技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置。该方法包括：提供半导体衬底，在第一PMOS区、第二PMOS区、第一NMOS区和第二NMOS区内分别形成有第一、第二、第三以及第四栅极凹槽；形成第一厚度的第一P型功函数层，以覆盖第一、第三栅极凹槽的底部和侧壁；形成第二厚度的第一P型功函数层，以覆盖第一厚度的第一P型功函数层，且覆盖第二、第四栅极凹槽的底部和侧壁；形成第二P型功函数层，以覆盖第二厚度的第一P型功函数层，且第二P型功函数层和第一P型功函数层为不同的材料；形成第三厚度的第一P型功函数层，其仅位于第一、第二栅极凹槽的第二P型功函数层表面；在栅极凹槽中形成N型功函数层并填充金属电极层。
技术研发人员：杨佳琦;赵杰
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.08.08
技术公布日：2018.02.16