如其下侧的)中心区域可以维持空置(暴露)，使得第一基板的中心区域可以被处理，例如被涂覆。根据各个实施例，基板保持装置可以具有用于对第一保持框与第二保持框之间的间隙进行排空和/或对第一基板与第二基板之间的间隙进行排空的通风口。通风口可以至少部分地在第一支撑表面与第二支撑表面之间延伸，和/或将间隙连接到承载板的至少一侧(例如上侧和/或下侧)。通风口可以至少部分地在承载板中、在第一保持框中和/或在第二保持框中延伸。例如，通风口可以从承载板的上侧和/或从承载板的下侧延伸到空腔的侧壁，和/或将前者与后者互连。例如，通风口可以具有在第一保持框中和/或在第二保持框中的至少一个第一开口部分、以及在承载板中的第二开口部分，其中，当第一保持框和/或第二保持框被插入承载板的空腔中时，第一开口部分与第二开口部分对准。通风口例如可以至少部分地以凹陷的形式和/或以管道的形式形成。空腔的侧壁可以对空腔定界(例如沿着承载板面)，并从承载板的上侧延伸到承载板的下侧。根据各个实施例，处理组件可以具有以下：处理腔室；第一处理装置和第二处理装置，其布置在处理腔室中；本文所述的基板保持装置；和运送装置，其用于在第一处理装置与第二处理装置之间运送和/或定位基板保持装置。例如，运送装置可以定义运送面，用于沿着运送面运送基板保持装置。运送面可以在第一处理装置与第二处理装置之间延伸。例如，在借助于第一处理装置的处理和/或借助于第二处理装置的处理期间，借助于运送装置的基板保持装置(例如基板保持装置运送装置，或称为运送系统)可以被运送通过第一处理装置与第二处理装置之间。可替代地或附加地，例如在借助于第一处理装置的处理和/或借助于第二处理装置的处理期间，借助于运送装置的基板保持装置可以被定位于第一处理装置与第二处理装置之间。第一基板(例如其第一侧)可以借助于第一处理装置例如从下方(例示性地，所述第一基板的下侧)进行处理。第二基板(例如其第一侧)可以借助于第二处理装置例如从上方(例示性地，所述第二基板的上侧)进行处理。基板的上侧和下侧这种术语可以涉及承载板的上侧和下侧。然而，承载板可以以任意方式在空间上对准。例如，运送装置可以被适应性调整以使得运送面竖直地(也就是横向于重力)、水平地(也就是平行于重力)和/或以任何其他角度延伸。换言之，基板保持装置(或相应地，其上侧)可以横向于重力、平行于重力、和/或相对于重力以任何其他角度而被对准或运送。根据各个实施例，第一处理装置可以具有用于处理第一基板的第一处理区域，第二处理装置可以具有用于处理第二基板的第二处理区域。运送装置可以适用于将基板保持装置运送到第一处理区域和第二处理区域中，和/或在第一处理区域和第二处理区域中定位基板保持装置。换句话说，运送面可以延伸通过第一处理区域和/或第二处理区域。根据各个实施例，第一基板的第一侧可以在第一处理区域中被处理，第二基板的第一侧可以在第二处理区域中被处理。承载板可以具有多个空腔、多个第一保持框和多个第二保持框。多个第一保持框的各个第一保持框和多个第二保持框的各个第二保持框可以形成用于保持基板堆叠的保持框对，所述保持框对被分配给多个空腔中的空腔。每个保持框对可以被插入所分配的空腔中。保持框对的第二保持框可以至少部分地搁置在承载板上和/或保持框对的第一保持框上，以使得例如在保持框对的第二保持与保持框对的第一保持框之间提供用于容纳基板堆叠的第一基板的外围部分的容纳空间。第二保持框可以适用于将基板堆叠的第二基板保持在空腔中并且在第一基板上方。根据各个实施例，一种方法可以包括以下步骤：将第一基板和第二基板相对于彼此布置在基板保持装置中，以使得例如第一基板的上侧面对第二基板的下侧；处理第一基板的与第一基板的上侧相背的下侧；以及处理第二基板的与第二基板的下侧相背的上侧。根据各个实施例，将第一基板插入和将第二基板插入(也就是说将基板堆叠插入)基板保持装置可以包括：将(基板堆叠的)第一基板插入第一保持框，和/或将(基板堆叠的)第二基板插入第二保持框。如上文已描述的那样，结合涂覆系统提供了基板载具，涂覆系统实现了被一个挨一个保持的基板的一侧或两侧(也就是所述基板的正面和背面)的涂覆。本文中的基板搁置在支撑表面上并且被上遮罩覆盖。支撑表面和上遮罩每个均在一部分基板上提供了阴影，使得在基板的两侧上保留了对于一些应用而言非常重要的非涂覆外围区域。非涂覆外围区域实现了在基板两侧上的相应涂层的空间的和电的分离(例示性的，电隔离)。上遮罩可选地具有夹住基板的功能，使得基板稳固地搁置在支撑表面上，并且杂散蒸汽不能行进到支撑表面与基板之间而沉积在该处(寄生涂覆)。沉积在外围区域中的杂散蒸汽会导致基板两侧上的涂层之间的短路，其中短路使基板对于一些应用无用(并且例示性地引起废品产生)。本文中涂覆面积的大小可以代表涂覆工艺的经济的重要标准，因此涂覆面积的所述大小应当例示性地尽可能大，但是仅大到足够外围区域维持其电隔离效果。根据各个实施例，提供了一种基板保持装置，其例示性地提供了尽可能大的基板面积的利用率。换句话说，可以在基板上提供尽可能大的涂覆面积。基板的外围区域可以例示性地在一侧上被涂覆，使得非涂覆外围区域仅保留在基板的另一侧上。根据各个实施例，提供了使得能够省略上遮罩的基板保持装置。为了涂覆基板，其上侧是完全空置的，从而后者可以被完全涂覆。除了基板的上侧以外，支撑表面的一部分由此也同样是空置的，这是因为支撑表面通常配置为比基板大一点以便在基板插入之时具有更多可用的自由空间。因此，上遮罩的任何省略带来支撑表面同样被涂覆。因此，在清洁的各间隔之间会在支撑表面上创建具有数百微米可见厚度的层，其导致了基板与杂散蒸汽所进入的支撑表面之间的间隙。在系统的利用过程中，支撑表面例示性地变得更不平，并且基板与支撑表面之间的间隙尺寸变得更加大。根据各个实施例，提供了一种基板保持装置，其支撑表面在省略了上遮罩时例示性地被涂覆得更少。因此，减小了由于基板两侧上的涂层之间的短路而导致的废品率，并且需要更少的清洁间隔，节省了成本和劳动。总的来说，由此实现了在较低废品率和较低操作成本下更高水平的基板利用率。根据各个实施例，一种基板保持装置可以具有以下：彼此平行地延伸的两个支撑区域，基板保持装置可以在该支撑区域处被支撑以便被运送；以及布置在两个支撑区域之间的多个基板放置区域，所述基板放置区域的每一个具有空腔和用于将基板保持在空腔中的支撑表面；并且所述基板放置区域的每一个具有与支撑表面相邻且至少部分地围绕后者的凹陷。因此，可以例示性地实现支撑表面完全被搁置于其上的基板遮挡。相比之下，当基板搁置在支撑表面上时，凹陷可以部分地被暴露。凹陷例示性地提供了在基板不与涂层接触的情况下可以被涂覆的区域(层容纳区域)(因为涂层的基座区域比支撑表面低)。基板可以例示性地(至少部分地)突出，例如突出于支撑表面以外，例如部分地横穿凹陷。将所放置的基板的位置定义为例如与支撑表面一样高的基板放置区域的空腔(例如其内圆周壁)例示性地被适应性调整以使得基板例如利用游隙配合到空腔中。在基板正被插入基板放置区域中之时和/或在基板正被从基板放置区域移除之时，游隙使得能够防止基板与基板保持装置(例如其内圆周壁)之间的任何接触，这减小了正在重新定位(放置或移除)时基板损坏的风险(降低的基板损坏风险)。凹陷可以布置在内圆周壁与支撑表面之间。凹陷可以与内圆周壁相邻。根据各个实施例，多个基板放置区域中的至少一个(例如每一个)基板放置区域处的空腔可以延伸通过基板保持装置。换句话说，基板放置区域可以在两个相对方向上开放。因此可以实现放置于其中的基板在两侧上被处理。根据各个实施例，多个基板放置区域中的至少一个(例如每一个)基板放置区域处的凹陷可以与相应空腔的内圆周壁相邻。根据各个实施例，基板保持装置还可以具有承载板；其中多个基板放置区域中的至少一个(例如每一个)基板放置区域的支撑表面(例如以整块的方式)连接到承载板；和/或其中多个基板放置区域中的至少一个(例如每一个)基板放置区域的支撑表面借助于保持框来提供，保持框在被插入承载板的空腔中时至少部分地搁置在承载板的支撑表面上。根据各个实施例，多个基板放置区域中的至少一个(例如每一个)基板放置区域的空腔(例如承载板的至少一个(例如每一个)空腔)可以延伸通过承载板。换句话说，基板放置区域中的承载板可以在两个相对方向上开放。因此可以实现放置于其中的基板可以在两侧上被处理。根据各个实施例，多个基板放置区域中的至少一个(例如每一个)基板放置区域的支撑表面可以配置为平面的。换句话说，支撑表面的各点可以处于平的平面内。根据各个实施例，多个基板放置区域中的至少一个(例如每一个)基板放置区域的支撑表面可以包括金属或由金属形成。例如，金属可以包括铝或由铝形成。可替代地或附加地，例如，金属可以例如包括铁或由铁形成，例如以铁合金的形式，比如钢。根据各个实施例，基板保持装置还可以具有在两个支撑区域之间延伸并延伸至其中的至少一个加强元件。可替代地或附加地，基板保持装置可以具有彼此平行地延伸的多个(至少两个，例如两个或多于两个)加强元件，其中至少一个(例如每一个)加强元件(例如相应地)布置在两个支撑区域的支持区域中。所述至少一个加强元件可以具有多个加强元件。根据各个实施例，处理组件可以具有以下：处理腔室；处理装置，其定义了处理腔室中的处理区域；根据各个实施例的基板保持装置；以及运送装置，其用于在处理区域中运送和/或定位基板保持装置，其中运送装置适用于在基板保持装置的两个支撑区域中支撑基板保持装置。根据各个实施例，处理组件还可以具有以下：另一处理装置，其中运送装置适用于在所述处理装置与所述另一处理装置之间运送和/或定位基板保持装置。根据各个实施例，一种基板保持装置，可以具有以下：彼此平行地延伸的两个支撑区域，在两个支撑区域处，基板保持装置可以被支撑以便被运送；以及多个基板放置区域，所述基板放置区域中的每一个具有空腔和用于将基板保持在空腔中的支撑表面，并且所述基板放置区域布置在两个支撑区域之间；并且其中多个基板放置区域中的至少一个(例如每一个)支撑表面被多个基板放置区域的内圆周壁围绕并且与后者间隔开(例如，使得其间形成间隙)。换言之，支撑表面可以配置为从内圆周壁凹陷。间隙可以在支撑表面与内圆周壁之间例如以凹陷的形式延伸。根据各个实施例，一种处理组件可以具有以下：处理腔室；布置在处理腔室中的第一处理装置和第二处理装置；根据各个实施例的基板保持装置；以及运送装置，其用于在第一处理装置与第二处理装置之间运送和/或定位基板保持装置。例如，运送装置可以定义运送表面，以用于沿着运送表面运送基板保持装置。运送表面可以在第一处理装置与第二处理装置之间延伸。例如在借助于第一处理装置的和/或第二处理装置的处理期间，基板保持装置可以借助于运送装置被运送通过第一处理装置和第二处理装置。可替代地或附加地，例如在借助于第一处理装置的和/或第二处理装置的处理期间，基板保持装置可以借助于运送装置而在第一处理装置与第二处理装置之间被定位。基板(例如其第一侧)可以借助于第一处理装置例如从上方(例示性地，所述基板的上侧)被处理。基板(例如其第二侧)可以借助于第二处理装置例如从下方(例示性地，所述基板的下侧)被处理。根据各个实施例，一种方法可以包括以下步骤：将基板插入基板保持装置的在其基板放置区域中的空腔中，其中基板具有第一侧和与第一侧相背的第二侧；其中基板的第二侧与基板放置区域的支撑表面物理接触；并且其中基板具有与支撑表面平行的比基板放置区域的空腔小(例如比与支撑表面一样高的内圆周壁的相对部分的间隔小)的延伸度；处理基板的第一侧，其中支撑表面和基板相对于彼此被适应性调整以使得支撑表面通过所述处理完全被基板遮挡。基板的第一侧(也就是与支撑表面相背的一侧)可以可选地被完全暴露。该方法可以可选地还包括以下步骤：处理基板的第二侧。根据各个实施例，一种方法可以包括以下步骤：将基板放置到基板保持装置的(例如承载板的或保持框的)支撑表面上(例如在基板放置区域中)，其中支撑表面完全被基板覆盖；以及处理基板。基板的与支撑表面相背的一侧(第一侧)可以可选地被完全暴露。基板的处理可以包括在第一侧上和/或在第二侧上处理基板，其中第一侧与第二侧相背。基板可以通过第二侧借由物理接触搁置在支撑表面上。根据各个实施例，基板的(第一侧的和/或第二侧的)处理可以包括以下步骤中的至少一个：涂覆、照射、减去、清洁、加热、转换(例如化学地和/或结构性地转换)、掺杂(例如化学地掺杂)、抛光。换句话说，基板可以在一侧或在两侧上被处理。基板的处理可以包括采用气态涂覆材料涂覆基板的第一侧。可替代地或附加地，基板的处理可以包括采用气态涂覆材料涂覆基板的第二侧。气态涂覆材料可以是相同的或者不相同的，例如相同的或不相同的成分。根据各个实施例，基板的处理可以在真空中(或至少在负压处)执行。可替代地或附加地，在基板的第一侧的处理期间和/或在基板的第二侧的处理期间，被插入了基板的基板保持装置可以在真空中被运送和/或布置。根据各个实施例，基板的第一侧的处理和基板的第二侧的处理可以至少部分地同时执行。换句话说，基板的第一侧的处理和基板的第二侧的处理可以至少部分地在时间上重叠和/或至少部分地在空间上重叠。可替代地，基板的第一侧的处理和基板的第二侧的处理可以顺序地执行，也就是说相互具有时间和/或空间间隔。根据各个实施例，基板的插入可以包括：将基板放置到基板保持装置的支撑表面上，例如平面的支撑表面上。根据各个实施例，基板可以被插入保持框(下框)中，例如在后者的支撑表面上。保持框可以被插入基板保持装置的空腔中，例如在基板保持装置的支撑表面上。换句话说，保持框和承载板可以在两个部分中，例如彼此可分离。在这种情况下，保持框可以例如以形状配合和/或压入配合的方式(例如，插装配合和/或利用精密配合夹紧)被插入承载板中。例如，保持框可以在基板被放置之前插入承载板的空腔中。例如，保持框可以至少部分地搁置在承载板上，例如在承载板的支撑表面上。为此，承载板可以具有保持框至少部分地搁置在其处的支撑表面。可替代地，保持框可以例如以整块方式和/或通过结合(例如以材料一体化方式，例如通过焊接和/或粘附接合)或者例如以形状配合和/或压入配合方式(例如通过螺纹连接和/或铆接)连接到承载板。基板保持装置的基板放置区域可以例示性地被适应性调整以使得基板可以放置于承载板的支撑表面上，或者对基板进行保持的保持框可以放置于承载板的支撑表面上。根据各个实施例，基板可以包括以下中的至少一个或由以下中的至少一个形成：陶瓷、玻璃、半导体(例如非晶的、多晶的或单晶的半导体，比如硅)、金属、聚合物(例如塑料材料)。例如，基板可以是塑料膜、晶片(半导体基板)、金属箔、金属薄板、或玻璃板。基板可以以板状方式配置；例如，其第一侧和/或第二侧可以配置为平面的(水平的)，例如彼此平面平行。基板的第二侧(例如下侧)可以至少部分地暴露以用于处理(例如部分地被支撑表面覆盖)，和/或基板的第一侧(例如上侧)可以至少部分地(例如完全地)被暴露以用于处理。基板的第二侧(例示性地，下侧)可以被放置基板的支撑表面(例如被承载板或保持框)部分地覆盖。支撑表面可以例示性地部分覆盖基板的第二侧，例如后者的外围区域。此外，基板的第二侧(例如其下侧)的中心区域可以维持空置(被暴露)，使得基板的中心区域可以被处理，例如被涂覆。该方法可以可选地包括：将至少一个另一基板(例如多个基板)布置在至少一个另一基板放置区域中(例如多个基板放置区域中)的步骤；将所述另一基板放置在例如基板保持装置的至少一个另一空腔中(例如多个空腔中)，以使得例如所述至少一个另一基板的第二侧(例如下侧)被部分地暴露以用于处理、并且所述至少一个另一基板的第一侧(例如上侧)被完全暴露以用于处理的步骤。根据各个实施例，支撑表面可以是紧凑的(连续的)或者可以被空腔穿透。如果支撑表面是紧凑的，则前者可以完全覆盖基板的第二侧。如果支撑表面被空腔穿透，则支撑表面可以由基板放置区域的外围上的弯折件提供，其中弯折件具有凹陷。如果支撑表面被空腔穿透，则支撑表面可以至少部分地(部分地或完全地)围绕空腔。可替代地或附加地，可以借助于凸起、圆形特征、倒角、斑点状接触、平面接触、线形接触、以及其类似的或混合的形状来提供支撑表面。如果支撑表面被空腔穿透，则基板的第二侧(例如后者的下侧)的中心区域可以维持空置(被暴露)，使得第一基板的中心区域可以被处理(对待)，例如被涂覆。基板被插入到的保持框也可以被称为下框或下遮罩。根据各个实施例，保持框和承载板可以被适应性调整为使得例如承载板中的空腔的内轮廓可以被提供为匹配保持框的外轮廓，从而保持框可以以形状配合的方式咬合在空腔中，和/或保持框相对于空腔维持在预定义位置上(也就是精密配合)。本文中的保持框可以与空腔的侧壁(也就是其内圆周壁)物理接触，和/或搁置在承载板的支撑表面上(也就是物理接触)。