技术特征：
技术总结
本发明提供一种氮化镓晶体管及其制造方法，其中方法包括：在硅衬底的表面上方形成未掺杂的氮化镓层，在所述未掺杂的氮化镓层的表面上方形成氮化镓铝层；在所述氮化镓铝层的表面上方沉积一层氮化硅，形成介质层；对所述介质层、所述氮化镓铝层和所述未掺杂的氮化镓层进行刻蚀，形成漏极接触孔和源极接触孔；在所述漏极接触孔和源极接触孔中再生长出N型掺杂的氮化镓层，并在所述漏极接触孔中的N型掺杂的氮化镓层的上方形成漏极，在所述源极接触孔中的N型掺杂的氮化镓层的上方形成源极。本发明提供的氮化镓晶体管及其制造方法，能够减小欧姆接触电阻，增加器件电流，提高器件的整体性能。
技术研发人员：刘美华;孙辉;林信南;陈建国
受保护的技术使用者：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.03.25
技术公布日：2017.10.03