技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构两侧包括第一侧、以及与第一侧相对的第二侧；对所述栅极结构第一侧的衬底进行刻蚀，形成凹槽；在栅极结构第一侧凹槽底部形成高掺杂区，所述高掺杂区内具有第一掺杂离子；在第一侧的所述高掺杂区上形成填充所述凹槽的外延层；对第一侧的所述外延层进行掺杂形成漏区，所述漏区中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的离子类型不同。其中，所述高掺杂区与漏区形成PN结，所述PN结具有较强的内建电场，能够降低所述PN结的击穿电压，从而降低半导体结构的结击穿电压。
技术研发人员：赵猛
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.02.04
技术公布日：2017.08.11