可替代地或附加地，保持框和承载板可以相应地具有至少成对地相互匹配的对中结构。根据各个实施例，基板可以通过外围部分搁置在(承载板的或保持框的)支撑表面上。可替代地或附加地，保持框可以通过外围部分搁置在承载板的支撑表面上(例如在其上侧上)。承载板中的空腔的内圆周壁(侧壁)可以(例如沿着承载板面)对空腔定界，并且从承载板的上侧延伸到承载板的下侧。承载板的上侧和/或承载板的下侧可以沿着承载板面(例如与之平行地)延伸。基板的上侧和下侧这种术语可以涉及基板保持装置的上侧和下侧，例如涉及其承载板和/或其保持框。基板保持装置的上侧可以指基板和/或保持框可被插入基板保持装置中的那一侧。与之相比，基板保持装置或其承载板相应地可以以任意方式在空间上对准。例如，运送装置可以被适应性调整以使得运送面竖直地(也就是横向于重力)、水平地(也就是平行于重力)和/或以任何其他角度延伸。换言之，基板保持装置(或相应地，其上侧)可以横向于重力、平行于重力、和/或相对于重力以任何其他角度而被对准或运送。根据各个实施例，第一处理装置可以具有用于在基板的第一侧上对其进行处理的第一处理区域，并且第二处理装置可以具有用于在基板的第二侧上对其进行处理的第二处理区域。运送装置可以适用于将基板保持装置运送到第一处理区域和第二处理区域中，和/或在第一处理区域和第二处理区域中定位基板保持装置。换句话说，运送面可以延伸通过第一处理区域和/或第二处理区域。根据各个实施例，基板的第一侧可以在第一处理区域中被处理，基板的第二侧可以在第二处理区域中被处理。基板保持装置可以具有多个保持框(例如以平面的方式一个挨一个地布置)。承载板可以可选地具有可被插入多个保持框的多个空腔(承载板空腔)。可替代地，多个保持框可以例如以整块的方式连接到承载板。多个保持框中的每个保持框可以分配给多个承载板空腔中的承载板空腔。多个保持框中的每个保持框可以被插入多个承载板空腔中的所分配的承载板空腔中。根据各个实施例，提供了一种用于在真空涂覆系统中在一侧和/或两侧上对基板(例如晶片)(例如薄基板)进行涂覆的基板保持装置(基板保持器)。根据各个实施例，可以提供在两侧上对基板的涂覆，例如，其中跨整个面涂覆基板的上侧。可替代地或附加地，可以例如借助于保持框在外围(也被称为外围排除区)上以包围的方式覆盖(遮蔽)基板的下侧(例如下表面)。还可以通过利用附加的或可选的上遮罩来遮蔽基板的上侧(夹持支撑)。可以借助于遮蔽上侧和/或下侧来提供上侧上的涂层与下侧上的涂层之间的电隔离外围(隔离空腔)。因此，可以避免基板的上侧和下侧上的导电层之间的相应短路。例如，可以防止(遮挡)基板的所定义的包围区域(外围区域)以免受到涂覆(也被称为外围排除区或非涂覆环形区)。当支撑表面为水平的(换句话说，平面的)时，阴影可以被简化。基板可以包括电隔离材料和/或半导电材料。根据各个实施例，基板可以包括透明材料或由透明材料形成(例如用于光学部件的涂覆)。例如，基板可以包括光学部件。根据各个实施例，基板可以包括半导电材料或由半导电材料形成，例如硅和/或碳化硅。例如，基板可以包括半导体部件和/或光伏部件。根据各个实施例，可以在基板上形成屏障和/或封装。每个基板可以放置在单独的例如抗弯刚度口袋(也被称为保持框或下遮罩)中。保持框可以具有平面的支撑表面和/或借助于支撑表面的预定义轮廓提供限定的遮蔽(例如在基板的下侧上的涂层的外围排除区)。这些口袋可以以悬浮方式被固定和/或支撑在承载框(载具)中。凭借各个口袋从承载框的机械去耦，所述口袋可以独立于承载框(载具)的变形而被支撑。例如，承载框凭借弯曲可以在水平位置上(也就是在水平延伸度上)变形。口袋内的支撑表面的平面度在本文中维持恒定。换句话说，降低和/或防止了机械应力从承载框到保持框和/或到其中支撑的基板的传递。因此，保护基板不受弯曲应力和振动的影响，并且不受外围区域中的不充分溅镀的影响。在改进的情况下，例如对基板尺寸的改进、口袋轮廓的最优化等，可以替换口袋而不必更换或修改承载框。换句话说，独立于基板载具(也就是变化地)提供保持框。在相应地磨损或损坏单独的口袋的情况下，仅仅所述口袋而不是整个承载框(载具)必须被更换。可以通过注塑成型法以成本有效的方式由可用于真空的塑料材料或复合材料(例如以层间粘合剂(ply-adhesive)表面)来生产作为磨损部件的口袋。可选地，保持框可以具有包围的凹陷。可替代地或附加地，可以使用附加的上遮罩。附图说明在附图中例示并将在下文更详细地说明本发明的示例实施例。在附图中：图1至图3在相应的示意性截面图中示出根据各个实施例的基板保持装置；图4a和图4b在相应的示意性平面图中示出根据各个实施例的基板保持装置；图5a至图5c在相应的示意性截面图中示出根据各个实施例的基板保持装置；图6a示出根据各个实施例的在示意性细节透视图中的基板保持装置的相应保持框；图6b示出根据各个实施例的在示意性截面图中的基板运送装置；图7示出根据各个实施例的在示意性流程图中的用于处理基板的方法；图8a和图8b在示意性截面图中示出根据各个实施例的相应基板保持装置；图9a在示意性截面图或示意性平面图中示出根据各个实施例的基板保持装置；图9b至图9f在示意性截面图或示意性平面图中示出根据各个实施例的相应的第一保持框、第二保持框和/或载板；图10a在示意性截面图或示意性平面图中示出根据各个实施例的基板保持装置；图10b在示意性截面图中示出根据各个实施例的基板保持装置；图11a、图11b和图11c在示意性截面图中示出根据各个实施例的相应处理组件；图12a在示意性流程图中示出根据各个实施例的方法。图12b在示意性截面图或示意性平面图中示出根据各个实施例的方法中的基板保持装置；图13a和图13b在示意性截面图中示出根据各个实施例的相应基板保持装置；图14a在示意性截面图或平面图中示出根据各个实施例的基板保持装置；图14b和图14c在示意性截面图中示出根据各个实施例的相应的基板保持装置；图15a在示意性截面图中示出根据各个实施例的基板保持装置；图15b和图15c在示意性透视图中示出根据各个实施例的相应的基板保持装置；图16a和图16b在示意性透视图中示出根据各个实施例的相应的基板保持装置；图17a在示意性截面图中示出根据各个实施例的相应的基板运送装置；图17b在示意性截面图中示出根据各个实施例的基板保持装置；图18a在示意性截面图或平面图中示出根据各个实施例的基板保持装置；图18b在示意性流程图中示出根据各个实施例的方法；图19a和图19b在相应的示意性平面图中示出根据各个实施例的基板保持装置；图20a和图20b示出根据各个实施例的相应示图；图21a和图21b示出根据各个实施例的相应示图；以及图22a和图22b示出根据各个实施例的相应示图。具体实施方式在以下详细描述中，参照了附图，附图形成本说明书的一部分，并且出于例示目的示出了可实施本发明的特定示例实施例。就此而言，例如，诸如“在顶部”、“在底部”、“在前方”、“在后方”、“前”、“后”等方向术语是针对所述附图的定向而使用的。由于示例实施例的部件可以按许多不同定向来定位，因此方向术语仅出于例示目的而提供，并且无论如何都不是限制性的。毫无疑问，可以使用其他示例实施例并且可以作出结构的或逻辑的改变，而不脱离本发明的保护范围。毫无疑问，本文所述的各个示例实施例的特征可以相互结合，除非另外进行了具体指示。因此，以下详细描述不应按限制意义来解释，本发明的保护范围由所附权利要求限定。在本说明书的上下文中，术语“连接”和“耦接”用来描述直接连接和间接连接两者以及直接耦接或间接耦接。在附图中，为权宜之计，对相同或相似的元件提供了相同的参考符号。根据各个实施例，本文描述的基板保持装置可以用于在处理腔室中(例如在水平涂覆系统中)运送基板(例如晶片)，以例如用于借助于物理气相沉积(pvd)和/或化学气相沉积(cvd)涂覆基板。本文的基板保持装置可以以如下方式提供，并且涂覆系统可以以如下方式适应性调整：使得基板可以从下和/或从上被涂覆，例如同时从下和从上被涂覆，或者例如顺序地从下和从上被涂覆，而不用将基板从涂覆系统排出。本文所述的具有基板保持装置的基板运送装置例示性地适于在真空涂覆系统中运送晶片或其他薄基板(例如厚度小于2mm，或小于1mm，或小于0.5mm)。本文中可以在无需从基板保持装置移出基板的情况下对基板的上侧和下侧两者进行涂覆。这允许例如对基板的上侧和基板的下侧的遮蔽。避免了对反面的相应涂覆。换句话说，可以通过以下方式对基板运送装置进行适应性调整：使得所述基板运送装置将两个处理区域(例如，基板运送装置上方和下方的相应涂覆区域)彼此分开。因此可以采用不同材料从上方和下方对基板进行涂覆，而不会使已沉积在基板上的材料混合。根据各个实施例，基板保持装置可以用于涂覆例如具有光学层和半导体层和/或封装层的基板。基板保持装置例如可以使得能够在真空中以小于2％的厚度差的层执行基板双面的均匀涂覆。可以在遮蔽一侧或两侧的情况下从上方在整个区域上对相应基板进行涂覆。换句话说，保持框中的一个还可以被适应性调整为板，以使得基板的整个面被覆盖。基板保持装置的构造可以以以下方式被实施，使得晶片和遮罩(保持框)的自动加载和卸载也成为可能。在以基板的上侧和下侧的均匀涂覆为目的对两侧进行遮蔽的工艺中，例如，对两侧均实施相同的几何条件(例如目标间隔、气体分离、有效面积、动作的角度、阴影等)会是必要的或有用的。另外，确保基板在整个工艺期间例如在安全稳定位置中被运送也会是必要的或有用的。为此，基板可以每个各自插入例如抗弯刚度下遮罩中，其中抗弯刚度下遮罩提供了平面支撑表面。此外，可以借助于下遮罩中的预定义的口袋轮廓来实施定义的遮蔽(涂覆的外围排除区)。例如，下遮罩可以以悬浮方式固定在承载框(被称为承载板)中。下遮罩中的支撑表面的平面度独立于承载框的变形(例如在水平位置中的弯曲)而保持恒定。因此例如去耦了对基板的损害性的弯曲应力。换句话说，基本上没有机械应力从承载框传递到相应基板。例如，遮罩的准确的相互位置(也就是说遮罩开口的一致性)例如借助于遮罩的适当的相互对中而得到保证。对中可以以下方式被设计：使得保证可靠的自动化处置，并且不会发生遮罩的相互倾斜和/或卡塞。可以在保持框的(例如四个)角落的每一个处设置销孔，并且可以在配合件上(例如在两个保持框中的另一个上)设置销钉。在结构方面，具有相同功能性的适当圆形部分(例如铣削的轮廓)也是可以的。可以采用相对于遮罩窗口在位置上准确的和中心的最大精确度(例如采用nc(数控)机床的相应机器准确度)来制作这些对中轮廓。此外，对中轮廓可以具有倒角和/或引入斜面，使得即使在遮罩的相互预对中(pre-centering)不准确的情况下，后者在配对期间的步骤中移动到叠合位置(逐步对中)。该优点被直接传递作为在自动加载中所需的较低位置准确度。对中元件(也称为对中结构)可以被布置为使得所述对中元件位于相应遮罩的涂覆源无法达到的一侧上(对中元件例示性地可以被遮挡)。这防止了例如支撑表面和/或对中面被无意地涂覆，并防止了例如在对中准确度方面的相关损失。通过将载具结构分离从而具有承载框、下遮罩和上遮罩，保证了高度灵活性。承载框可以制成简单的成本有效的部件(例如作为没有后处理的激光切割部件)。对精确度的高要求降低到遮罩(或相应地，保持框)。所述遮罩通过相对较小的尺寸可以更成本有效地制成容积部件(volumepart)。可以根据工艺改变相应的遮罩。在任何时候都可以更换损坏情况下的各个遮罩。例如通过湿式化学法或干冰喷击的清洁可能性(所谓的去涂覆)也变得更简单和更成本有效。图1视觉化示出根据各个实施例的在示意性截面图或侧视图中的基板保持装置100。基板保持装置100可以具有例如承载板102。承载板102可以具有至少一个空腔112以使得下框132a(第一保持框132a)和上框132a(第二保持框132b)可以被容纳或至少部分地容纳于空腔112中，以便借助于两个保持框132a、132b将基板120保持在空腔112中。承载板102可以具有例如上侧102a(或者相应地，上表面)和下侧102b(或者相应地，下表面)。两个表面102a、102b可以彼此(例如至少部分地)平面平行。承载板102沿着方向105(垂直于两个表面102a、102b)可以具有从约3mm至约80mm范围内的厚度，例如从约1cm至约6cm范围内的厚度。根据各个实施例，承载板102可以由钛构成或包括钛。可替代地，承载板102可以由任何其他适当材料(例如由复合材料或由金属，例如不锈钢)制成。此外，承载板102沿着方向103(平行于两个表面102a、102b)可以具有从约50cm至约5m的范围内的宽度，例如从约1m至约3m的范围内的宽度。此外，平行于两个表面102a、102b并且横向于宽度方向103的承载板102可以具有从约40cm至约5m范围内的长度，例如从约0.5m至约2m范围内的宽度。根据各个实施例，承载板102在尺寸方面可以适应于要容纳的基板120的数量和大小两者以及用于处理基板的处理系统的大小(例如涂覆宽度和/或锁长度)。例如，承载板102中的至少一个空腔112可以从承载板102的上侧102a延伸通过承载板102到达承载板102的下侧102b。当从方向105观看时，空腔112可以是圆形、方形或任意多边形的。空腔112的形状可以适应于要容纳的基板的外部轮廓，例如空腔112可以基本上是圆形的以便用于要容纳的圆形晶片，或者是方形的(例如具有圆角或切角)以便用于容纳方形的晶片(例如具有圆角或切角)。此外，基板保持装置100可以具有第一保持框132a，其插入空腔112中并且部分地搁置在承载板(102)上(例如，在承载板102的上侧102a上)。此外，基板保持装置100可以具有第二保持框132b，其部分地搁置在第一保持框132a上。可以将两个保持框132a、132b以以下方式进行适应性调整：使得在两个保持框132a、132b之间设置用于容纳基板120的外围部分的容纳空间130(例如间隙130)。例如，基板120可以搁置在第一保持框132a上，和/或第二保持框132b可以布置在基板120上方，其中第二保持框132b例如不物理地接触基板120。通过类似方式，承载板102可以具有用于同时容纳和保持多种基板的多种空腔112。例如，图1例示性示出基本载具102(也称为承载板102)，其可以安置一个或优选地多个晶片以用于pvd工艺。基本载具102根据要容纳的晶片的数量和形状而具有对应的部分112。如图1视觉化地示出，例如，保持框132a、132b可以突出于承载板102的上侧102a(和/或下侧102b)以外。可替代地，保持框132a、132b还可以设置为与承载板102齐平。根据各个实施例，两个保持框132a、132b可以定义其中被定位在两个保持框132a、132b之间的基板120可被涂覆的涂覆区域。可以例示性地将两个保持框132a、132b以以下方式设置：使得所述保持框132a、132b覆盖或遮挡(遮蔽)基板120的被定位在两个保持框132a、132b之间的至少一个外围部分。如图1所示，在基板保持装置100中可以容纳基板120，例如晶片，例如半导体晶片，例如硅晶片。基板120可以搁置在例如保持框132a的第一(或相应地，下)保持框132a上；基板120例如可以通过基板120的外围区域的全部圆周搁置在下保持框132a上。可替代地，在基板120的外围区域中的基板120(例如相应地，在有角的基板的情况下，通过其角落)还可以仅部分地搁置在下保持框132a上。下保持框132a可以具有用于放置基板120的水平(或相应地，平面的)支撑表面。换句话说，下保持框132a可以提供用于放置基板120的搁置平面。在需要仅对基板120的一侧进行处理的情况下，保持框可以被配置为封闭的保持板，例如，使得基板的一侧完全被覆盖(或相应地，被遮蔽)。可以在第二(或相应地，上)保持框132b与基板120之间保留狭窄间隙，例如具有在从约0.1mm至约0.5mm范围中的间隙高度(沿方向105)，或者具有小于500μm、400μm、300μm、200μm、或100μm的间隙高度。在这种情况下，因此例如还需要用于基板保持装置100的保持框132a、132b的微小生产容差。基板保持装置100可以以以下方式被适应性调整，使得任意厚度的(比如在从约0.1mm至约1cm范围中的厚度的)板状基板120可以被容纳在空腔112中。根据各个实施例，两个保持框132a、132b之间的间隙130(也称为用于容纳基板120的容纳空间)可以具有可被适应性调整为待容纳基板120的厚度的间隙高度，例如具有在从约0.1mm至约1mm范围中的间隙高度(沿方向105)，或具有小于1mm、500μm、300μm或200μm的间隙高度。