技术特征：
技术总结
本发明提供一种氮化镓晶体管及其制作方法，其中方法包括：在氮化铝镓势垒层上淀积氮化硅层；对氮化硅层进行干法刻蚀，形成源端接触孔和漏端接触孔；通过源端接触孔和漏端接触孔对氮化铝镓势垒层和氮化镓缓冲层进行硅离子注入；在氮化硅层的表面上溅射欧姆电极金属；对欧姆电极金属进行光刻刻蚀，形成欧姆接触电极；对氮化硅层和氮化铝镓势垒层进行干法刻蚀，形成栅极接触孔；在栅极接触孔内淀积氮化硅层，形成栅介质；在栅极接触孔内沉积镍元素或金元素，并进行光刻刻蚀形成栅极，从而通过在源端接触孔和漏端接触孔下方的氮化铝镓势垒层和氮化镓缓冲层进行硅离子注入，降低氮化铝镓势垒层的接触电阻，降低氮化镓晶体管的接触电阻。
技术研发人员：刘美华;孙辉;林信南;陈建国
受保护的技术使用者：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.03.25
技术公布日：2017.10.03