技术总结
本发明涉及一种高密度射频多芯片封装结构，包括：基片(1)、基片(2)、基片(3)、壳体(4)、芯片(5)、芯片(6)、芯片(7)、芯片(8)，壳体(4)组装在基片(1)上并与基片(1)围成空间，基片(2)、基片(3)、芯片(5)、芯片(6)、芯片(7)、芯片(8)均设置于空间内；芯片(6)组装在基片(1)上；芯片(8)组装在基片(2)上，并通过基片(2)与基片(1)连接；芯片(5)组装在壳体(4)上；芯片(7)组装在基片(3)上，并通过基片(3)与壳体(4)连接，能够将若干有源芯片和若干无源器件进行三维混合高密度集成。
技术研发人员：欧清海;高强;李良;张忠瑞;程大伟;王峥;赵东艳;曾令康;刘柱;廖逍
受保护的技术使用者：国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网公司
文档号码：201610653380
技术研发日：2016.08.11
技术公布日：2016.12.21