1.一种薄膜太阳能电池背电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（A）提供基板；（B）在所述基板上沉积用作薄膜电池前电极的透明导电氧化物薄膜；（C）在所述透明导电氧化物薄膜表面沉积薄膜太阳能电池；（D）在所述薄膜太阳能电池上沉积一层金属背电极；（E）在金属背电极上生成一层不导电或低导电率的薄膜以构成新的背电极。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池背电极制备方法，其特征在于:所述薄膜太阳能电池为非晶硅薄膜太阳能电池、微晶硅薄膜太阳能电池、CIGS薄膜太阳能电池或CdTe薄膜太阳能电池。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池背电极制备方法，其特征在于:所述透明导电氧化物为ITO、FTO或BZO。
4.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池背电极制备方法，其特征在于:所述背电极为Mo/Al/Cr电极、Ag/NiCr/Al电极、Mo电极、Al电极或Au电极。
5.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池背电极制备方法，其特征在于:所述步骤（E）中所生成的薄膜为AZO或BZO。
6.根据权利要求1或5所述的一种薄膜太阳能电池背电极制备方法，其特征在于:所述步骤（E）中所生成的薄膜厚度为10nm-1000nm。
7.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池背电极制备方法，其特征在于:所述步骤（E）中薄膜制备方法包括PVD溅射法或LPCVD。