一种高密度射频多芯片封装结构的制作方法

文档序号:12474057阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种高密度射频多芯片封装结构,其特征在于,包括:基片(1)、基片(2)、基片(3)、壳体(4)、芯片(5)、芯片(6)、芯片(7)、芯片(8),其中:

所述壳体(4)组装在所述基片(1)上并与所述基片(1)围成空间,所述基片(2)、所述基片(3)、所述芯片(5)、所述芯片(6)、所述芯片(7)、所述芯片(8)均设置于所述空间内;

所述芯片(6)组装在所述基片(1)上;

所述芯片(8)组装在所述基片(2)上,并通过所述基片(2)与所述基片(1)连接;

所述芯片(5)组装在所述壳体(4)上;

所述芯片(7)组装在所述基片(3)上,并通过所述基片(3)与所述壳体(4)连接。

2.根据权利要求1所述的高密度射频多芯片封装结构,其特征在于,所述芯片(5)、所述芯片(6)、所述芯片(7)、所述芯片(8)为有源射频电路组件或无源射频电路组件。

3.根据权利要求1所述的高密度射频多芯片封装结构,其特征在于,所述基片(1)为所述芯片(6)提供信号通道、接地通道和热量耗散通道。

4.根据权利要求1所述的高密度射频多芯片封装结构,其特征在于,所述基片(2)和所述基片(1)为所述芯片(8)提供信号通道、接地通道和热量耗散通道。

5.根据权利要求1所述的高密度射频多芯片封装结构,其特征在于,所述基片(1)和所述壳体(4)为所述芯片(5)提供信号通道、接地通道和热量耗散通道。

6.根据权利要求1所述的高密度射频多芯片封装结构,其特征在于,所述基片(3)、所述壳体(4)和所述基片(1)为所述芯片(7)提供信号通道、接地通道和热量耗散通道。

7.根据权利要求1所述的高密度射频多芯片封装结构,其特征在于,所述壳体(4)的材质为塑料材料、陶瓷材料、金属材料中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的高密度射频多芯片封装结构,其特征在于,高密度射频多芯片封装结构设置于通信设备、导航设备、移动电话、个人数字终端、台式计算机、便携式计算机、平板计算机中的至少一个中。

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