一种高效PERC晶体硅太阳能电池的制备方法及工艺与流程

技术特征：

1.一种高效PERC晶体硅太阳能电池的制备方法，依次包括制绒、扩散、刻蚀，镀Al₂O₃、镀背面SiNx 、镀正面SiNx 、丝网印刷、烧结步骤，其特征在于：所述制绒和扩散之间还进行酸抛光或碱抛光，所述扩散包括双面扩散和单面扩散，所述镀背面SiNx 和镀正面SiNx之间进行激光开槽或开孔。

2.按照权利要求1所述的高效PERC晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述烧结步骤之后进行测试。

3.一种高效PERC晶体硅太阳能电池的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

A、制绒：取800pcs多晶硅片，采用配液制备去重为0.3-0.8g的绒面；

B、抛光：通过富硝酸体系进行酸抛光使背表面反射率达到27-35%或PE掩膜后进行碱抛光使背表面反射率达到30-40%，过HF槽去除掩膜；

C、扩散：扩散时各取400pcs分别进行单面扩散和双面扩散，以POCl₃为磷源，采用两步扩散的方式，沉积和推进时间分别为16-18min和12-14min，扩散温度为810-850 ℃；

D、刻蚀：经过配液体积比为HNO₃：HF=10:1的刻蚀槽去除边缘与背面的PN结；

E、镀Al₂O₃：通过原子层沉积背面镀氧化铝薄膜，沉积厚度8-12nm；

F、镀背面SiNx ：PECVD背面镀氮化硅，沉积厚度70-90 nm；

G、激光开槽：然后经过激光开槽，开槽深度为95-105nm；

H、镀正面SiNx：正面PECVD渡氮化硅膜，沉积厚度70-90 nm，镀膜温度为430-470℃；

I、丝网印刷：丝网印刷正背面金属浆料；

J：烧结：烧结炉峰值温度940-980℃下烧结制成PERC电池片。