1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上形成有源区材料层；
在所述有源区材料层上形成源漏极材料层；
采用灰阶掩膜板执行一次构图工艺，使所述源漏极材料层形成包括数据线的图形以及使所述有源区材料层形成位于所述源漏极材料层形成的图形下方的第一区域和位于所述第一区域外侧的第二区域；
在形成有数据线、第一区域和第二区域的所述基板上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成栅极材料层，采用一次构图工艺使所述成栅极材料层形成栅极的图形，且使所述栅极与所述第二区域的作为有源区的部分相对应；
使所述第二区域的位于所述栅极两侧的区域导体化，用以将所述有源区分别与所述数据线、像素电极电连接；
在形成有所述栅极的基板上形成所述像素电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述采用灰阶掩膜板执行一次构图工艺，使所述源漏极材料层形成包括数据线的图形的步骤，包括：
采用灰阶掩膜板通过一次构图工艺，使所述源漏极材料层形成包括数据线、漏极和源极的图形，所述源极和所述数据线电连接；
所述使所述第二区域的位于所述栅极两侧的区域导体化，用以将所述有源区分别与所述数据线、像素电极电连接的步骤，包括：
使在所述第二区域的位于所述栅极的两侧区域导体化，用以分别将所述有源区和所述源极、所述漏极电连接；
所述在形成有所述栅极的基板上形成所述像素电极的步骤，包括：
在形成有所述栅极的基板上形成与所述漏极电连接的所述像素电极。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在形成有所述栅极的基板上形成所述像素电极，包括以下步骤：
在形成有所述栅极的基板上形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成有机绝缘层；
采用一次构图工艺在所述有机绝缘层形成第一过孔；
在形成有具有第一过孔的所述有机绝缘层的基板上形成钝化层；
采用一次构图工艺在所述第一过孔位置处形成贯穿所述钝化层、所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的第二过孔和第三过孔，所述第二过孔对应所述第二区域与所述数据线电连接的位置处；所述第二过孔对应所述第二区域与所述像素电极电连接的位置处；
在具有所述第二过孔和所述第三过孔的基板上形成像素电极材料层；
采用一次构图工艺使所述像素电极材料层形成包括像素电极以及与第二过孔和第三过孔对应的连接电极的图形。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在形成有具有第一过孔的所述有机绝缘层的基板上形成钝化层的步骤，包括：
在形成有具有第一过孔的所述有机绝缘层的基板上形成公共电极材料层；
采用一次构图工艺使所述公共电极材料层形成公共电极；
在形成有所述公共电极的基板上形成所述钝化层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在基板上形成有源区材料层的步骤，包括：
在所述基板上形成有遮光材料层；
采用一次构图工艺使所述遮光材料层形成遮光层，用于遮挡所述有源区；
在形成有所述遮光层的所述基板上形成所述有源区材料层。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在形成有所述遮光层的所述基板上形成所述有源区材料层的步骤，还包括：
在形成有所述遮光层的所述基板上形成缓冲层；
在形成有所述缓冲层的所述基板上形成所述有源区材料层。
7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源区材料层为非晶硅材料层；
在所述有源区材料层上形成源漏极材料层之前，还包括：
将所述非晶硅材料层处理为多晶硅材料层。
8.一种阵列基板，其特征在于，采用权利要求1-7任意一项所述的阵列基板的制备方法制备获得。
9.一种显示装置，包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用权利要求8所述的阵列基板。