此外，设置在两个保持框132a、132b之间的间隙130可以适于基板120(在方向103上)的宽度(例如直径或侧向伸展度)。两个保持框132a、132b和空腔112可以例示性地被适应性调整为使得基板120侧向地暴露，也就是说，使得基板120在侧向上不与第一保持框132a和第二保持框132b邻接。在本文上下文中，基板保持装置100可以设置为使得不同保持框132a、132b可以用于不同基板厚度的基板120。上保持框132b例示性地应当不物理地接触基板120。此外，基板保持装置100可以设置为使得不同的保持框132a、132b可以用于具有不同基板直径或基板宽度的基板120。毫无疑问，基板直径或基板宽度可以例示性地由空腔112的宽度来限定。下面将描述基板保持装置100的各种修改和配置以及关于空腔112和关于保持框132a、132b的细节，其中，可以以类似方式包括在图1的上下文中已描述的基本特征和操作模式。此外，下文中描述的特征和操作模式可以以类似方式应用于图1中描述的基板保持装置100或者与在图1中描述的基板保持装置100相结合。图2视觉化示出根据各个实施例的在示意性截面图中的基板保持装置100，其中上保持框132b和/或下保持框132a被倒角化，或换句话说，可以具有倒角234a、243b。根据各个实施例，下和/或上保持框132b、132a的内圆周壁可以具有倒角234a、234b。因此，可以例如以更均质的方式涂覆基板120，因为例如不会发生或仅发生微小的由保持框132a、132b导致的基板120的阴影。此外，上保持框132b可以被适应性调整为使得所述上保持框132b完全覆盖下保持框132a。因此，下保持框132a例如不能从上方被涂覆。此外，可以在下保持框132a与承载板102之间设置空间201或间隙201，使得下保持框132a例示性地以侧向游隙(lateralplay)悬浮在空腔中。因此，下保持框132a可以从承载板102解耦，使得例如没有弯曲应力从承载板102传递到下保持框132a并因此传递到基板120。根据各个实施例，承载板102可以具有用于以对中方式保持下保持框132a的对中结构。图3视觉化示出根据各个实施例的在示意性截面图中的基板保持装置100，其中两个保持框132a、132b具有公共的对中结构336，使得当下保持框132a被插入空腔112中并且上保持框132b被放置在下保持框132a上时，两个保持框132a、132b搁置在相互预定的位置中。两个保持框132a、132b可以例示性地具有以形状配合方式相互咬合的部分和/或空腔。因此，两个保持框132a、132b还不会沿方向103侧向地彼此错位。本文的上保持框132a例如专门通过地心引力被固定。换句话说，不需要两个保持框132a、132b的相互夹紧。例如，这实现了保持框132a、132b和基板120的更简单的分别到承载板102中的加载和从承载板120的卸载。如图3视觉化地示出，两个保持框132a、132b可以具有相互成对匹配的多个对中结构336，使得当上保持框132b放置到下保持框132a上时，两个保持框132a、132b可以相互对中，或者移动到相互预定义的位置。图4a视觉化示出根据各个实施例的在示意性平面图中的基板保持装置100。承载板102中的空腔112例如可以基本上是长方盒形状的，因此(例如在从上方观看时)具有四个角落区域412e。可替代地，承载板102中的空腔112可以具有任何其他适当的形状，例如适应于基板120的形状和/或两个保持框132a、132b的形状。例如，空腔112可以具有基本上长方盒形状的内轮廓412i，其具有四个内角部分412e。例如，两个保持框132a、132b可以具有基本上长方盒形状的具有四个外角部分的外部轮廓，以与空腔112匹配。根据各个实施例，两个保持框132a、132b在保持框132a、132b的相应四个外角部分中可以分别具有相互成对地匹配的对中结构(例如参见图6a)。此外，第一保持框132a可以仅在空腔112的角落部分412e中搁置在承载板102上。如在图4b中的基板保持装置100的承载板102的示意性平面中视觉化示出的那样，可以在承载板102中一个挨一个地设置多个空腔112，以使得多个基板120被保持。方向101在本文中可以是运送方向101，沿着运送方向101，可以在用于处理多个基板的处理组件中运送基板保持装置100，其中，可以至少沿着横向于运送方向101的宽度方向103来一个挨一个地布置多个空腔。因此，承载板102可以具有至少两个保持区域402h(或相应地，保持部分402h)，其中可以承担或支撑承载板102以使得承载板102连同承载板102中保持的基板120一起被运送(参见图6b)。以类似于图4b中示出的承载板102的方式，基板保持装置100因此可以具有如下：具有一个挨一个布置的多个空腔112的承载板102，其中空腔112的每一个适于容纳本文所述的第一保持框132a和第二保持框132b，其中承载板102具有可以支撑承载板102以用于运送承载板102的两个保持区域402h，其中一个挨一个布置的多个空腔112被布置在两个保持区域402h之间。图5a视觉化示出根据各个实施例的在示意性截面图中(例如在横向于方向103(例如参见图4a和图4b)的截面图中)的基板保持装置100，其中，相应的基板保持装置100在方向107上的截面图被视觉化在图5b中。以类似于上文已描述的方式，在图5b中例示性地视觉化示出在两个保持框132a、132b的外角区域532e中的对中元件336。例如，下保持框132a在每个外角部分532e中可以具有对中空腔，例如通孔。此外，在每个外角部分532e中的上保持框132b例如可以具有与下保持框132a中的对中空腔匹配的对中凸起。本文的对中凸起可以具有例如圆锥形部分，使得对中凸起可以更容易地被引入例如圆柱形对中空腔中。图5c视觉化地示出根据各个实施例的在示意性截面图中的基板保持装置100，例如在横向于方向103(例如参看图4a、图4b和图5a)的截面图中的基板保持装置100。根据各个实施例，上保持框132b可以被倒角化(或例示性地朝向空腔112被削角)。换句话说，上保持框132b可以具有倒角234b。此外下保持框132a也可以被倒角化(或例示性地朝向空腔112被削角)。换句话说，下保持框132a可以具有倒角234a。根据各个实施例，下和/或上保持框132a、132b的相应内圆周壁可以具有倒角234a、234b。因此可以例如以更均质的方式涂覆基板120，因为例如不会发生或仅发生微小的由保持框132a、132b导致的基板120的阴影。根据各个实施例，下保持框132a可以仅通过其外角部分532e搁置在承载板102上，参见图5b和图6。图6视觉化地示出根据各个实施例的在示意性细节透视图中的基板保持装置100的相应保持框132a、132b，其中两个保持框132a、132b在其外角部分532e中具有相互成对匹配的多个对中元件，使得当第二保持框132b放置在第一保持框132a上时，两个保持框132a、132b相互对中。两个框开口132可以在两个保持框132a、132b相互对中时被呈现为叠合。例如可以按照在下保持框132a中的圆柱形对中空腔632a以及在上保持框132b中的与对中空腔632a匹配的对中凸起632v的形式来设置相互成对匹配的对中结构。可替代地，相互成对匹配的对中结构可以具有任何其他任意适当的对中元件。例如，可以在下保持框132a中和上保持框132b中设置相互成对匹配的对中轮廓632k。相互成对匹配的对中结构例示性地形成至少两个方向上的形状配合，例如：沿方向105，以便上保持框132b被放置到下保持框132a上；以及沿方向103和/或107，以便两个保持框132a、132b的位置相对于彼此侧向地对中。图6b视觉化示出根据各个实施例的在示意性截面图中的用于运送基板保持装置100的基板运送装置600。根据各个实施例，基板运送装置600可以具有用于运送基板保持装置100的运送系统，其中运送系统具有两个保持元件712，使得基板保持装置100的承载板102相应地仅在两个保持区域402h中被保持或支撑。可以借助于例如运送辊、链、条或其他适当的运送系统来执行被支撑在保持元件712上的承载板102的运送。例如，凭借承载板102的支撑，后者可以弯曲，例如在承载板102的中心具有最大弯曲度705。凭借从承载板102去耦以便对相应基板进行保持的保持框组件702，承载板102的弯曲度705不会对基板造成任何负面影响，如上文所述。为了使相应基板120被容纳在两个保持框132a、132b之间，相应的保持框组件702可以具有本文所述的两个保持框132a、132b。本文所述的基板运送装置600可以用于将多个基板120运送和/或定位到处理腔室中(例如真空腔室、或大气压腔室、或正压腔室中)。本文的处理腔室可以具有一个或多个处理装置(例如涂覆装置)，以便多个基板120在处理腔室的处理区域(例如涂覆区域)中在一侧或在两侧上被处理(例如被涂覆)。例如磁控管可以用作涂覆装置。此外，电子束蒸发器可以用作涂覆装置。例如，在一侧上被支撑的运送辊可以用在承载板102的两侧上以用于运送承载板102通过处理腔室。此外，承载板102还可以被插入另一载具中，或者借助于另一载具来运送。图7视觉化示出根据各个实施例的在示意性流程图中的用于处理基板120的方法700，其中所述方法700可以包括以下步骤：在步骤810中，将第一保持框132a插入承载板102的空腔112中，其中第一保持框132a具有用于放置基板120的平面支撑表面；在步骤820中，将基板插到第一保持框的平面支撑表面上；以及在步骤830中，将第二保持框放置到第一保持框上，其中两个保持框132a、132b(第一和第二保持框)被调整以使得基板120布置在两个保持框132a、132b之间，其中，在第二保持框132b与基板120之间保留了间隙，使得基板120仅搁置在第一保持框132a上。本文的第一保持框132a和/或第二保持框132b的相应的插入和放置可以借助于磁性夹具或抽吸夹具来执行。为此，第一保持框132a和/或第二保持框132b可以具有其中磁性夹具或抽吸夹具可以牢固地保持相应保持框132a、132b的相应区域。下遮罩132a可以相应地首先插入基本载具102中。一旦下遮罩132a已被插入基本载具102中，晶片120就可以进行搁置(例如，相应地，相对于基本载具102或下遮罩132a的侧向外围在所有周围具有小间隙)。接着，上遮罩132b可以进行搁置。例如，本文中上遮罩132b不会接触晶片120的表面。一旦已完成了要借助于基板保持装置100进行载送的所有晶片120的这一过程，例如可以开始pvd工艺。例如，借助于相对于基板120在侧向上及在上方保留的间隙，在基板保持装置100通过锁进入真空腔室时可以支持有效的排空，这是由于没有气体体积被捕获到。例如，可以如加载过程一样执行卸载过程，但是以相反的次序，其中下遮罩132a可以潜在地永久保留在基本载具102中。根据各个实施例，所有部件可以适合于晶片120以及其遮罩132a和132b的完全自动加载和/或卸载。根据各个实施例，可以在清洁所有部件时(例如在通过湿式化学法或干冰喷击进行清洁时)执行对基板保持装置100进行的基板120的加载。根据各个实施例，可以仅通过下保持框132a来支撑上保持框132b。此外，下保持框132a可以松散地(例如以侧向不固定的方式)搁置在承载板102上，其中下保持框132a的部分可以延伸到承载板102的空腔112中。根据各个实施例，提供了一种基板保持装置100，其实现了生产系统中晶片损坏风险的降低以及灵活的遮罩设计和简单的维护。此外，由于精度集中在小部件上(即是说，例示性地例如在保持框132a、132b上)而不是整个承载板102上，因此基板保持装置100具有低生产成本。此外，可以实现准确的遮罩对中，实现了在要涂覆基板的情况下更高的效率。此外，载具移动的影响可以如上所述借助于基板保持装置100而从晶片去耦。此外，由于借助于精确的形状配合来执行遮罩的对中，因此提高了工艺的可靠性。根据各个实施例的示例描述如下：示例1a.基板保持装置100具有：承载板102，其具有空腔112，用于借助于空腔112中的第一保持框132a和第二保持框132b来保持基板120，其中空腔112从承载板102的上侧102a延伸通过承载板102到达承载板102的下侧102b；其中，被插入空腔112中的第一保持框132a部分地搁置在承载板102上，并且其中，第二保持框132b部分地搁置在第一保持框132a上，并且其中，两个保持框132a、132b被适应性调整为使得在被布置在空腔112中时在两个保持框132a、132b之间设置了用于容纳基板120的外围部分的容纳空间130。示例2a.根据示例1a的基板保持装置，其中两个保持框132a、132b被适应性调整为使得当第二保持框132b被放置在第一保持框132a上时所述两个保持框132a、132b以形状配合的方式相互咬合。示例3a.根据示例2a的基板保持装置，其中，两个保持框132a、132b具有相互成对匹配的多个对中结构336，使得当第二保持框132b被放置在第一保持框132a上时，两个保持框132a、132b相互对中。示例4a.根据示例1a至3a中任一个的基板保持装置，其中，两个保持框132a、132b的相应内圆周壁具有倒角。示例5a.根据示例1a至4a中任一个的基板保持装置，其中，空腔112基本上是长方盒形状的并且具有四个角落区域，并且其中，第一保持框132a仅在空腔112的角落区域中搁置在承载板102上。示例6a.根据示例5a的基板保持装置，其中两个保持框132a、132b以与空腔112匹配的方式具有包括四个外角部分的基本上长方盒形状的外部轮廓，并且其中两个保持框132a、132b在四个外角部分中相应地具有相互成对匹配的对中结构。示例7a.基板保持装置100具有：承载板102，其具有一个挨一个布置的多个空腔112，其中用于保持基板的空腔112中的每一个被借助于第一保持框132a和第二保持框132b而适应性调整，并且从承载板102的上侧102a延伸通过承载板102到达承载板102的下侧102b，并且其中在空腔112的每一个中，第一保持框132a部分地搁置在承载板102上，第二保持框132b部分地搁置在第一保持框132a上，其中两个保持框132a、132b被适应性调整以使得当被布置在相应空腔112中时在两个保持框132a、132b之间设置了用于容纳基板120的外围部分的容纳空间130；其中承载板102具有两个保持区域402h，可以在该两个保持区域402h处支撑承载板102以用于运送承载板102，其中一个挨一个地布置的多个空腔112被布置在两个保持区域402h之间。示例8a.基板运送装置具有：根据示例7a的基板保持装置100；和用于运送基板保持装置100的运送系统，其中运送系统具有两个保持元件712以使得基板保持装置100的承载板102仅在两个保持区域402h中被保持。示例9a.处理组件具有：处理腔室，用于在处理腔室的处理区域中处理多个基板120的两侧；以及根据示例8a的基板运送装置，用于在处理区域中运送和/或定位多个基板120。示例10a.用于处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：将用于保持基板的第一保持框132a插入承载板102中的空腔112中，其中第一保持框132a具有用于放置基板120的平面支撑表面；将基板120插到第一保持框132a的平面支撑表面上；以及将第二保持框132b放置到第一保持框132a上，其中两个保持框132a、132b被适应性调整以使得基板120布置在两个保持框132a、132b之间，其中在第二保持框132b与基板120之间保留了间隙以使得基板120仅搁置在第一保持框132a上。在例如执行诸如阴极蒸发之类的涂覆工艺(所谓的溅镀或磁控溅镀)的真空系统中，可以在两侧上对晶片和小面积的基板进行处理(例如涂覆)。也就是说，可以在方法周期内对同一个基板进行两侧上的处理。例如，这样的构思被用于光伏器件中，例如hjt(异质结技术)太阳能电池的蜂窝构思中。异质结技术代表利基市场，并且根据预测将在2020年占据整个c-si(单晶硅)市场的大约5％，并且在2030年占据大约10％。然而，其他蜂窝构思可以实现更大的经济地位，比如，例如ibc(背电极接触)太阳能电池、wt(穿孔卷绕)太阳能电池、(铝)bsf(背面场)太阳能电池、perc(钝化发射极和背面电池)太阳能电池、perl(钝化发射极背面局部扩散)太阳能电池、或pert(钝化发射极背面完全扩散)太阳能电池。