1.一种包括多个静态随机存取存储器单位单元的静态随机存取存储器，所述多个静态随机存取存储器单位单元中的每一个都由单元边界限定并且包括：
第一鳍结构、第二鳍结构、第三鳍结构和第四鳍结构，在第一方向上延伸并且布置在与所述第一方向相交的第二方向上；
第一鳍式场效应晶体管，由第一栅电极和所述第一鳍结构形成；
第二鳍式场效应晶体管，由第二栅电极和所述第一鳍结构形成；
第三鳍式场效应晶体管，由所述第二栅电极和所述第三鳍结构形成；
第四鳍式场效应晶体管，由第三栅电极和所述第二鳍结构形成；
第五鳍式场效应晶体管，由第四栅电极和所述第二鳍结构形成；
第六鳍式场效应晶体管，由所述第四栅电极和所述第四鳍结构形成；
第一伪鳍结构，位于邻近所述第二鳍式场效应晶体管的位置处并且通过第一源极/漏极外延层连接至所述第一鳍结构；以及
第二伪鳍结构，位于邻近所述第五鳍式场效应晶体管的位置处并且通过第二源极/漏极外延层连接至所述第二鳍结构。
2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中，所述第一伪鳍结构位于所述单元边界的在所述第一方向上延伸的第一侧上并且被所述第二方向上的邻近的静态随机存取存储器单位单元共用。
3.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中，所述第一伪鳍结构位于所述单元边界内并且被所述第二方向上的邻近的静态随机存取存储器单位单元共用。
4.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中：
所述第一鳍结构和所述第二鳍结构在所述第一方向上并且在所述单元边界的底侧与所述单元边界的和所述底侧相对的顶侧之间延伸，
所述第三鳍结构在所述第一方向上从所述底侧延伸并且比所述第一鳍结构短，
所述第四鳍结构在所述第一方向上从所述顶侧延伸并且比所述第一鳍结构短，
所述第一伪鳍结构和所述第二伪鳍结构比所述第三鳍结构和所述第四鳍结构短。
5.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中：
所述第一源极/漏极外延层是所述第二鳍式场效应晶体管的源极，以及
所述第二源极/漏极外延层是所述第五鳍式场效应晶体管的源极。
6.根据权利要求5所述的静态随机存取存储器，还包括：
第一接触条，设置在所述第一源极/漏极外延层上方并且电连接至第一电源线，以及
第二接触条，设置在所述第二源极/漏极外延层上方并且电连接至所述第一电源线，其中：
所述第一接触条位于所述单元边界上并且被所述第一方向和所述第二方向上的邻近的静态随机存取存储器单位单元共用，和
所述第二接触条位于所述单元边界上并且被所述第一方向和所述第二方向上的邻近的静态随机存取存储器单位单元共用。
7.根据权利要求6所述的静态随机存取存储器，还包括：
第三接触条，将所述第一鳍式场效应晶体管的漏极和所述第二鳍式场效应晶体管的漏极连接至所述第三鳍式场效应晶体管的漏极，并且所述第三接触条电连接至字线；以及
第四接触条，将所述第四鳍式场效应晶体管的漏极和所述第五鳍式场效应晶体管的漏极连接至所述第六鳍式场效应晶体管的漏极，并且所述第四接触条电连接至所述字线。
8.根据权利要求7所述的静态随机存取存储器，还包括：
第五接触条，设置在所述第一鳍式场效应晶体管的源极上方并且电连接至第一位线；
第六接触条，设置在所述第三鳍式场效应晶体管的源极上方并且电连接至第二电源线；
第七接触条，设置在所述第六鳍式场效应晶体管的源极上方并且电连接至所述第二电源线；以及
第八接触条，设置在所述第四鳍式场效应晶体管的源极上方并且电连接至第二位线。
9.一种包括多个静态随机存取存储器单位单元的静态随机存取存储器，所述多个静态随机存取存储器单位单元中的每一个都由单元边界限定并且包括：
第一鳍结构，在第一方向上并且在所述单元边界的底侧与所述单元边界的和所述底侧相对的顶侧之间延伸；
第二鳍结构，在所述第一方向上并且在所述单元边界的底侧与所述单元边界的和所述底侧相对的顶侧之间延伸；
第三鳍结构，在所述第一方向上从所述底侧延伸，所述第三鳍结构比所述第一鳍结构短；
第四鳍结构，在所述第一方向上从所述顶侧延伸，所述第四鳍结构比所述第二鳍结构短；以及
六个场效应晶体管，每一个都包括栅电极并且包括所述第一鳍结构至所述第四鳍结构中的仅仅一个，其中：
所述第一鳍结构至所述第四鳍结构顺序设置在与所述第一方向相交的第二方向上，
在所述第一方向上延伸的伪鳍结构设置在四个邻近的静态随机存取存储器单位单元聚集的角部处，所述伪鳍结构被所述四个邻近的静态随机存取存储器单位单元共用，和
所述伪鳍结构中的每一个都电连接至所述四个邻近的静态随机存取存储器单位单元的四个第一鳍结构或所述四个邻近的静态随机存取存储器单位单元的四个第二鳍结构。
10.一种包括多个静态随机存取存储器单位单元的静态随机存取存储器，所述多个静态随机存取存储器单位单元中的每一个都由单元边界限定并且包括：
第一鳍结构，在第一方向上并且在所述单元边界的底侧与所述单元边界的和所述底侧相对的顶侧之间延伸；
第二鳍结构，在所述第一方向上并且在所述单元边界的底侧与所述单元边界的和所述底侧相对的顶侧之间延伸；
第三鳍结构，在所述第一方向上从所述底侧延伸，所述第三鳍结构比所述第一鳍结构短；
第四鳍结构，在所述第一方向上从所述顶侧延伸，所述第四鳍结构比所述第三鳍结构短；以及
六个场效应晶体管，每一个都包括栅电极并且包括所述第一鳍结构至所述第四鳍结构中的仅仅一个，其中：
所述第一鳍结构至所述第四鳍结构顺序设置在与所述第一方向相交的第二方向上，
在所述第二方向上延伸的第一接触条设置在四个邻近的静态随机存取存储器单位单元聚集的角部处，并且所述第一接触条被所述四个邻近的静态随机存取存储器单位单元共用，和
所述第一接触条中的每一个都设置在所述四个邻近的静态随机存取存储器单位单元的四个第一鳍结构上或所述四个邻近的静态随机存取存储器单位单元的四个第二鳍结构上。