技术总结
本发明提供了一种半导体结构，自下至上依次包括：衬底；缓冲层；n型层；i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层；第一p型层；i型光敏吸收层；以及第二p型层，其中，i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层包括沿垂直于衬底表面方向叠置的N个周期结构1041～104N，N是大于等于1的整数，每个周期结构包括一个组分渐变层，组分渐变层的最下部的材料为AlyGa1‑yN，最上部的材料为AlzGa1‑zN，其中0≤z＜y≤1，组分渐变层内任意位置的材料表示为AlcGa1‑cN，随该位置到组分渐变层下表面的垂直距离d从0增加至该组分渐变层的厚度D，c从y渐变至z。本发明还提供了该半导体结构的制造方法。
技术研发人员：汪莱;郑纪元;张静昌;郝智彪;罗毅
受保护的技术使用者：清华大学
文档号码：201610112141
技术研发日：2016.02.29
技术公布日：2017.08.11