然而，这些蜂窝构思仅要求基板(例如晶片)的一侧的处理。根据各个实施例，提供了用于处理c-si基板的处理组件。例如，处理组件可以具有材料气相源，例如用于pvd(物理气相沉积)的材料气相源。例如，基板的反面(或者相应地电池的反面)的处理可以借助于用于所述蜂窝构思的处理组件来执行，例如以便在基板的反面上形成金属镀层(metallizing)，例如pvd金属镀层。根据各个实施例，提供了一种处理组件(例如真空系统)，其适应于以双面方式对待(处理)具有例如晶片或小面积基板的基板堆叠(例如一对基板)，而例如无需任何附加的机械处置(比如翻转基板)，和/或无需真空中的间歇。本文采用的基板保持装置(也被称为载具或托盘)可以具有多个空腔、多个上遮罩、和多个下遮罩，其相应的上遮罩和在每种情况下的下遮罩形成了保持框对，其布置在载具的多个空腔的一个空腔中并且保持基板堆叠(例如一对基板)。与传统涂层(例如使用粘合剂的金属镀层)相反，根据各个实施例，提供了涂层(和用于产生涂层的方法)，例如pvd金属镀层(也就是说使用pvd形成的金属镀层)，例如用于产生反面镀有金属的太阳能电池，其至少具有以下性质：1.)对位于其下方的表面、层和/或层系统的较低(例如化学)腐蚀性；2.)对位于其下方的表面、层和/或层系统的较低接触电阻(也被称为r串联或串联电阻)；3.)沿着层的平面的较低电阻(也被称为侧向电阻或r分流)，例如是因为涂层配置为较纯并且具有较低孔隙度；4.)例如关于升起来的最大温度和在该温度处的驻留时间的较少热应力；5.)较低能量损失；6.)在电池效率方面较少的减损。例如，根据各个实施例，例如当使用pvd时可以实现较高的电池效率。当pvd与伏打技术(电镀)结合时出现了进一步的在成本方面的优点。本文中，通过pvd沉积种子层(也被称为晶种层)，所述种子层随后通过伏打技术被加强到预定义(例如最佳)的层厚度。还可以在其他半导体技术中使用结合了伏打技术的种子层。根据各个实施例，可以经济地采用c-si基板领域中的基于真空的处理技术。例如，可以提供成本有效的pvd方法以用于待涂覆的c-si基板(例如c-si晶片)。根据各个实施例，例如，当使用本文所述的基板保持装置时，沉积种子层的每基板(例如每晶片)的处理成本可以低于约4分。在所生产的太阳能电池的潜在功率输出(例如每基板约5.3瓦)方面，这对应于每瓦特峰值(所生产的太阳能电池的电输出)的处理成本约0.76分。每瓦特峰值小于2.7分的用于(例如通过铝)形成反面金属镀层的处理成本可以被认为是经济的。根据各个实施例，减少了总操作成本。尽可能高的基板数量例示性地可以被以尽可能短的系统长度处理并且具有最小化的外围。因此，可以实现尽可能高的系统利用率。根据各个实施例，提供了用于将系统利用率最大化的基板保持装置和方法，其被适应性调整以使得可以相应地在一侧上处理每方法周期的最大数量的基板(例如晶片)。例如，使用pvd材料源(溅镀系统)，可以实施例如具有水平对准的基板保持装置(上下配置)或相反地垂直对准的基板保持装置(右/左配置)的多个处理步骤。例如，根据各个实施例的基板保持装置可以实现约108个基板的基板负载因数。例如，根据各个实施例的处理组件可以实现每小时约9000个基板的吞吐量，这对应于每年约72·106个基板，或每基板5.3w峰值，相应地对应于每年约381.6mw峰值。水平地(或垂直地)对准的被运送的基板保持装置可以每个基板容纳空腔均(也被称为基板支撑件)容纳两个基板。第一基板可以在一侧上通过pvd材料源例如从下方进行处理，而第二基板可以在一侧上通过另一pvd材料源例如从上方进行处理。这可以同时或顺序地执行。为了通过真空技术或出于气体解吸的目的进行抽吸，基板保持装置可以具有例如能够进行pvd、并且例示性地在进行涂覆时不会堵塞或相应地可以离位清洁的机械管道。基板保持装置的部分能够但不是必须以整块方式集成在承载板中。承载板和(例如多部分的)基板保持装置可以是模块化的。相应地，保持框(或中间形成件，例如上框)可以在两个基板之间被适应性调整以使得可以对外围超过(在外围区域中的)基板边缘的处理(或影响)进行防止或最小化。该保持框可以可选地被适应性调整以使得所述保持框被用作附加的散热器。在这种情况下，该保持框可以热耦合到第一基板和/或第二基板，并且该保持框可以可选地热耦合到承载板。为了实现所需的热耦合，该保持框与第一基板和/或第二基板或可选地承载板之间的接触面分别可以对应地被适应性调整得较大。基板保持装置可以可选地每腔室具有盒体，其使得将至少一个基板放置于其中(例如将两个基板放置于其中)的至少一个盒体(例如两个盒体)能够被插入到承载板中。根据各个实施例，可以纯通过机械搁置或夹紧来专门保持两个基板。在承载板例如水平通过的情况下，例如在对具有朝下(在其第二侧上)的处理面的基板进行涂覆的情况下，例如在pvd涂覆中因支撑表面之故而出现有意或无意地保持未被处理的外围部分。相应地，覆盖框可以被放置在基板上或集成在基板中，以便实现未处理的外围部分，或者作为防脱保障。图8a视觉化示出根据各个实施例的(横向于运送方向截取的和/或横向于例如承载板面而截取的)示意性截面图中的基板保持装置100。基板保持装置100可以具有承载板102。承载板102可以具有至少一个空腔112，以使得例如下框132a(第一保持框132a)和上框132b(第二保持框132b)可以被容纳或至少部分地容纳在空腔112中，以便第一基板120a在空腔112中被保持在两个保持框132a、132b之间，并且以便第二基板120b在空腔112中被保持在上框132b上(或相应地在第一基板120a上方)。根据各个实施例，承载板102在尺寸方面可以适应于待容纳的基板120a、120b的数量和大小以及用于处理基板120a、120b的处理组件(参见图11a至图11c)的大小(例如涂覆宽度和/或锁的长度)。例如，承载板102(也被称为基本载具102)可以定位和/或保持多个基板堆叠120a、120b(例如晶片堆叠)以用于pvd涂覆。此外，基板保持装置100可以具有被插入空腔112中的第一保持框132a和被插入空腔112中的第二保持框132b。第一保持框132a可以至少部分地搁置在承载板102上(例如在其支撑表面上)。第二保持框132b可以至少部分地搁置在第一保持框132a上(例如在其上侧上)。两个保持框132a、132b(保持框对132a、132b)可以被适应性调整以使得在两个保持框132a、132b之间设置用于容纳第一基板120a的外围部分的容纳空间130(例如间隙130)。两个保持框132a、132b可以例示性地被设置为使得被插入其中的两个基板120a、120b(也就是说其彼此面对的面140a，即第一基板120a的第一侧140a和第二基板120b的第一侧140a)至少部分地相互覆盖或遮挡(遮蔽)。根据各个实施例，两个保持框132a、132b可以被适应性调整为使得至少部分地暴露第一基板120a的第二侧140b(例示性地，其下侧140b)，并且至少部分地暴露第二基板120b的第二侧140b(例示性地，其上侧140b)。换言之，可以至少部分地暴露基板120a、120b(即基板堆叠)的彼此背向的那些侧140b。两个保持框132a、132b可以例示性地被设置为使得所述两个保持框132a、132b覆盖或遮挡(遮蔽)第一基板120a的位于两个保持框132a、132b之间的至少一个外围部分。第一基板120a可以是晶片，例如半导体晶片，例如硅晶片，例如在基板保持装置100中。例如，第一基板120a可以搁置在第一保持框132a上，例如第一基板120a可以通过第一基板120a的外围区域沿着整个圆周被搁置在第一保持框132a上。可替代地，第一基板120a还可以仅部分地在第一基板120a的外围区域中(例如相应地，在有角的基板的情况下通过角落)被搁置在第一保持框132a上。第一保持框132a可以具有用于放置第一基板120a的水平(或相应地，平面)的支撑表面。换句话说，第一保持框132a可以提供用于放置第一基板120a的支撑表面。例如，第二基板120b可以是晶片，例如半导体晶片，例如硅晶片。例如，第二基板120b可以搁置在第二保持框132b上，例如第二基板120b可以通过第二基板120b的外围区域沿着整个圆周被搁置在第二保持框132b上。可替代地，第二基板120b还可以仅部分地在第二基板120b的外围区域中(例如相应地，在有角的基板的情况下通过角落)被搁置在第二保持框132b上。第二保持框132b可以具有用于放置第二基板120b的水平(或相应地，平面)的支撑表面。换句话说，第二保持框132b可以提供用于放置第二基板120b的支撑表面。第一基板120a的外围部分例如可以与第一保持框132a的支撑表面接触。第一基板120a的外围部分在涂覆期间在这种情况下可以不共同地被涂覆。按照类似方式，第二基板120b的外围部分可以与第二保持框132a的支撑表面接触。下面将描述基板保持装置100的各种修改和配置以及关于空腔112和保持框132a、132b的细节，其中可以以类似方式包括已在图8a的上下文中描述了基本特征和操作模式。此外，下文描述的特征和操作模式可以以类似方式应用于图8a中描述的基板保持装置100或者与在图8a中描述的基板保持装置100相结合。根据各个实施例，两个保持框132a、132b之间的间隙130(也称为用于容纳第一基板120a的容纳空间)可以具有可以适应于待容纳的第一基板120a的厚度的间隙高度，例如具有从约0.1mm至约1.5mm的范围内的间隙高度(沿方向105)，或具有小于1cm、0.5cm、1mm、500μm、300μm或200μm的间隙高度。可以通过第一保持框132a的支撑表面来对朝向底部的间隙130(沿方向105)进行定界。因此，可以在第二保持框132b与第一基板120a之间保留狭窄间隙，例如具有例如从约0.1mm至约5mm的范围内的间隙高度(沿方向105)，或者具有小于1mm、500μm、400μm、300μm、200μm或100μm的间隙高度，例如具有根据凹陷的间隙高度。在这种情况下，因此例如还要求用于基板保持装置100的保持框132a、132b的微小生产容差。基板保持装置100可以被适应性调整为使得在空腔112中可以容纳任意厚度(比如在从约0.1mm至约1cm的范围内的厚度)的基板120a、120b。例如，基板120a、120b可以是板状的。例如，第一保持框132a的支撑表面(和/或间隙130)可以借助于第一保持框132a中(例如在其上侧上)的凹陷来设置。换句话说，支撑表面可以例如相对于其上侧而下沉。凹陷可以具有比第一基板120a的侧向延伸度(基板直径或基板宽度)大的侧向延伸度，和/或比第一基板120a的基板厚度大的深度(即，进入第一保持框132a中的延伸度)。凹陷可以具有从约0.1mm至约5mm的范围内的深度，或者小于1mm、500μm、400μm、300μm、200μm或100μm的深度。换句话说，设置在两个保持框132a、132b之间的间隙130可以适应于第一基板120a(在第一方向103上)的宽度(例如，直径或侧向延伸度)。两个保持框132a、132b和空腔112可以例示性地被适应性调整以使得侧向暴露第一基板120a，即，换句话说，第一基板120a不会侧向邻接于第一保持框132a和第二保持框132b。可以通过第一保持框132a的支撑表面来对朝向底部的凹陷(沿方向105)进行定界。第二保持框132b的支撑表面可以可选地借助于第二保持框132b中(例如在其上侧102a上)的凹陷来设置。换句话说，支撑表面例如可以相对于其上侧而下沉。凹陷可以具有比第二基板120b的侧向延伸度(基板直径或基板宽度)大的侧向延伸度，和/或比第二基板120b的基板厚度大的深度(即，进入第二保持框132b中的延伸度)。凹陷可以具有从约0.1mm至约5mm的范围内的深度，或者小于1mm、500μm、400μm、300μm、200μm或100μm的深度。换句话说，凹陷可以适应于第二基板120b(在第一方向103上)的宽度(例如，直径或侧向延伸度)。第二保持框132b和空腔112可以例示性地被适应性调整以使得侧向暴露第二基板120b，即，换句话说，第二基板120b不会侧向邻接于第二保持框132a。可以通过第一保持框132a的支撑表面来对朝向底部的凹陷(沿方向105)进行定界。在本上下文中，基板保持装置100可以被设置为使得不相同的保持框132a、132b可以用于不相同的基板厚度的基板120a、120b。此外，基板保持装置100可以被设置为使得不相同的保持框132a、132b可以用于具有不相同的基板直径或基板宽度的基板120a、120b。承载板102可以具有上侧102a(相应地，上表面)和下侧102b(相应地，下表面)。两个表面102a、102b可以(例如至少部分地)彼此平面平行。承载板102沿方向105(垂直于两个表面102a、102b)具有从约1mm至约20mm的范围内的厚度，例如从约2mm至约10mm的范围内的厚度。根据各个实施例，承载板102可以包括以下中至少一个或者由以下中至少一个形成：金属，例如钛、钢(例如不锈钢)；半金属，例如碳。可替代地或附加地，承载板102可以包括复合材料或者由复合材料形成。承载板的上侧和/或承载板的下侧可以配置成平面的(水平的)，例如彼此平面平行。承载板的上侧和/或承载板的下侧可以可选地被涂覆。根据各个实施例，承载板102沿方向103(沿承载板面，例如与两个表面102a、102b平行)可以具有从约10cm至约5m的范围内的宽度，例如从约1m至约3m的范围内的宽度。此外，承载板102(沿承载板面，例如与两个表面102a、102b平行)横向于宽度方向103可以具有从约10cm至约5m的范围内的长度，例如从约0.1m至约2m的范围内的长度。例如，承载板102可以沿着其长度被运送。如图8a视觉化所示，例如，第二保持框132b或相应地其上侧可以被设置为例如与承载板102的上侧102a齐平，即，例示性地与所述上侧102a共同终止。第一保持框132a或相应地其下侧可以被设置为例如与承载板102的下侧102b齐平，即，例示性地与所述下侧102b共同终止。下基板可以例示性地搁置在下保持框(也称为下框)上，并且上基板可以搁置在上保持框(也称为上框)上，其中下框和上框彼此相叠。例如，下基板不能直接与上框物理接触(也就是说，以与上框间隔开的方式搁置在下框上)。本文中基板保持装置可以被适应性调整以使得上框和/或下框在被插入到承载板的相应空腔中时在承载板中对中，并且采取预定义的位置和/或对准(以相互的方式，或相对于承载板)。本文中上框和/或下框可以以整块的方式连接到承载板。换句话说，两个框中的至少一个可以配置成承载板的一部分。可替代地，上框和/或下框可以被插入到承载板的相应空腔中。图8a视觉化示出在根据各个实施例的方法中的基板保持装置100。根据各个实施例，该方法可以包括以下步骤：将用于保持第一基板120a的第一保持框132a插入承载板102中的空腔112中，其中第一保持框132a具有用于放置第一基板120a的(例如平面的)支撑表面；将第一基板120插入空腔112中以到第一保持框132a的平面支撑表面上；将用于保持第二基板120b的第二保持框132b插入承载板102中的空腔112中，其中第二保持框132b具有用于放置第二基板120b的(例如平面的)支撑表面；将第二基板120b插入空腔112中以到第二保持框132b的(例如平面的)支撑表面上。第一保持框132a和/或第二保持框132b可以可选地被适应性调整以使得第一基板120a至少部分地布置在两个保持框132a、132b之间。第一保持框132a和/或第二保持框132b可以可选地被适应性调整以使得第二保持框132b与第一基板120a之间保留有间隙。第一保持框132a和/或第二保持框132b可以可选地被适应性调整以使得第一基板120a仅搁置在第一保持框132a上。第一保持框132a和/或第二保持框132b的插入可以可选地借助于磁性夹具或抽吸夹具(也被称为真空夹具)来执行。为此，可以在第一保持框132a和/或第二保持框132b上设置夹具可以耦接到的咬合面。第一保持框132a可以具有穿透前者的空腔132，并且例如至少部分地暴露第一基板120a的下侧。第二保持框132a可以可选地具有穿透前者的空腔132，并且例如至少部分地暴露第二基板120b的下侧。第一保持框132a和/或第二保持框132a可以配置成盒体的一部分。