技术总结
本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其包括：在基板上形成图案与将形成的多晶硅图案层相同的遮光图案层；在基板上形成覆盖遮光图案层的缓冲层；在缓冲层上形成多晶硅图案层；对多晶硅图案层进行离子注入；在缓冲层上形成覆盖多晶硅图案层的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成栅极；对多晶硅图案层再次进行离子注入，以形成两个重掺杂部；在第一绝缘层上形成覆盖栅极的第二绝缘层；形成第一通孔和第二通孔，以将两个重掺杂部暴露；在第二绝缘层上形成填充第一通孔的源极以及填充第二通孔的漏极。本发明在形成多晶硅图案层时，以遮光图案层作为替代掩膜光罩，可以省去一道掩膜光罩，从而降低生产成本。
技术研发人员：陈辰
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
文档号码：201610807849
技术研发日：2016.09.07
技术公布日：2017.01.04