1.一种集成芯片，包括：
半导体衬底；
测试线字母结构，配置在所述半导体衬底上方并具有在所述测试线字母结构的上表面与所述测试线字母结构的下表面之间垂直延伸的一个或多个沟槽；以及
其中，所述一个或多个沟槽配置在所述测试线字母结构内以在所述测试线结构的上表面中形成具有字母数字字符的形状的开口，
其中，所述测试线字母结构包括：
第一多晶硅层，配置在所述半导体衬底上方；
第二多晶硅层，配置在所述半导体衬底上方并与所述第一多晶硅层横向偏离；以及
三层电荷捕获介电层，横向配置在所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层之间，并且垂直配置在所述第二多晶硅层和所述半导体衬底之间。
2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述一个或多个沟槽在所述测试线字母结构内形成具有所述字母数字字符的形状的连续开口。
3.根据权利要求2所述的集成芯片，还包括：
一个或多个伪结构，配置在所述连续开口内，并且一个或多个伪结构的高度等于所述测试线字母结构的高度。
4.根据权利要求3所述的集成芯片，其中，所述一个或多个伪结构包括与所述测试线字母结构相同的材料。
5.根据权利要求3所述的集成芯片，其中，所述一个或多个伪结构与所述测试线字母结构中的所述连续开口的侧壁横向隔离开。
6.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：
导电测试线，在所述半导体衬底上方配置在与所述测试线字母结构相邻的位置处，所述导电测试线被配置为接收来自晶圆探针的电测试信号。
7.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：
高k金属栅极晶体管，在所述半导体衬底内配置在与所述测试线字母结构分离的位置处，所述高k金属栅极晶体管包括高k金属栅极结构，所述高k金属栅极结构垂直位于所述半导体衬底上方并横向配置在所述半导体衬底内的源极区域和漏极区域之间，
其中，所述高k金属栅极结构包括高k介电层和上覆的金属栅电极。
8.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：
硬掩模层，在所述半导体衬底上方配置在将所述一个或多个沟槽与所述第二多晶硅层和所述三层电荷捕获介电层横向分离的位置处。
9.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：
分裂栅极闪存单元，配置在与所述测试线字母结构分离的位置处，其中所述分裂栅极闪存单元包括选择栅电极，所述选择栅电极通过栅极介电层与所述半导体衬底垂直分离并且通过附加的三层电荷捕获介电层与控制栅电极横向分离。
10.根据权利要求9所述的集成芯片，其中，所述第一多晶硅层和所述选择栅电极包括相同的材料，并且所述第二多晶硅层和所述控制栅电极包括相同的材料。
11.根据权利要求9所述的集成芯片，其中，所述选择栅电极、所述控制栅电极、所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层具有垂直对齐的上表面。
12.一种集成芯片，包括：
测试线字母结构，配置在半导体衬底上方并具有在所述测试线字母结构的上表面与所述测试线字母结构的下表面之间垂直延伸的一个或多个沟槽，其中所述一个或多个沟槽被配置为在所述测试线字母结构的上表面中形成具有测试线识别字符的形状的开口；
一个或多个伪结构，配置在所述测试线识别字符内；以及
导电测试线，在所述半导体衬底上方配置在与所述测试线字母结构相邻的位置处，所述导电测试线被配置为接收来自晶圆探针的电测试信号；
其中，所述测试线字母结构包括：
第一多晶硅层，配置在所述半导体衬底上方；
第二多晶硅层，配置在所述半导体衬底上方并与所述第一多晶硅层横向偏离；以及
三层电荷捕获介电层，横向配置在所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层之间，并且垂直配置在所述第二多晶硅层和所述半导体衬底之间。
13.根据权利要求12所述的集成芯片，还包括：
硬掩模层，在所述半导体衬底上方配置在将所述一个或多个沟槽与所述第二多晶硅层和所述三层电荷捕获介电层横向分离的位置处。
14.根据权利要求12所述的集成芯片，还包括：
高k金属栅极晶体管，在所述半导体衬底内配置在与所述测试线字母结构分离的位置处，其中所述高k金属栅极晶体管包括高k金属栅极结构，所述高k金属栅极结构垂直位于所述半导体衬底上方并且横向配置在所述半导体衬底内的源极区域和漏极区域之间，
其中，所述高k金属栅极结构包括高k介电层和上覆的金属栅电极。
15.根据权利要求12所述的集成芯片，其中，所述测试线识别字符包括包含在连续测试线字母结构内的独立的字母数字字符的序列。
16.一种形成集成芯片的方法，包括：
在半导体衬底上方形成测试线字母结构；
执行蚀刻工艺以选择性地蚀刻所述测试线字母结构，以形成垂直延伸到所述测试线字母结构中的一个或多个沟槽，所述一个或多个沟槽在所述测试线字母结构的上表面内形成具有测试线识别字符的形状的开口；以及
在所述半导体衬底上方在与所述测试线字母结构相邻的位置处形成导电测试线，所述导电测试线被配置为接收来自晶圆探针的电测试信号；
其中，所述测试线字母结构包括：
第一多晶硅层，配置在所述半导体衬底上方；
第二多晶硅层，配置在所述半导体衬底上方并与所述第一多晶硅层横向偏离；以及
三层电荷捕获介电层，横向配置在所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层之间，并且垂直配置在所述第二多晶硅层和所述半导体衬底之间。
17.根据权利要求16所述的形成集成芯片的方法，其中，执行所述蚀刻工艺同时形成配置在所述半导体衬底上方的分裂栅极闪存单元的选择栅极。
18.根据权利要求16所述的形成集成芯片的方法，还包括：
形成一个或多个伪结构，所述一个或多个伪结构配置在所述测试线识别字符内并且所述一个或多个伪结构的高度等于所述测试线结构的高度。