盒体可以例示性地配置成将预配置的第一基板120a和/或第二基板120b(例如每个基板已被放置在相应的保持框132a、132b中)布置在空腔112中，例如结合地两个基板120a、120b(即成对)和/或结合地两个保持框132a、132b(即成对)。图8b视觉化地示出在示意性截面图中的根据各个实施例的基板保持装置100(类似于图8a)。如在例如图8b中视觉化所示的那样，保持框132a、132b可以突出于承载板102的上侧102a(和/或下侧102b)以外。可替代地，例如保持框132a、132b还可以与承载板102齐平地设置，例如与其上侧102a和/或其下侧102b齐平。此外，基板保持装置100可以具有插入空腔112中且至少部分地搁置在承载板102上(例如在其上侧102a上)的第一保持框132a。此外，基板保持装置100可以具有插入空腔112中且至少部分地搁置在第一保持框132a(例如在其上侧上)的第二保持框132b。根据各个实施例，第二保持框132b可以至少部分地放置在第一保持框132a中的凹陷中，例如以便以形状配合的方式进行匹配，也就是说，插配合(plug-fitable)。由此可以定义两个保持框132a、132b相对于彼此的位置。根据各个实施例，两个保持框(也就是上框132b和下框132a)在已被插入承载板102的空腔112中时或者已被放置于其上时可以例如借助于成对匹配的对中结构而以对中方式被保持在空腔112中。图9a视觉化示出在(例如沿运送方向截取和/或沿关于承载板面截取的)示意性截面图或(在横向于运送方向的方向上观看和/或横向于承载板面的方向上观看的)示意性平面图中的根据各个实施例的基板保持装置200a。如在图9a中视觉化示出的，第一保持框132a可以布置在空腔112中。第一保持框132a可以具有穿透前者的空腔132。如在图9a中视觉化示出的，空腔112和空腔132可以基本上是长方盒形状的。采用与承载板102的空腔112匹配的方式的第一保持框132a和/或第二保持框132b可以可选地具有基本上长方盒形状的具有四个角落区域的外轮廓。第一保持框132a和第二保持框132b在四个角落区域中可以可选地每个均具有相互成对匹配的对中结构。根据各个实施例，第一保持框132a可以例如仅在空腔112的角落区域中(参见图9e和图9f)、仅在空腔112的边缘区域中(参见图9b和图9c)、或者可替代地在空腔112的角落区域和边缘区域中(参见图9d)而被仅搁置在承载板102的支撑表面上。这可以实现例如在承载板102(例如沿承载板102的宽度)弯曲时两个保持框132a、132b在空腔112中的更好稳定性。以类似方式，第一基板120a可以例如仅在空腔132的角落区域中(参见图9e和图9f)、仅在空腔132的边缘区域中(参见图9b和图9c)、或者可替代地在空腔132的角落区域和边缘区域中(参见图9d)而被仅搁置在第一保持框132a的支撑表面上。如果第二保持框132b具有空腔，则后者可以以类似于空腔132的方式来形成。在该情况下，第二基板120b可以例如仅在第二保持框132b的空腔的角落区域中(参见图9e和图9f)、仅在第二保持框132b的空腔的边缘区域中(参见图9b和图9c)、或者可替代地在第二保持框132b的空腔的角落区域和第二保持框132b的空腔的边缘区域中(参见图9d)而被仅搁置在第二保持框132b的支撑表面上。当从方向105观看时，承载板102中的空腔112和/或保持框132a、132b中的空地132可以为圆形、方形(参见图9a至图9e)或任意多边形。承载板102中的空腔112和/或保持框中的空腔132的形状可以适应于待容纳的基板120a、120b的外轮廓；例如，承载板102中的空腔112和/或保持框中的空腔132可以基本上为用于容纳圆形晶片的圆形或者用于容纳方形晶片(例如具有圆角或切角)的方形(例如具有圆角或切角)。图9b至图9f以类似于图9a的方式分别视觉化地示出在示意性截面图或示意性平面图中的根据各个实施例的第一保持框132a和/或第二保持框132b以及/或者根据各个实施例的承载板102。在图9b至图9f中例示性地视觉化示出承载板102中的空腔112和/或保持框中的空腔132，所述(多个)空腔延伸通过保持框，例如第一保持框132a、第二保持框132b或第三保持框132c。如在图9b至图9f中视觉化示出的，空腔112、132可以为基本上长方盒形状。如在图9b中视觉化示出的，空腔112、132可以具有其中形成了支撑表面的四个边缘区域。该支撑表面可以借助于例如凸起202来形成。如图9c中视觉化示出的，空腔112、132可以具有其中形成了支撑表面的两个彼此相对的边缘区域。该支撑表面可以借助于例如凸起202来形成。如在图9d中视觉化示出的，空腔112、132可以具有其中形成了支撑表面的四个角落区域。该支撑表面可以例如借助于至少部分地包围空腔112、132的弯折件204来形成。如在图9e中视觉化示出的，空腔112、132可以具有其中形成了支撑表面的四个角落区域。该支撑表面可以例如借助于被中断在每个角落区域中的弯折件204来形成。如在图9f中视觉化示出的，空腔112、132可以具有其中形成了支撑表面的四个角落区域。该支撑表面可以借助于例如凸起202来形成。图10a视觉化示出在(例如沿承载板面截取的)示意性截面图或示意性平面图中的根据各个实施例的基板保持装置300a。根据各个实施例，基板保持装置300a可以具有以下部件：承载板102(也被称为载具或托盘)，其具有一个挨一个地(例如沿承载板102的宽度和/或长度方向)布置的多个空腔112，其中空腔112中的每一个适于容纳第一保持框132a和第二保持框132b，并且从承载板102的上侧102a延伸通过承载板102到达承载板102的下侧102b。基板保持装置300a可以具有多个第一保持框132a和多个第二保持框132b，其中多个第一保持框132a的第一保持框以及多个第二保持框132b的第二保持框相应地形成保持框对，其用于对被布置在承载板102的多个空腔112中的一个空腔112中的基板堆叠120a、120b进行保持。根据各个实施例，承载板102可以具有管道302o(也被称为抽吸管道或中间抽吸特征)形式的通风口。管道302o可以布置在例如多个空腔112中的两个空腔之间。管道302o可以将多个空腔112中的一个空腔(例如第一空腔)连接到承载板102的上侧和/或承载板102的下侧。管道302o可以可选地将多个空腔112中的第一空腔连接到多个空腔112中的第二空腔。管道302o可以例示性地适于对第一管道与第二管道之间的空腔通风。图10b视觉化示出在示意性截面图中的根据各个实施例的基板保持装置300b，例如沿着横截轴303(参见图10a)的细节图301中的基板保持装置300a。根据各个实施例，基板保持装置300b还可以具有用于覆盖第二基板120b的第三保持框132c(第二覆盖框)。例如，第三保持框132c可以配合到(例如可插配合到)第二保持框132b中的空腔中和/或承载板102的空腔中。可以通过管道320o来将形成于第一基板120a与第二基板120b之间的间隙355(空腔355)排空311。管道302o可以例示性地防止两个基板120a、120b之间的气储层的形成。图10b视觉化示出根据各个实施例的方法中的基板保持装置300b。该方法可以包括处理313(第一处理313)的步骤，例如涂覆第一基板120a的下侧。该方法还可以包括处理323(第二处理323)的步骤，例如涂覆第二基板120b的上侧。该方法可选地包括排空311形成于第一基板120a与第二基板120b之间的间隙的步骤。排空311例如可以与第一处理313和/或第二处理323同时地执行。相应的基板堆叠120a、120b可以布置在多个空腔112中。基板堆叠120a、120b中的第一基板(例示性地，下基板)120a可以相应地形成第一基板排层(例示性地，下基板排层)320a。基板堆叠120a、120b中的第二基板(例示性地，上基板)120b可以相应地形成第二基板排层(例示性地，上基板排层)320b。参照图4a，承载板102中的空腔112可以基本上为例如长方盒形状，并且因此(例如当从上方观看时)可以具有四个角落区域412e和四个边缘区域412i。可替代地，承载板102中的空腔112可以具有任何其他适当的形状，例如适于基板120的形状和/或两个保持框132a、132b的形状。参照图4b，在承载板102中可以一个挨一个地设有用于保持多个基板堆叠120a、120b的多个空腔112，例如多于10个空腔112，例如多于20个空腔112，例如多于50个空腔112，例如多于100个空腔112。本文中的方向105可以横向于运送方向，基板保持装置400b可以沿着运送方向在用于处理多个基板堆叠120a、120b的处理组件中被运送。根据各个实施例，多个空腔112可以至少沿着运送方向(例如沿着承载板102的纵向方向101)一个挨一个地(例如成行地)布置。可替代地或附加地，多个空腔112可以至少横向于运送方向(例如沿着承载板102的宽度方向103)一个挨一个地(例如成行地)布置。例如，多个空腔112可以布置成(例如二维)网格。图11a视觉化示出在(例如沿承载板面截取的)示意性截面图中的根据各个实施例的处理组件500a。根据各个实施例，处理组件500a可以具有第一处理装置510a和第二处理装置510b。第一处理装置510a可以适用于相应地对至少第一基板120a或第一基板排层320a进行处理，例如进行涂覆、照射、蚀刻等。第二处理装置510b可以适用于以与第一处理装置510a的方式相同或相似的方式相应地对第二基板120b或第二基板排层320b进行处理，例如进行涂覆、照射、蚀刻等。用于涂覆的第一处理装置510a和/或第二处理装置510b可以包括如下项中的至少一个或由如下项中的至少一个形成：物理材料气相源(用于借助于物理气相沉积进行涂覆)，比如，例如磁控管(也被称为溅镀源，可选地与用于反应溅镀的反应气体源相结合)、激光束蒸发器、电弧蒸发器、电子束蒸发器和/或热蒸发器；或者具有化学材料气相源(用于借助于化学气相沉积进行涂覆)，比如，例如反应气体源，可选地与等离子体源相结合(用于借助于支持等离子体的化学气相沉积进行涂覆)。可替代地或附加地，用于减去材料的第一处理装置510a和/或第二处理装置510b可以包括如下项中的至少一个或由如下项中的至少一个形成：等离子体源、离子束源、或蚀刻气体源。可替代地或附加地，用于照射的第一处理装置510a和/或第二处理装置510b可以包括如下项中的至少一个或由如下项中的至少一个形成：离子束源、电子束源或光源(例如闪光灯泡和/或激光器)。如图11a中视觉化示出的，第一处理装置510a和第二处理装置510b可以被布置为使得所述处理装置510a、510b处理相同的基板堆叠120a、120b。在此情况下，所述处理装置510a、510b的处理区域可以至少部分地互相重叠。例如，第一处理装置510a和第二处理装置510b可以彼此相叠。图11b视觉化示出在与处理组件500a的示意图类似的示意图中的根据各个实施例的处理组件500b。如图11b中视觉化示出的，第一处理装置510a和第二处理装置510b可以被布置为使得所述处理装置510a、510b处理不同的基板堆叠120a、120b。在此情况下，所述处理装置510a、510b的处理区域可以彼此分离开。例如，第一处理装置510a和第二处理装置510b可以被布置为例如沿着运送方向和/或横向于运送方向而彼此偏移。图11a和图11b每个视觉化地示出根据各个实施例的方法中的处理组件500a、500b。该方法可以包括处理第一基板120a的下侧(或相应地，第一基板排层320a的下侧)的步骤。第一基板120a的下侧的处理可以包括以下步骤中的至少一个或由其形成：涂覆、照射、减去、清洁、加热、转换(例如化学地和/或结构性地)、掺杂(例如化学地)、抛光。可替代地或附加地，该方法可以包括处理第二基板120a的上侧(或相应地，第二基板排层320b的上侧)的步骤。第二基板120b的上侧的处理可以包括以下步骤中的至少一个或由其形成：涂覆、照射、减去、清洁、加热、转换(例如化学地和/或结构性地)、掺杂(例如化学地)、抛光。第一基板120a的下侧的处理可以与第二基板120b的上侧的处理相同。可替代地，第一基板120a的下侧的处理可以与第二基板120b的上侧的处理不相同。例如，可以在第一方法周期中清洁第一(例如，上)基板排层，而在第一方法周期中涂覆第二(例如，下)基板排层。第二基板排层在其涂覆时可以与第三基板排层交换，使得已被清洁的第一基板排层可以在第二方法周期中被涂覆，并且第三基板排层可以在第二方法周期中被清洁。因此可以以无缝方式持续进行两级式处理，而不必将处理系统重新装备。这使得处理系统的空间需求能够降低，因此使得固定成本和操作成本能够最小化。当然，还可以例如在基板排层无需通过处理系统两次的情况下执行单级式处理。例如，在顶部的基板(相应地，上基板排层)可以被涂覆第一涂覆材料，并且在底部(相应地，下基板排层)的基板可以被涂覆第二涂覆材料(例如采用第一涂覆材料或其他涂覆材料)。图11c以与处理组件500a的方式类似的方式视觉化示出根据各个实施例的处理组件500c。根据各个实施例，处理组件可以具有以下部件：处理腔室512，其用于在两侧上处理313、323(处理)多个基板堆叠120a、120b；和运送装置522，其用于在处理装置510a、510b的处理区域520(在这里的示例方式中仅示出了一个处理区域)中运送和/或定位多个基板堆叠120a、120b。运送装置522可以具有多个运送辊，例如，所述运送辊的外圆周定义了根据各个实施例的基板保持装置可以被沿其运送的运送面。运送面可以至少部分地以平面方式延伸(在此情况下也被称为运送平面)，和/或至少部分地以曲面方式延伸。为了使承载板102被运送通过处理腔室512，例如可以使用被布置在承载板102的相对两侧上并对后者进行保持(使得例如处理装置可以被布置于其间)的被单侧支撑的运送辊。此外，承载板102还可以被插入另一载具中，或者借助于另一载具被运送。处理腔室512可以适应于作为和/或操作为真空腔室或大气压腔室或正压腔室。处理腔室512可以被适应性调整为使得可以在其中设定和/或调节处理环境(包括工艺压力、工艺气体成分、工艺温度等)。例如，处理器512可以被适应性调整为在压力方面稳定(例如，达至至少1bar的压差)、气密的和/或防尘的。第一基板120a和/或第二基板120b的处理可以以正压(大于1bar)来执行，以约1bar的大气压来执行，以负压(小于1bar)来执行，或者以真空(小于0.3bar)来执行，如高真空(小于1mbar)，例如以高度真空(小于10-3bar)执行，如超高真空(小于10-7bar)。为了设定和/或调节工艺气体成分，可以例如借助于气体馈入来将包括至少一种反应气体和/或操作气体的气体馈送到处理腔室512内部。为了设定和/或调节工艺压力，可以将处理腔室512耦接到具有对处理腔室512的内部进行排空的至少一个增压泵和/或真空泵的泵组件。为了设定和/或调节工艺温度，处理组件500c可以具有加热装置和/或冷却装置，其可以将热能供给处理腔室512内部或至少供给在其中被运送的基板堆叠120a、120b(用于加热)，或者从中抽取热能(用于冷却)。例如，第一基板120a和/或第二基板120b可以被涂覆以下中的至少一个：功能层、抗腐蚀层、光学活性层、保护层、导电层、电隔离层、密封件、种子层、表面抛光层。例如，功能层可以应用于箔或硬金属(例如在电池技术中)。例如，金属涂层和/或电介质材料的涂层可以应用于玻璃(例如眼镜、窗户、移动电话、和/或建筑玻璃)。例如，导电保护层、功能层或抗腐蚀层可以应用于金属箔(例如在燃料电池技术中)。例如，种子层可以应用于晶片(例如在半导体技术中)。例如，种子层可以包括镍(ni)和/或铜(cu)或者由镍(ni)和/或铜(cu)形成。种子层可以随后进一步被通电涂覆，例如以便形成金属层。图12a视觉化示出在示意性流程图中的根据各个实施例的方法1200。方法1200在步骤601中可以包括：将具有第一基板120a和第二基板120b的基板堆叠布置在基板保持装置的容纳区域中，其中第一基板的第一侧面对第二基板的第一侧。第二基板120b的上侧和第一基板120a的下侧可以例示性地被暴露以用于处理。方法1200在步骤603中可以包括：处理第一基板120a的与第一基板120a的第一侧相背的第二侧140b(参见图12b)。方法1200在步骤605中可以进一步包括：处理第二基板120b的与第二基板120b的第一侧相背且与第一基板120a的第二侧140b背向的第二侧140b(参见图12b)。