1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括依次层叠的基板、金属反射层、氧化物反射层、P型欧姆接触层、P型电流扩展层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型电流扩展层、N型欧姆接触层，其特征在于，所述P型欧姆接触层上设有延伸至所述P型电流扩展层的半球型凹槽的阵列，所述氧化物反射层设有与所述半球型凹槽一一对应的通孔，所述通孔与对应的所述半球型凹槽连通。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述半球型凹槽的直径为4～5μm，所述半球型凹槽的深度为0.5μm，所述通孔的深度可以为1μm，所述半球型凹槽的间距为7～9μm。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型欧姆接触层的厚度为30～60nm，所述P型电流扩展层的厚度为1.5～2.5μm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型欧姆接触层和所述P型电流扩展层均为掺杂有CCl4或者CBr4的GaP层，所述P型欧姆接触层的掺杂浓度为3e19～8e19，所述P型电流扩展层的掺杂浓度为2e18～5e18。
5.根据权利要求1-3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述氧化物反射层采用ITO，所述金属反射层采用Au或Ag。
6.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在衬底上依次生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层；
在所述P型欧姆接触层上依次沉积氧化物反射层和金属反射层；
在所述金属反射层上形成具有通孔阵列的光刻胶；
在光刻胶的保护下对所述金属反射层和所述氧化物反射层进行刻蚀，在所示金属反射层上形成呈阵列排列的延伸至所述P型电流扩展层的通孔；
通过所述通孔对所述P型欧姆接触层和所述P型电流扩展层进行刻蚀，在所述P型欧姆接触层上形成延伸至所述P型电流扩展层的半球型凹槽；
去除所述光刻胶；
将基板与所述金属反射层键合，并填充所述金属反射层内的通孔；
去除所述N型腐蚀停层、所述缓冲层、以及所述衬底。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述金属反射层上形成具有通孔阵列的光刻胶，包括：
采用光刻工艺在所述金属反射层上形成具有通孔阵列的光刻胶。
8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述在光刻胶的保护下对所述金属反射层和所述氧化物反射层进行刻蚀，包括：
采用湿法刻蚀工艺对所述金属反射层和所述氧化物反射层进行刻蚀。
9.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述通过所述通孔对所述P型欧姆接触层和所述P型电流扩展层进行刻蚀，包括：
采用干法刻蚀工艺对所述P型欧姆接触层和所述P型电流扩展层进行刻蚀。
10.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述将基板与所述金属反射层键合，并填充所述金属反射层内的通孔，包括：
采用键合工艺将基板与所述金属反射层键合，并填充所述金属反射层内的通孔。