1.有机光电子器件，其包括：
彼此面对的阳极和阴极；
在所述阳极和所述阴极之间的光吸收层；和
在所述阴极和所述光吸收层之间的第一辅助层，所述第一辅助层具有3.0eV-4.5eV的能带隙，并且所述阴极的功函和所述第一辅助层的最高占据分子轨道(HOMO)能级之间的差值为1.5eV-2.0eV。
2.如权利要求1所述的有机光电子器件，其中所述第一辅助层的HOMO能级大于所述光吸收层的HOMO能级和所述阴极的功函。
3.如权利要求2所述的有机光电子器件，其中所述第一辅助层的HOMO能级大于或等于6.3eV。
4.如权利要求1所述的有机光电子器件，其中所述第一辅助层的最低未占分子轨道(LUMO)能级小于所述光吸收层的LUMO能级和所述阴极的功函。
5.如权利要求4所述的有机光电子器件，其中所述第一辅助层的LUMO能级大于或等于2.0eV。
6.如权利要求5所述的有机光电子器件，其中所述第一辅助层的LUMO能级为2.0eV-2.9eV。
7.如权利要求1所述的有机光电子器件，其中所述第一辅助层的能带隙为3.4eV-4.3eV。
8.如权利要求1所述的有机光电子器件，其中所述第一辅助层包括通过热蒸发提供具有大于或等于70％的透光率的薄膜的无机材料。
9.如权利要求1所述的有机光电子器件，其中所述第一辅助层包括如下的至少一种：含锰氧化物、含铬氧化物、和含钴氧化物。
10.如权利要求9所述的有机光电子器件，其中所述第一辅助层包括如下之一：氧化锰、锂锰氧化物、铁锰氧化物、钴锰氧化物、钾锰氧化物、锂铬氧化物、铁铬氧化物、钴铬氧化物、钾铬氧化物、锂钴氧化物、铁钴氧化物、钾钴氧化物、及其组合。
11.如权利要求1所述的有机光电子器件，其中所述第一辅助层具有0.1nm-20nm的厚度。
12.如权利要求1所述的有机光电子器件，其进一步包括：
在所述阳极和所述光吸收层之间的第二辅助层，
其中所述第二辅助层包括如下之一：含钼氧化物、含钨氧化物、含钒氧化物、含铼氧化物、含镍氧化物、含铜氧化物、及其组合。
13.如权利要求1所述的有机光电子器件，其中所述光吸收层和所述第一辅助层彼此接触。
14.有机光电子器件，其包括：
彼此面对的阳极和阴极；
在所述阳极和所述阴极之间的光吸收层；以及
在所述阴极和所述光吸收层之间的第一辅助层，所述第一辅助层包括如下的至少一种：含锰氧化物、含铬氧化物、和含钴氧化物。
15.如权利要求14所述的有机光电子器件，其中所述第一辅助层的最高占据分子轨道(HOMO)能级大于所述光吸收层的HOMO能级和所述阴极的功函。
16.如权利要求14所述的有机光电子器件，其中所述第一辅助层的最低未占分子轨道(LUMO)能级小于所述光吸收层的LUMO能级和所述阴极的功函。
17.如权利要求14所述的有机光电子器件，其中所述第一辅助层包括如下之一：氧化锰、锂锰氧化物、铁锰氧化物、钴锰氧化物、钾锰氧化物、锂铬氧化物、铁铬氧化物、钴铬氧化物、钾铬氧化物、锂钴氧化物、铁钴氧化物、钾钴氧化物、及其组合。
18.如权利要求14所述的有机光电子器件，其进一步包括：
在所述阳极和所述光吸收层之间的第二辅助层，
其中所述第二辅助层包括如下之一：含钼氧化物、含钨氧化物、含钒氧化物、含铼氧化物、含镍氧化物、含铜氧化物、及其组合。
19.如权利要求14所述的有机光电子器件，其中所述光吸收层和所述第一辅助层彼此接触。
20.图像传感器，其包括如权利要求1-19任一项所述的有机光电子器件。