换言之，基板堆叠的彼此背向的两侧140b可以被处理。第一基板120a和/或第二基板120b的插入还可以被称为基板保持装置的加载过程。例如，卸载过程可以如加载过程那样执行，但是以相反的次序执行，其中例如当第一保持框132a连接到承载板102时或者当前者可从后者取回时，第一保持框132a可以可选地例如永久地保留在承载板102中。根据各个实施例，所有部件可以适于基板120a、120b和保持框132a、132b的完全自动加载和/或卸载。根据各个实施例，对基板保持装置加载基板120a、120b可以在清洁所有部分时(例如在通过湿式化学法清洁时或在干冰喷击时)执行。根据各个实施例，可以仅通过第一保持框132a支撑第二保持框132b。可选地，第一保持框132a和/或第二保持框132b可以松散地(例如以侧向悬浮的方式)搁置。图12b视觉化示出在示意性截面图(类似于图8a的截面图)中的根据各个实施例的方法(例如方法1200)中的基板保持装置600b。第二基板120b可以在第一基板120a上或上方例如以精确配合的方式与后者相结合地布置在承载板102的基板容纳空腔112中。第一基板120a可以插入(第一)保持框132a中，或者至少放置在所述(第一)保持框132a的支撑表面上。保持框132a可以以整块的方式连接到承载板102。如图12b中所示，第一基板120a和第二基板120b可以相互(物理)接触。可以可选地在第一基板120a与第二基板120b(参见图8a、图8b或图13b)之间插入另外的保持框132b(第二保持框132b)，例如至少部分地插入基板容纳空腔112中。因此可以实现第一基板120a与第二基板120b之间的间隔，以使得所述基板120a、120b的(在第二基板120b的下侧上以及在第一基板120a的上侧上的)表面不会(例如由于处理而造成)彼此粘附，例如粘附地接合。如图12b中所示，第一基板120a和第二基板120b可以以板状的方式被配置。可替代地，第一基板120a和/或第二基板120b可以以浮凸(embossed)方式被配置(也称为凸显轮廓(profiled))。根据各个实施例，插入第一基板120a和第二基板120b可以同时地(也就是说相结合地，即以基板堆叠120a、120b的方式)执行。例如，第一基板120a和第二基板120b可以以预配置方式被插入空腔112中，例如可选地使用具有以下项中的至少一个的盒体来插入空腔112中：第一保持框132a，例如，其被插入了至少第一基板120a，例如(例如当保持框132a未连接到承载板102时)其可选地被插入了第二基板120b；第二保持框132b，其被插入了第二基板120b(例如当第二基板120b未被布置在第一保持框132a中时)，例如，其被布置在第一基板120a与第二基板120b之间；第三保持框132c，例如，其被放置在第二基板120b上，以便例如使第二基板120b被夹住；另外的第三保持框132c，例如，其被放置在第一基板120a上，并且例如被布置在第一基板120a与第二基板120b之间，以便例如使第一基板120a被夹住。图13a和图13b每个视觉化示出在与图8a的截面图类似的示意性截面图中的基板保持装置700a和700b。根据各个实施例，第二保持框132b可以至少部分地延伸在第一保持框132a中的凹陷中，或者插入其中。第一保持框132a可以如图13a视觉化示出的那样插入到承载板102中，或者如图13b视觉化示出的那样例如以整块方式连接到承载板102。各个实施例的示例描述如下：示例1b.方法1200包括以下步骤：将具有第一基板120a和第二基板120b的基板堆叠布置在基板保持装置的容纳区域中，其中第一基板120a的第一侧140a面对第二基板120b的第一侧140a；以及处理第一基板120a的与第一基板120a的第一侧140a相背的第二侧140b，并且处理第二基板120b的与第二基板120b的第一侧140a相背且与第一基板120a的第二侧140b背向的第二侧140b。示例2b.根据示例1b的方法1200，其中布置基板堆叠包括将第一基板120a的第二侧140b放置在基板保持装置的支撑表面上。示例3b.根据示例1b或2b的方法1200，还包括：在第一基板120a与第二基板120b之间布置保持框，其中布置基板堆叠包括将第二基板120b插入保持框中。示例4b.根据示例1b至3b中的一个的方法1200，其中第一基板120a和第二基板120b相互物理接触地布置；和/或其中在第一基板120a与第二基板120b之间形成间隙；和/或其中在第一基板120a与第二基板120b之间布置散热器。示例5b.根据示例1b至4b中的一个的方法1200，其中第一基板120a的第二侧140b的处理包括以下步骤中的至少一个：涂覆、照射、减去、清洁、加热、转换、掺杂、抛光；和/或其中第二基板120b的第二侧140b的处理包括以下步骤中的至少一个：涂覆、照射、减去、清洁、加热、转换、掺杂、抛光。示例6b.基板保持装置100、300a、300b，具有：具有至少一个空腔112的承载板102，空腔112从承载板102的上侧102a延伸通过承载板102到达承载板102的下侧102b；第一保持框132a，其具有用于保持第一基板120a的第一支撑表面；和第二保持框132b，其在被插入空腔112中时被布置在第一支撑表面上方，并且具有用于将第二基板120b保持在第一基板上方的第二支撑表面。示例7b.根据示例6b的基板保持装置100、300a、300b，其中第一保持框132a和支撑板102以整块的方式互连；或者其中第一保持框132a在被插入空腔112中时至少部分地搁置在承载板102的支撑表面上。示例8b.根据示例6b或7b中的一个的基板保持装置100、300a、300b，还包括：用于覆盖第二基板120b的第三保持框132c；其中第三保持框132c在被插入空腔112中时被布置在第二支撑表面上，以使得在第三保持框132c与第二支撑表面之间设置了用于容纳第二基板120b的外围部分的容纳空间130。示例9b.根据示例6b至8b中的一个的基板保持装置100，还包括：通风口302o，用于对第一保持框132a与第二保持框132b之间的间隙进行排空。示例10b.处理组件500a、500b、500c，具有：处理腔室512；布置在处理腔室512中的第一处理装置510a和第二处理装置510b；根据示例6b至9b中的一个的基板保持装置；和运送装置522，用于在第一处理装置510a和第二处理装置510b之间运送和/或定位基板保持装置。根据各个实施例，提供了用于在真空涂覆系统中在两侧上对基板(例如晶片)、例如薄基板(具有小于500μm的厚度)进行涂覆的基板保持装置(基板保持器)。根据各个实施例，实现了基板两侧上的涂覆，其中上侧在整个区域上被涂覆。可选地，下侧(例如基板的下表面)可以以包围的方式在外围(外围区域)上被覆盖(遮蔽)。根据各个实施例，可以提供在光学、半导体、光伏、屏障、和封装的领域中使用的涂覆。根据各个实施例，外围区域可以具有在从约0.1mm至约10mm的范围内的(从基板的边缘朝向基板的中心的方向上测量的)延伸度，例如在从约0.2mm至约5mm的范围内的延伸度，例如在从约0.5mm至约2mm的范围内的延伸度。根据各个实施例，可以减小或防止对支撑表面(也被称为口袋基座)的涂覆(例示性地通过溅镀来覆盖)。为此，基板保持装置可以具有包围支撑表面(也被称为晶片搁架)的凹陷(也可以被称为凹陷)。根据各个实施例，提供了支撑表面上的基板的搁架的安全和可重现的配置。根据各个实施例，基板保持装置的清洁可以例如通过酸洗或照射来执行。然而，在清洁(例示性地，“研磨法”)期间会发生物质从基板保持装置减去，也就是说，支撑表面上的材料的减去，这会减小后者的截面面积并且对后者的效果带来风险(例如，基板的外围区域的阴影)。换句话说，通过清洁造成的保持框(遮罩)上材料的减去会导致支撑表面(基板支撑表面，例如晶片支撑表面)的缩减，因此增大了废品率。因此，基板保持装置可以被配置为在例如支撑表面中具有相对大的材料厚度，以便基板保持装置被重复使用。根据各个实施例，例如，诸如阴极蒸发(所谓的溅镀或磁控管溅镀)之类的涂覆工艺(也就是基板的涂覆)可以在处理组件(例如真空系统和/或连续流式系统)中执行。具有相对小的面积的晶片和基板可以例如在一侧上和/或在两侧上被处理，例如被涂覆。这样的处理组件可以例如用在光伏领域中，例如以便产生以下蜂窝构思中的至少一个：hjt(异质结技术)太阳能电池、ibc(背电极接触)太阳能电池、wt(穿孔卷绕)太阳能电池、(铝)bsf(背面场)太阳能电池、perc(钝化发射极和背面电池)太阳能电池、perl(钝化发射极背面局部扩散)太阳能电池、或pert(钝化发射极背面完全扩散)太阳能电池。除了hjt(异质结技术)太阳能电池以外，所提及的蜂窝构思可以要求仅在一侧上对基板(例如晶片)的处理。根据各个实施例，提供了用于处理单晶硅基板(c-si基板)的处理组件，该处理组件可以包括用于提供气态涂覆材料的处理装置，例如材料气相源，例如用于pvd(物理气相沉积)的材料气相源。基板的反面(或者相应地，电池的反面)的处理可以借助于例如用于所述蜂窝构思的处理组件来执行，例如以便在基板的反面上形成金属镀层，例如pvd金属镀层。根据各个实施例，提供了用于提高基板的利用率的基板保持装置和方法，所述装置和所述方法被适应性调整以使得基板(例如晶片)可以每个均在一侧和/或两侧上被处理。例如，多个处理阶段可以使用pvd材料源(例如溅镀系统)来实现。根据各个实施例，可以提供在真空中的在两侧上对基板的均匀涂覆。为了避免导电涂覆(层)中(例如，在基板的上侧和下侧上)的短路，可以例如借助于非涂覆外围区域在两个涂覆后的基板面之间设置隔离空腔。例如，所定义的外围区域可以以包围的方式被保护(遮挡)以防止涂覆，使得可以在基板上提供所谓的外围排除区(也就是非涂覆环形区域)。基板保持装置(基板载具)被适应性调整以使得在基板保持装置的平面支撑表面上容纳的安全基板以及用于例如借助于基板放置区域的内圆周壁来对基板进行位置固定的侧向定界被实现。图14a视觉化示出在(例如沿支撑表面111a截取的)示意性截面图或(例如垂直于支撑表面111a的)平面图中的根据各个实施例的基板保持装置100。基板保持装置100可以具有彼此平行地(例如沿着方向101)延伸的两个支撑区域402h(也被称为保持区域402h)。支撑区域402h使得基板保持装置100能够被沿着支撑区域402h彼此平行地延伸的方向(运送方向)而运送。换言之，支撑区域402h可以定义运送方向和/或沿着运送方向延伸。基板保持装置100可以被支承或支撑在支撑区域402h中以便基板保持装置100与被保持在基板保持装置100中的保持框132a、132b和/或基板120一起被运送(参见图17a)。基板保持装置100可以具有多个基板放置区域111，在多个基板放置区域111中基板保持装置100可以相应地具有用于将基板插入多个基板放置区域111中的空腔。基板保持装置100还可以具有在每个基板放置区域111中基板可被放置于其上的支撑表面111a。此外，基板保持装置100可以具有凹陷111v，其至少部分地(例如完全地)围绕基板放置区域111的每一个中的支撑表面111a。例如，凹陷111v可以至少部分地(例如完全地)沿着封闭路径延伸，其中该封闭路径围绕支撑表面111a。根据各个实施例，可以在基板保持装置100中一个挨一个地设置多个基板放置区域111，例如多于10个基板放置区域111，例如多于20个基板放置区域111，例如多于50个基板放置区域111，例如多于100个基板放置区域111，以用于保持多个基板。在用于处理多个基板120的处理组件中可以沿其运送基板保持装置100的方向105可以横向于运送方向。根据各个实施例，多个基板放置区域111可以至少沿着运送方向(例如沿着基板保持装置100的纵向方向101)一个挨一个地(例如成行地)布置。可替代地或附加地，多个基板放置区域111可以至少横向于运输送方向(例如沿着基板保持装置100的宽度方向103)一个挨一个地(例如成行地)布置。例如，多个基板放置区域111可以布置成(例如二维)网格。如下文所述，可以借助于保持框132a、132b(参见图14b)或借助于承载板102(参见图14c)来提供支撑表面111a。图14b视觉化示出在(例如横向于支撑表面111a而截取的)示意性截面图中的根据各个实施例的基板保持装置100，例如在图14a中视觉化示出的基板保持装置100。基板保持装置100可以具有承载板102。承载板102可以具有至少一个空腔112，例如以使得保持框132a、132b可以被容纳于(或者可以至少部分地容纳于)空腔112中，以便基板120借助于保持框132a、132b而保持在空腔112中。根据各个实施例，承载板102在尺寸方面可以适应于待容纳的基板120的数量和尺寸两者以及用于处理基板120的处理组件500a、500b、500c(参见图11a至图11c)的尺寸(例如涂覆宽度和/或锁长度)。例如，承载板102(也被称为基本载具102)可以定位和/或保持多个基板120(例如晶片)以用于pvd涂覆。基板保持装置100还可以具有插入空腔112中的保持框132a、132b。保持框132a、132b可以至少部分地搁置在承载板102上(例如在其支撑表面102f上)。保持框132a、132b可以例示性地被设置为使得插入其中的基板120和保持框132a、132b的支撑表面132f(也就是与其(也就是基板120的第二侧140b)相互面对的侧)至少部分地彼此覆盖或遮挡(遮蔽)。相反，基板120的第一侧140a可以被完全地暴露(未覆盖)，以便例如涂覆第一侧140a。根据各个实施例，保持框132a、132b可以被适应性调整以使得基板120的第二侧140b(例示性地，其下侧140b)至少部分地被暴露，并且基板120的第一侧140a(例示性地，其上侧140a)被完全暴露。保持框132a、132b可以例示性地被设置以使得所述保持框132a、132b可以覆盖或遮挡(遮蔽)由所述保持框132a、132b例如在第二侧140b上保持的基板120的至少一个外围部分。因此，可以防止基板120的第一侧140a上的涂层与基板120的第二侧140b上的涂层之间的短路。换句话说，基板120的外围部分在涂覆期间可以保持未被涂覆，也就是不被一起涂覆，以便提供隔离空腔。例如，基板120可以是晶片，例如半导体晶片，例如硅晶片。基板120通过其外围区域可以借助整个圆周搁置在保持框132a、132b上。可替代地，基板120在基板120的外围区域中(在有角的基板的情况下，相应地通过例如角落)还可以仅部分地搁置在保持框132a、132b上，也就是搁置在其搁置表面132f上。保持框132a、132b可以具有用于放置基板120的水平(或者相应地，平面)支撑表面132f。基板120的外围部分可以至少部分地接触保持框132a、132b的支撑表面132f。图14b视觉化示出根据各个实施例的方法中的基板保持装置100。根据各个实施例，该方法可以包括以下步骤：将用于保持基板120的保持框132a、132b插入承载板102中的空腔112中，其中保持框132a、132b具有用于放置基板120的(例如平面的)支撑表面132f，并且其中保持框132a、132b具有凹陷111v，凹陷111v与支撑表面132f相邻并且至少部分地围绕后者；将基板120插入空腔132中以到保持框132的支撑表面132f上。保持框132a、132b和基板120可以可选适应于彼此以使得在基板120与保持框132a、132b中的空腔132的外围之间保留间隙304。可选地，保持框132a、132b(例如其支撑表面132f)和基板120可以适应于彼此以使得支撑表面132f完全被基板120覆盖。保持框132a、132b和/或基板120的放置可以可选地借助于磁性夹具或抽吸夹具(也被称为真空夹具)来执行。保持框132a、132b可以具有空腔132，其穿透前者并且例如至少部分地暴露基板120的下侧140b。图14c视觉化示出在于图14b的截面图类似的示意性截面图中的根据各个实施例的基板保持装置100，例如在图14a中视觉化示出的基板保持装置100。根据各个实施例，支撑表面102f可以通过承载板102提供，其中承载板102具有凹陷111v，其与支撑表面102f相邻并至少部分地围绕后者。换句话说，支撑表面102f可以例如以一体化(整块的)方式连接到承载板102。