技术总结
本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括依次层叠的基板、金属反射层、氧化物反射层、P型欧姆接触层、P型电流扩展层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型电流扩展层、N型欧姆接触层，P型欧姆接触层上设有延伸至P型电流扩展层的半球型凹槽的阵列，氧化物反射层设有与半球型凹槽一一对应的通孔，通孔与对应的半球型凹槽连通。本发明通过连通的半球型凹槽和通孔在芯片内部形成折射率接近1的准真空层，有效降低了金属反射层和氧化物反射层组成的ODR中低折射率层的折射率，显著提高ODR的反射效率。
技术研发人员：李彤;韩家辉;邢振远;王世俊;董耀尽
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
文档号码：201610811314
技术研发日：2016.09.08
技术公布日：2017.02.22