1.一种半导体器件，包括：
半导体管芯，被包围在密封剂中；
第一通孔，延伸穿过所述密封剂并通过所述密封剂与所述半导体管芯分离；
至少一个参考通孔，延伸穿过所述密封剂，其中所述半导体管芯、所述第一通孔和所述至少一个参考通孔是第一集成扇出型封装件的一部分；以及
第二半导体器件，与所述第一通孔电连接但是没有与所述至少一个参考通孔电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述第二半导体器件上方的屏蔽涂层，所述屏蔽涂层与所述至少一个参考通孔物理接触。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述屏蔽涂层与所述至少一个参考通孔的侧壁物理接触。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述屏蔽涂层与所述至少一个参考通孔的顶面物理接触。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述屏蔽涂层与所述至少一个参考通孔的顶面和侧壁均物理接触。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个参考通孔是接地通孔。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二半导体器件是位于所述第一集成扇出型封装件的动态随机存取存储器(DRAM)区域上方的动态随机存取存储器封装件，所述参考通孔在与所述第一集成扇出型封装件的主面平行的方向上位于所述动态随机存取存储器区域之外。
8.一种半导体器件，包括：
半导体管芯；
第一组通孔，通过密封剂与所述半导体管芯分离；
参考通孔，通过所述密封剂与所述半导体管芯和所述第一组通孔分离；以及
屏蔽涂层，与所述参考通孔的第一表面物理接触。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述密封剂具有第一厚度，并且所述参考通孔具有小于所述第一厚度的第二厚度。
10.一种制造半导体器件的方法：
利用密封剂来密封半导体管芯、第一组通孔和参考通孔；
利用所述半导体管芯的第一侧上的平面化工艺露出所述第一组通孔和所述参考通孔；
将位于所述半导体管芯的与所述第一侧相对的第二侧上的所述第一组通孔连接至第二半导体管芯；以及
在连接所述第一组通孔之后，利用分割工艺露出所述参考通孔的第一表面。