图14c视觉化示出根据各个实施例的方法中的基板保持装置100。根据各个实施例，该方法可以包括以下步骤：将基板120插入承载板102的空腔112中以到承载板102的支撑表面102f上，其中承载板102具有用于放置基板120的(例如平面的)支撑表面102f，并且其中承载板102具有凹陷111v，其与支撑表面102f相邻并且至少部分地围绕后者。承载板102和基板120可以可选地适应于彼此以使得在基板120与承载板102中的空腔112的外围之间保留间隙304。承载板102(例如其支撑表面102f)和基板120可以可选地适应于彼此以使得支撑表面102f完全被基板120覆盖。基板保持装置100、100和100的各种修改和配置以及详情将会在下文描述，其中可以以类似方式包括已在图14a、图14b和/或图14c的上下文中描述的基本特征和操作模式。此外，下文所述的特征和操作模式可以以类似方式应用于下文所述的基板保持装置，和/或下文所述的基板保持装置与在图14a、图14b和/或图14c中描述的基板保持装置100、100和100相结合。承载板102可以具有上侧102a(或相应地，上表面)和下侧102b(或相应地，下表面)。两个表面102a、102b可以(例如至少部分地)彼此平面平行。沿着方向105的(垂直于两个表面102a、102b)的承载板102可以具有从约1mm至约20mm的范围内的厚度，例如从约2mm至约10mm的范围内的厚度.根据各个实施例，承载板102(或相应地，其支撑表面102f)和/或保持框132a、132b(或相应地，其支撑表面132f)可以包括以下中的至少一个或者由以下中的至少一个形成：金属，例如钛、钢(例如不锈钢)；半金属，例如碳。可替代地或附加地，承载板102可以包括复合材料或由复合材料形成。承载板102的上侧102a和/或承载板102的下侧102b可以配置成平面的(水平的)，例如彼此平面平行。承载板102的上侧102a和/或承载板102的下侧102b可以可选地被涂覆。根据各个实施例，基板保持装置100、100和/或100(例如其承载板102)沿着方向103(沿着承载板面，例如与两个表面102a、102b平行)可以具有从约10cm至约5m的范围内的宽度，例如从约1m至约3m的范围内的宽度。此外，基板保持装置100、100和/或100(例如其承载板102)(沿着承载板面，例如与两个表面102a、102b平行)横向于宽度方向103可以具有从约10cm至约5m的范围内的长度，例如从约0.1m至约2m的范围内的长度，例如大于0.5m的长度。例如，承载板102可以沿着其长度被运送。图15a视觉化示出在(例如横向于支撑表面111a截取的)示意性截面图中的根据各个实施例的基板保持装置1500a，其中承载板102的和/或保持框132a、132b的空腔112可以具有相对于支撑表面111a倾斜地延伸(例如至少扭折一次)的内圆周壁302。图15b和图15c每个视觉化示出在示意性透视图中的根据各个实施例的基板保持装置1500b，其中图15b示出没有基板120的基板保持装置1500b，图15c示出其中放置了基板120的基板保持装置1500b。根据各个实施例，承载板102的和/或保持框132a、132b的空腔112可以被设置为使得在放置于其中的基板120与内圆周壁302之间保留了空隙304。换句话说，在其上放置有基板120的情况下的凹陷111v可以至少被部分地暴露，也就是通过间隙304暴露。例如间隙304可以设置有从约0.1mm至约1mm的范围内的宽度(间隙宽度)，例如大于约0.2mm的宽度。为了使基板120插入基板保持装置1500a中，例如插入保持框132a、132b(保持器)中和/或插入承载板102中，在考虑到基板容差的同时，可能有必要使包围间隙304可用，包围间隙304被适应性调整为使得保证基板120在其最大尺寸处被可靠地放置，然而同时仅允许基板120的最小中心偏差。层被沉积，也就是说，在涂覆工艺(溅镀、蒸发等)期间在基板120的上侧140a和/或下侧140b上形成涂层。类似地对基板保持装置1500a执行层的沉积(也就是分层构造)。尽管基板保持装置1500a的(例如承载板102和/或保持框132a、132b的)下侧上的分层构造几乎不会发生问题，可能会产生问题的涂覆在基板保持装置1500a的(例如承载板102和/或保持框132a、132b的)上侧被执行。例如会在以不够宽的方式适应性调整凹陷111v时在侧向定界面(内圆周壁302)上、在间隙304(放置间隙304)上、以及在支撑表面111a上出现分层构造。因此，当将凹陷111v制成所需尺寸时，基板120相对于空腔112的尺寸和容差每个均可以纳入考虑。换句话说，放置间隙304可以比凹陷111v窄。因此，可以例示性地实现支撑表面111a被其上放置的基板120完全遮挡。相反，如果支撑表面111a被涂覆，则容纳轮廓中的分层结构会出现，直到后续清洁周期(interval)为止，由于此，不再能够保证基板的可靠容纳。例示性地，会产生非平面的支撑表面111a，增大了基板破损和不充分涂覆(例如不充分溅镀)的风险，也就是在基板下侧的外围区域中的寄生涂覆，因此产生了外围排除区中的中断物(废品部件)。根据各个实施例，可以提供包围凹陷111v(凹陷轮廓)，其可以容纳一定比例的层(层比例)，直到后续的清洁为止。因此保护了基板支撑表面111a不会涂覆。换言之，凹陷111v的深度可以适应于清洁间隔的间距和在所述间隔之间沉积的层的厚度。参照图4a，例如，承载板102的和/或保持框132a、132b的空腔112可以基本上为长方盒形状，因此(例如当从上方观看时)具有四个角落区域412e和四个边缘区域412i。可替代地，承载板102的和/或保持框132a、132b的空腔112可以具有任何其他适当的形状，例如以使得适应于基板120的形状。例如，承载板102的空腔112可以具有和/或任何其他适当的形状，例如适应于保持框132a、132b的形状。参照图4b，在基板保持装置400b(例如其承载板102)中可以一个挨一个地设置有用于保持多个基板120的多个空腔112(例如借助于相应的保持框132a、132b)，例如多于10个空腔112，例如多于20个空腔112，例如多于50个空腔112，例如多于100个空腔112。本文中的方向105可以横向于运送方向，沿着运送方向，基板保持装置400b可以在用于处理多个基板120的处理组件中被运送。根据各个实施例，多个空腔112可以至少沿着运送方向(例如沿着承载板102的纵向方向101)一个挨一个地(例如成行地)布置。可替代地或附加地，多个空腔112可以至少横向于运送方向(例如沿着承载板102的宽度方向103)一个挨一个地(例如成行地)布置。例如，多个空腔112可以布置成(例如二维)网格。参照图11a，处理组件500a可以具有第一处理装置510a和第二处理装置510b。第一处理装置510a可以适于处理(例如用于涂覆、用于照射、用于蚀刻等)至少一个基板120，例如其第一侧140a。第二处理装置510b可以适于例如以与第一处理装置510a的方向相同或不相同的方式处理(例如用于涂覆、用于照射、用于蚀刻等)基板120，例如其第二侧140b。用于涂覆(也就是说用于提供气态涂覆材料)的第一处理装置510a和/或第二处理装置510b可以包括以下中的至少一个或由以下中的至少一个形成：物理材料气相源(用于借助物理气相沉积进行涂覆)，比如，如磁控管(也被称为溅镀源，可选地结合用于反应溅镀的反应气体源)、激光束蒸发器、电弧蒸发器、电子束蒸发器、和/或热蒸发器；或者化学材料气相源(用于借助化学气相沉积进行涂覆)，比如，如反应气体源，可选地结合等离子体源(用于借助支持等离子体的化学气相沉积进行涂覆)。可替代地或附加地，用于减去材料的第一处理装置510a和/或第二处理装置510b可以包括以下中的至少一个或由以下中的至少一个形成：等离子体源、离子束源、或蚀刻气体源。可替代地或附加地，用于照射的第一处理装置510a和/或第二处理装置510b可以包括以下中的至少一个或由以下中的至少一个形成：离子束源、电子束源、或光源(例如闪光灯泡和/或激光器)。如图11a中视觉化示出的，第一处理装置510a和第二处理装置510b可以被布置为使得所述处理装置510a、510b处理相同的基板120。在此情况下，所述处理装置510a、510b的处理区域至少可以部分地相互重叠。例如，第一处理装置510a和第二处理装置510b可以彼此相叠。参照图11b，第一处理装置510a和第二处理装置510b可以被布置为使得所述处理装置510a、510b处理不相同的基板120。在此情况下，所述处理装置510a、510b的处理区域可以彼此间隔开。例如，第一处理装置510a和第二处理装置510b可以被布置为例如沿着运送方向和/或横向于运送方向彼此偏移。图11a和图11b每个视觉化示出根据各个实施例的方法中的处理组件500a、500b。该方法可以包括处理基板120的下侧140b的步骤。基板120的下侧140b的处理可以包括以下步骤中的至少一个或由以下步骤中的至少一个形成：涂覆、照射、减去、清洁、加热、转换(例如化学地和/或结构性地)、掺杂(例如化学地)、抛光。可替代地或附加地，该方法可以包括处理基板120的上侧140a的步骤。基板120的上侧140a的处理可以包括以下步骤中的至少一个或由以下步骤中的至少一个形成：涂覆、照射、减去、清洁、加热、转换(例如化学地和/或结构性地)、掺杂(例如化学地)、抛光。基板120的下侧140b的处理可以与基板120的上侧140a的处理相同。可替代地，基板120的下侧140b的处理可以与基板120的上侧140a的处理不相同。参照图11c，处理组件500c可以具有以下：处理腔室512，用于在一侧和/或两侧上处理313、323(处理)多个基板120；和运送装置522，用于在处理装置510a、510b的处理区域520(在这里以示例方式仅示出了一个处理区域)中运送和/或定位多个基板120。运送装置522可以具有多个运送辊，例如所述运送棍的外圆周定义了根据各个实施例的基板保持装置可以被沿其运送的运送面。运送面可以至少部分地以平面的方式延伸(在此情况下也被称为运送平面)，和/或至少部分地以曲面方式延伸。为了使基板保持装置被运送通过处理腔室512，例如可以使用被单侧支撑的运送棍，其布置在基板保持装置的相对两侧上并且在其支撑区域402中保持后者(例如，以使得处理装置可以布置于其间)。此外，基板保持装置还可以被插入载具或借助于载具而被运送。处理腔室512可以被适应性调整为和/或操作为真空腔室或大气压腔室或正压腔室。处理腔室512可以被适应性调整以使得可以在其中设定和/或调节处理环境(包括工艺压力、工艺气体成分、工艺温度等)。例如，处理腔室512可以被适应性调整为在压力方面稳定(例如，达至至少1bar的压差)、气密的和/或防尘的。基板120和/或多个基板120的处理可以以正压(大于1bar)来执行，以约1bar的大气压来执行，以负压(小于1bar)来执行，或者以真空(小于0.3bar)来执行，如高真空(小于1mbar)，例如以高度真空(小于10-3bar)执行，如超高真空(小于10-7bar)。为了设定和/或调节工艺气体成分，可以例如借助于气体馈入来将包括至少一种反应气体和/或操作气体的气体馈送到处理腔室512内部。为了设定和/或调节工艺压力，可以将处理腔室512耦接到具有对处理腔室512的内部进行排空的至少一个增压泵和/或真空泵的泵组件。为了设定和/或调节工艺温度，处理组件500c可以具有加热装置和/或冷却装置，其可以将热能供给处理腔室512内部或至少供给在其中被运送的基板120(用于加热)，或者从中抽取热能(用于冷却)。例如，基板120和/或多个基板120(例如基板排层)可以被涂覆以下中的至少一个：功能层、抗腐蚀层、光学活性层、保护层、导电层、电隔离层、密封件、种子层、表面抛光层。例如，功能层可以应用于箔或硬金属(例如在电池技术中)。例如，金属涂层和/或电介质材料的涂层可以应用于玻璃(例如眼镜、窗户、移动电话、和/或建筑玻璃)。例如，导电保护层、功能层或抗腐蚀层可以应用于金属箔(例如在燃料电池技术中)。例如，种子层可以应用于晶片(例如在半导体技术中)。例如，种子层可以包括镍(ni)和/或铜(cu)或者由镍(ni)和/或铜(cu)形成。种子层可以随后进一步被电性涂覆，例如以便形成金属层。图16a和图16b每个视觉化示出在示意性透视图中的根据各个实施例的基板保持装置600a，其中图16a示出没有基板120的基板保持装置600a，图16b示出其中插入了基板120的基板保持装置600a。根据各个实施例，基板保持装置600a可以具有向外翻转的至少一个角落区域412e(例如向外翻转的角落区域412e，或者向外翻转的多个角落区域412e)。凹陷111v可以遵循，以便顺应向外翻转的至少一个角落区域412e。例如，在基板120具有削角的角落时，向外翻转的至少一个角落区域412e中的支撑表面111a可以被削角。凹陷111v可以配置成沟槽的形式。至少一个向外翻转的角落区域412e可以扩大内圆周壁302与基板120的间隔，减小了在至少一个向外翻转的角落区域412e中的基板120与内圆周壁302之间的接触的风险。换句话说，在至少一个向外翻转的角落区域412e中的基板120与内圆周壁302之间的间隙304可以被扩大地设置。因此可以实现基板破损风险的降低。图17a视觉化示出在(例如横向于支撑表面111a和/或横向于运送方向所截取的)示意性截面图中的根据各个实施例的基板运送装置1700。例如，支撑表面111a可以沿运送方向对准。根据各个实施例，基板运送装置1700a可以具有用于运送基板保持装置的运送系统，其中运送系统具有两个加强元件812，以使得基板运送装置700(例如其承载板102)被相应地保持或支撑在两个支撑区域402中(例如，仅在两个支撑区域402h中)。被支撑在加强元件812上的基板运送装置1700a的运送可以借助于例如运送辊、链、带、或其他适当的运送装置来执行。凭借基板运送装置1700a的支撑，后者例如可以弯曲，例如在基板运送装置1700a(例如其承载板102)的中心处具有最大弯曲度705。当使用保持框132a、132b用于保持相应的基板102时，例如，保持框132a、132b可以从基板运送装置1700a或者从其承载板102去耦，使得承载板102的弯曲度705对基板120具有微小的或没有负面影响和/或不被传递到后者。例如，用于基板120的平面支撑表面132f可以借助于保持框132a、132b以与弯曲度705无关的方式来提供。图17b视觉化示出在(例如横向于支撑表面111a截取的)示意性截面图中的根据各个实施例的基板保持装置1700b。支撑表面111a可以例如沿运送方向对准。根据各个实施例，支撑表面132f可以具有在从约0.1mm至约10mm的范围内的延伸度710，例如在从约0.2mm至约5mm的范围内的延伸度710，例如在从约0.5mm至约2mm的范围内的延伸度710。根据各个实施例，基板放置区域111的(例如保持框132a、132b的)空腔132可以(例如沿着支撑表面132f，例如与支撑表面132f水平，和/或沿着承载板面102e)具有在从约50mm至约500mm的范围内的延伸度728，例如在从约100mm至约250mm的范围内的延伸度728，在从约150mm至约160mm的范围内的延伸度728，例如约154mm的延伸度728。延伸度728可以对应于内圆周壁302在相对部分上的间隔。根据各个实施例，基板120上的遮挡区域可以被提供有(在从基板边缘朝向基板中心的方向上测量的)从约2mm至约20mm的范围内的延伸度714，例如从约3mm至约10mm的范围内的延伸度714，例如从约3mm至约4mm的范围内的延伸度714。遮挡区域可以被理解为这样的区域，其中沉积材料的量由于靠近基板保持装置1700b(例如内圆周壁302)而受到影响，也就是降低。根据各个实施例，可以通过遮挡区域来确定内圆周壁302的高度及其倾斜度。例如，所述高度可以基于具有在从约40°至约80°(例如约60°)的范围内的角度716的包络。内圆周壁302相对于正交方向105(其垂直于支撑表面132f和/或垂直于承载板面102e而延伸)的倾斜度——角度718(例如与支撑表面132f水平，也就是在内圆周壁302的上部中)可以具有在从约0°至约40°的范围内的值，例如在从约10°至约30°的范围内的值，例如约20°。