1.一种填充衬底上的特征的方法，所述方法包括：
(a)在特征内沉积第一数量的金属；以及
(b)相对于所述特征的内部区域，通过以下操作定向地蚀刻在所述特征的开口处或附近的所述金属：
(i)通过使所述金属暴露于含卤素的气体使所沉积的所述金属的表面改性；以及
(ii)使经改性的所述表面暴露于活化气体以选择性地蚀刻所述金属。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属包含钛、钽、镍、钴、或钼中的一种。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属包含钨。
4.根据权利要求1所述的方法，其还包括在(i)和(ii)中的至少一种期间施加偏置。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述偏置的功率小于阈值偏置功率。
6.根据权利要求1所述的方法，其中(b)包括自限反应。
7.根据权利要求1所述的方法，其中(a)和(b)在不破坏真空的情况下进行。
8.根据权利要求1所述的方法，其中(a)和(b)在同一室中进行。
9.一种方法，其包括：
(a)用钨部分地填充特征；
(b)通过将衬底暴露于交替的含卤素的气体的脉冲和活化气体的脉冲定向地蚀刻在所述特征的开口处或附近的钨；以及
(c)用钨填充所述特征。
10.一种用于处理半导体衬底的装置，该装置包括：
处理室，其包括喷头和衬底支撑件，
等离子体产生器，以及
具有至少一个处理器和存储器的控制器，
其中，所述至少一个处理器和所述存储器彼此通信地连接，
所述至少一个处理器至少操作性地与流量控制硬件连接，并且
所述存储器存储用于下述操作的机器可读指令：
(i)将含钨前体与还原剂引入所述室以在衬底上沉积钨；
(ii)引入含卤素的气体以使所述钨的表面改性；以及
(ⅲ)引入活化气体并点燃等离子体以蚀刻所述钨的经改性的表面的至少一部分。