一种高压快速软恢复二极管及其制造方法与流程

技术总结
本发明涉及一种高压快速软恢复二极管，包括p+区阳极和n+区阴极，n+区阴极之上设置有n缓冲层，n缓冲层之上设置有n‑漂移区，所述n‑漂移区与p+区阳极之间设置有p基区，在阳极p+区和n‑区之间引入p缓冲层结构。本发明具有隐埋p+区的FRD新结构可以使器件的反向恢复特性变软，反向恢复峰值功耗变低。

技术研发人员：王宇澄;周祥瑞
受保护的技术使用者：无锡橙芯微电子股份有限公司
文档号码：201610663161
技术研发日：2016.08.12
技术公布日：2017.01.04