通过类似方式，内圆周壁302相对于正交方向105的倾斜度——角度720(例如在内圆周壁302的下部中)可以具有从约0°至约20°的范围内的值，例如约10°。换句话说，内圆周壁302在上部和/或下部中可以具有倒角。根据各个实施例，支撑表面132f在其相对部分上的间隔726可以比空腔132的延伸度728小，例如比延伸度728小的范围在从约0.5mm至约10mm内，例如在从约1mm至约5mm内，例如在从约2mm至约4mm内。根据各个实施例，支撑表面132f与保持框132a、132b的空腔的外围302(换句话说，内圆周壁302)之间的凹陷111v可以具有例如平行于支撑表面132f测量的(例如在支撑表面132f的平面内的，也就是，与支撑表面132f水平地测量的)可以与待容纳的基板120的宽度相适应的宽度724(间隙宽度)，例如在从约0.1mm至约1.5cm的范围内的宽度724，例如小于1cm、0.5cm、1mm、500μm、300μm或200μm的宽度724，例如在从约0.1mm至约10mm的范围内，例如在从约0.2mm至5mm的范围内，例如在从约0.5mm至约2mm的范围内，例如约0.8mm。凹陷111v可以具有(横向于支撑表面132f的)在从约0.1mm至约1.5mm的范围内的深度722，例如小于1mm、0.5mm和/或大于200μm或300μm的深度。通过与之类似的方式，例如当未使用保持框132a、132b时，可以在承载板102中成型空腔112、支撑表面132f和凹陷111v。图18a视觉化示出在示意性截面图或平面图(类似于图14a)中的根据各个实施例的基板保持装置800a。根据各个实施例，基板保持装置800a可以具有至少一个加强元件812(例如两个或多于两个加强元件812)，其在两个支撑区域402h之间延伸并且延伸到其中。所述至少一个加强元件812可以例示性地横向于运送方向延伸并且减小弯曲度705。在所述至少一个加强元件812中，基板保持装置800a可以具有比在支撑区域402h(保持区域402h)中和/或在基板放置区域111中更大的延伸度(例示性地，例如在方向105上的厚度)。例如，所述至少一个加强元件812可以在支撑区域402h中连接到彼此相对的加强元件812。因此可以实现基板保持装置800a的(例如其承载板102的)平面加强。图18b视觉化示出在示意性流程图中的根据各个实施例的方法800b。方法800b在步骤801中包括将基板插入基板保持装置的基板放置区域中的步骤。根据各个实施例，基板可以具有第一侧和与第一侧相对的第二侧；其中基板的第二侧与基板放置区域的支撑表面物理接触；并且其中基板具有平行于支撑表面的(例如与支撑表面水平地测量的)延伸度，其小于基板放置区域的空腔，例如小于基板放置区域的内圆周壁的直径。方法800b在步骤801中包括处理基板的第一侧的步骤。根据各个实施例，支撑表面和基板可以适应于彼此以使得支撑表面通过处理被基板完全遮挡。换言之，基板可以完全覆盖支撑表面。根据各个实施例的示例可以被描述如下：示例1c.基板保持装置100，具有：两个支撑区域402h，其平行于彼此延伸，并且基板保持装置100在该处可以被支撑以便后者被运送；以及多个基板放置区域111，其布置在两个支撑区域402h之间，基板放置区域111中的每一个具有空腔112和用于将基板120保持在空腔112中的支撑表面111a；并且基板放置区域111中的每一个具有与支撑表面111a相邻并且至少部分地围绕后者的凹陷111v。示例2c.根据示例1c的基板保持装置100，其中所述多个基板放置区域111中的至少一个基板放置区域111的空腔112延伸通过基板保持装置100。示例3c.根据示例1c或2c的基板保持装置100，其中所述多个基板放置区域111中的至少一个基板放置区域111的凹陷111v与相应空腔112的内圆周壁相邻。示例4c.根据示例1c至3c中的一个的基板保持装置100，还具有承载板102；其中所述多个基板放置区域111中的至少一个基板放置区域111的支撑表面111a连接到承载板102；和/或其中所述多个基板放置区域111中的至少一个基板放置区域111的支撑表面111a借助于保持框132a、132b而提供，当保持框132a、132b在被插入承载板102的空腔112中时至少部分地搁置在承载板102的支撑表面111a上。示例5c.根据示例4c的基板保持装置100，还具有：其中承载板102的空腔112延伸通过承载板102。示例6c.根据示例1c至5c中的一个的基板保持装置100，其中所述多个基板放置区域111中的至少一个基板放置区域111的支撑表面111a是平面的。示例7c.根据示例1c至6c中的一个的基板保持装置100，其中所述多个基板放置区域111中的至少一个基板放置区域111的支撑表面111a包括金属或者由金属形成。示例8c.根据示例1c至7c中的一个的基板保持装置100，还具有：至少一个加强元件812，其在两个支撑区域402h之间延伸并且穿过这两个支撑区域402h，和/或多个加强元件812，其平行于彼此延伸，其中的至少一个加强元件812布置在两个支撑区域402h的支撑区域402h中。示例9c.处理组件500a、500b、500c，具有：处理腔室512；处理装置510a、510b，其定义了处理腔室512中的处理区域；根据示例1c至8c中的一个的基板保持装置100；以及运送装置522，其用于在处理区域中运送和/或定位基板保持装置100，其中运送装置522适用于在基板保持装置100的两个支撑区域402h中支撑基板保持装置100。示例10c.根据示例9c的处理组件500a、500b、500c，还具有：另一处理装置510b，其中运送装置522适用于在处理装置510a与所述另一处理装置510b之间运送和/或定位基板保持装置100。示例11c.方法800b，包括以下步骤：将基板120插入801基板保持装置100的空腔112中以到其基板放置区域111中，其中基板120具有第一侧和与第一侧相背的第二侧；其中基板120的第二侧与基板放置区域111的支撑表面111a物理接触；其中基板具有平行于支撑表面111a的延伸度，该延伸度小于基板放置区域111的空腔112；处理803基板120的第一侧，其中支撑表面111a和基板适应于彼此以使得支撑表面111a通过处理完全被基板遮挡。图19a和图19b每个视觉化示出根据各个实施例的各自在示意性平面中的基板保持装置。基板保持装置1900a、1900b可以具有带有空腔112的承载板102。空腔112可以从承载板102的上侧102a延伸通过承载板102到达承载板102的下侧102b。基板保持装置1900a、1900b可以具有保持框132a。保持框132a可以具有框开口132(也被称为空腔132)。框开口132可以从保持框132a的上侧102a延伸通过保持框132a到达保持框132a的下侧102b。用于将基板120保持在空腔112中的保持框132a可以具有围绕框开口132的支撑表面111a。被插入空腔112的保持框132a可以至少部分地搁置在承载板102上。基板保持装置1900b的保持框132a可以具有围绕支撑表面111a的凹陷111v(凹陷111v)。图20a和图20b每个视觉化示出根据各个实施例的示图，其中在时间2003(以小时为单位)上视觉化示出容纳体中的压力2005(以毫巴为单位)。根据各个实施例，保持框可以包括塑料材料(聚合物)，例如聚醚醚酮(peek)，或者由其形成。用于制造保持框的方法可以包括以下步骤：提供包括peek或由peek形成的基体；例如根据预定义图形(或三维模型)，通过基体的减去处理从基体形成保持框。减去处理可以是成本密集型的。因此，可以以少量的预定义预算来通过peek提供保持框。例如，这样的保持框可以回收利用(多次使用)。可替代地或附加地，保持框可以包括聚苯硫醚(pps，也可以称作福特纶)或由其形成。用于制造保持框的方法可以包括以下步骤：提供铸模；通过将pps注入铸模并固化pps而形成保持框。可替代地，保持框可以包括其他热塑性塑料材料或由其形成(也就是说能够注塑成型)。聚苯硫醚可以通过注塑成型法来成型，这会比减去处理更成本有效。因此，可以以预定义的预算大量地提供得自于聚苯硫醚的保持框。例如，这样的保持框可以用作抛弃型部件(一次性使用部件)。在这种情况下，可以节省关于回收利用的成本。例如，可以省去保持框的清洁(在一次性使用的情况下)，这例如引起保持框的更少的气体排放。例如，清洁会导致所谓的海绵效应，在这种情况下，塑料材料吸收用于清洁的物质的构成成分，并且仅当它们处于真空中时才释放后者。可替代地或附加地，塑料材料可以包括聚酰亚胺(例如高温聚酰亚胺，例如所谓的tecasint)和/或聚四氟乙烯(ptfe)或由其形成。塑料材料可以可选地为复合材料的一部分。例如，复合材料可以包括塑料材料和固体材料，后者(固体材料)比塑料材料硬，和/或比塑料材料具有更高耐热性(分解温度、熔化温度和/或玻璃转变温度)。固体材料可以包括颗粒(固体颗粒)、片屑和/或纤维(固体材料纤维)或者由其形成。固体材料可以包括聚合物(例如ptfe)、矿石、陶瓷、碳改性(例如煤、石墨或炭黑)中的碳、氧化物、碳化物、氮化物、硫化物(例如二硫化钼)、和/或玻璃(例如玻璃颗粒和/或玻璃纤维)。可替代地或附加地，复合材料可以包括塑料材料和固体材料(例如ptfe、导电炭黑、或石墨)，其具有比塑料材料更低的动摩擦力和/或比塑料材料更高的电导率。例如，复合材料可以包括矿物加强的和/或玻璃加强的塑料材料或者由其形成。可替代地或附加地，复合材料可以包括石墨和/或ptfe(聚四氟乙烯)。保持框或者塑料材料和/或复合材料相应地可以具有大于约150℃的、例如大于约200℃的、例如大于约300℃的、例如大于约400℃的、例如在从约200℃至约500℃范围内的、或者大于约500℃的长期耐热性(也就是说熔化温度、玻璃转变温度和/或分解温度)。保持框或者塑料材料和/或复合材料相应地可以具有例如针对大于约150℃的、例如大于约200℃的、例如大于约300℃的、例如大于约400℃的、例如在从约200℃至约500℃范围内(例如约470℃)的、或者大于约500℃的温度的耐热性(hdt/a，也就是根据方法a)。保持框或者塑料材料和/或复合材料相应地可以是电隔离的，例如具有小于约10-6s/m的、例如小于约10-7s/m的、例如小于约10-8s/m的、例如小于约10-9s/m的、例如小于约10-10s/m的、例如小于约10-11s/m的、例如小于约10-12s/m的电导率。保持框的塑料材料可以是可用于真空的。根据各个实施例，可真空兼容(也被称为可用于真空)可以理解为意思是材料(也被称为物质)具有低汽化压力(也就是尽可能少的气体排放)，例如小于约10-13mbar的、例如小于约10-17mbar的、例如在从约10-5mbar至约10-15mbar范围内的(在室温下测量的)汽化压力。此外，汽化压力还可以在升高的温度处很低，例如在200℃处小于约10-5mbar。关于塑料材料的气体排放的这种测量以示例方式在示图2000a和2000b中示出。在相应的测量之前，可以使塑料材料和/或容纳体在高度真空中调节24小时，以降低对测量结果的误差的敏感性。容纳体的通风时间在环境空气中可以为约一小时。塑料材料可以具有小于约1％的、例如小于约0.5％的、例如小于约0.1％的、例如约0.02％的吸水率。塑料材料可以是无味的。吸收容积/吞吐容积法可以被用于测量气体排放。每表面面积的气体流量得自于样本上活动的有效吸收容积以及所测量的压力。在减去使用空容纳体的参考测量结果之后，得到被气体排放的材料(气体排放)的量。示图2000a视觉化示出针对peek的排空曲线2002a、2002b(peek调整结果2002a和peek测量结果2002b)和针对pss的排空曲线2004a、2004b(pss调整结果2004a和pss测量结果2004b)。排空曲线可能额外地受到温度变化和/或压力变化的篡改。在示图2000b中示出相应的校正后的排空曲线(peek调整结果2002a和peek测量结果2002b，pss调整结果2004a和pss测量结果2004b)。图21a和图21b每个视觉化示出根据各个实施例的示图2100a、2100b，其中相应地视觉化示出了在时间2003(以小时为单位)上的解吸率2105(单位为毫巴升每秒——mbar·l/s)或针对重量进行标准化后的解吸率(单位为毫巴升每秒每克——mbar·l/(s·g))。peek的气体排放(解吸率)比pss的气体排放(解吸率)低，是4倍。对于两种材料而言时间特性相当；然而，peek在相对长的时间(多于10小时，对应于10h)“饱和”。保持框的塑料材料的解吸率2105可以小于约10-5mbar·l/s，例如对于pss小于约8.3·10-5mbar·l/s(例如1h之后)，例如对于pss小于约3.1·10-6mbar·l/s(例如4h之后)，例如对于pss小于约2·10-6mbar·l/s(例如10h之后)，和/或例如对于peek小于约3.3·10-5mbar·l/s(例如1h之后)，例如对于peek小于约1.6·10-5mbar·l/s(例如4h之后)，例如对于peek小于约1.1·10-5mbar·l/s(例如10h之后)。解吸率的时间常数(对应于双对数示图2100a、2100b中的线性轮廓)可以小于约1，例如小于约0.9，例如对于pss约0.87，并且对于peek约0.85。示图2100a中示出的数据在示图2100b中针对重量进行了标准化后被视觉化示出。pss的重量有关的解吸(例如样本的质量约26.6g)小于peek的重量有关的解吸(例如样本的质量约53.2g)(是2至3倍)。保持框的塑料材料的针对重量进行了标准化的解吸率2105g可以小于约10-6mbar·l/(s·g)，例如对于pss小于约3.1·10-7mbar·l/(s·g)(例如1h之后)，例如对于pss小于约1.2·10-7mbar·l/(s·g)(例如4h之后)，例如对于pss小于约7.4·10-8mbar·l/(s·g)(例如10h之后)，和/或例如对于peek小于约6.1·10-7mbar·l/(s·g)(例如1h之后)，例如对于peek小于约2.9·10-7mbar·l/(s·g)(例如4h之后)，例如对于peek小于约2.1·10-7mbar·l/(s·g)(例如10h之后)。图22a和图22b每个视觉化示出根据各个实施例的示图2200a、2200b，其中视觉化示出了在时间2003(以小时为单位)上的针对体积进行了标准化的解吸率2205a(单位为毫巴升每秒每立方厘米——mbar·l/(s·cm3))、或针对表面面积进行了标准化的解吸率(单位为毫巴升每秒每平方厘米——mbar·l/(s·cm2))。pss的体积有关的解吸(例如样本体积约14毫升)小于peek的体积有关的解吸(例如样本体积约41毫升)(是1或2倍)。保持框的塑料材料的针对体积进行了标准化的解吸率2205a可以小于约10-6mbar·l/(s·cm3)，例如对于pss小于约5.8·10-7mbar·l/(s·cm3)(例如1h之后)，例如对于pss小于约2.2·10-7mbar·l/(s·cm3)(例如4h之后)，例如对于pss小于约1.4·10-7mbar·l/(s·cm3)(例如10h之后)，和/或例如对于peek小于约7.9·10-7mbar·l/(s·cm3)(例如1h之后)，例如对于peek小于约3.8·10-7mbar·l/(s·cm3)(例如4h之后)，例如对于peek小于约2.8·10-7mbar·l/(s·cm3)(例如10h之后)。pss的表面面积有关的解吸(例如样本的表面面积约110cm2)小于peek的表面面积有关的解吸(例如样本的表面面积约120cm2)(例如，是约4至5倍)。保持框的塑料材料的针对表面面积进行了标准化的解吸率2205b可以小于约10-2mbar·l/(s·cm2)，例如对于pss小于约7.5·10-4mbar·l/(s·cm2)(例如1h之后)，例如对于pss小于约2.8·10-4mbar·l/(s·cm2)(例如4h之后)，例如对于pss小于约1.8·10-4mbar·l/(s·cm2)(例如10h之后)，和/或例如对于peek小于约2.7·10-3mbar·l/(s·cm2)(例如1h之后)，例如对于peek小于约1.3·10-3mbar·l/(s·cm2)(例如4h之后)，例如对于peek小于约9.5·10-4mbar·l/(s·cm2)(例如10h之后)。pss可以具有比peek的解吸率低的解吸率。当前第1页12当前第1页12