压配端子的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请基于2015年9月18日提交的日本专利申请2015-184606和2016年5月23日提交的日本专利申请2016-102090，并要求上述两个申请的优先权，在此以援引方式纳入这两个申请的全部内容。

本公开涉及一种压配端子(press-fitterminal，压入端子)。

背景技术：

电子控制装置使用压配端子作为接线端子，该压配端子连接到电子电路、电源电路等。压配端子是这样一种接线端子，其电连接到电子电路板上的通孔的内表面，并被压配(压入)到该通孔中。因为担心当压配端子被压配到通孔中时，端子表面会被刮削，因此端子的表面要经过电镀处理。

例如，在jp2006-114492a(参考文献1)中进行了下述表面处理。

首先，使基材的表面经过镀ni(镍)以便形成电镀基底层。接着，使电镀基底层的表面依次经过镀cu(铜)和镀sn(锡)。进一步，在经过上述电镀的基材上进行回流处理(热处理)。

借助这种处理，在压配端子(基材)的表面上形成了具有比sn层的表面硬度更高的表面硬度的cu-sn合金层。

然而，cu的熔点高于sn的熔点，因此在回流处理期间难以充分地熔化cu镀层，且使cu不均匀地散布在sn镀层中，或使cu不能够沉积在sn镀层的表面上，这是容易发生在参考文献1公开的表面处理方法中的问题。此外，人们还担心的是，在表面处理的过程中，因受cu镀层(覆膜)与sn镀层(覆膜)之间的膜的厚度变化的影响，使cu-sn合金层不均一地形成在基材的表面层上。

由于上述因素，在该表面处理方法中，存在着压配端子的电镀表面层的表面硬度部分地降低、且当压配端子被压配到通孔中时镀层局部被刮削的问题。因此，相关技术领域需要一种与现有技术中的压配端子相比，其表面被刮削的可能性较小的压配端子。

技术实现要素：

因此，本发明的目的在于提供一种不具有上文所述的缺点的压配端子，尤其提供一种压入通孔时电镀表面层整体难以被刮削的压配端子。

本发明优选地包括基材和在该基材表面上实施的由sn-ni合金构成的电镀表面层。

在本发明中，在压配端子的表面上形成有由sn-ni合金构成的电镀表面层。

在电镀表面层中均匀地散布有ni，并且ni在电镀表面层的最上层表面出现。因此，能够充分提高电度表面层整体的表面硬度。

因此，在将压配端子压入电子电路基板的通孔时，能够减小压配端子的表面被切削的可能性。

优选为，所述电镀表面层中的ni含量(含有率)在10wt％以上40wt％以下。

当电镀表面层中的ni含量不足10wt％时，不能使电镀表面层整体的表面硬度足够大。因此，在这种情况下，将压配端子压入电子电路基板的通孔时，压配端子的表面被刮削的可能性变大。

另外，当电镀表面层中的ni含量大于40wt％时，导致压配端子相对电子电路基板的通孔的接触电阻变得过大。

但是，当电镀表面层中的ni含量在10wt％以上40wt％以下时，能够降低发生上述情况的可能性。

优选为，所述基材为cu或者cu合金，在所述基材与所述电镀表面层之间具有作为ni覆膜的电镀基底层，所述电镀表面层的厚度为0.3μm以下，所述电镀基底层中的ni结晶(晶体)的最大粒径为500nm以下。

需要说明的是，本说明书中的“ni覆膜”不仅包括“仅含有ni的覆膜”，还包括“含有ni和除ni以外的其它成分的覆膜”。

如果具有上述构造，则能够利用作为ni覆膜的电镀基底层，抑制基材中的cu在电镀表面层(sn)中扩散。此外，由于电镀基底层的硬度变高且电镀表面层变薄，因此压配端子的表面硬度变高。

优选地，所述电镀基底层含有邻磺酰苯甲酰亚胺(糖精)和1,4-丁炔二醇作为增亮剂。

如果具有上述构造，则电镀基底层以ni结晶变细的状态形成。因此，能够使电镀基底层的ni结晶的最大粒径的尺寸在500nm以下。

附图说明

通过参照附图来理解下文的详细描述，本公开的前述的和其它的特征与特点将变得更为清晰易懂，其中：

图1是示出根据本公开的一实施例的压配端子被压配到电子电路板上的通孔中的状态的示意图；

图2是压配端子的压配部的断面图；

图3是表示示例1和示例2以及比较例1和比较例2中的压配端子的电镀条件和相应的试验结果的表；以及

图4是表示本公开的示例3(属于第二实施例)、示例4(属于第三实施例)和示例5(属于第四实施例)中的压配端子的电镀条件和相应的试验结果的表。

具体实施方式

在下文中，将参照图1到图3描述本公开的第一实施例。

压配端子10形成为细长形。如图1所示，压配端子10的尖端侧上设置有压配部11。在压配部11中形成有狭缝12，从而压配部11能沿压配端子10的宽度方向弹性变形。

如图1所示，在电子电路板20的表面上形成有电子电路(图中未示出)，通孔21的表面经过金属镀层以便被连接到电子电路。

当压配端子10的压配部11被压配到电子电路板20的通孔21中时，压配部11与通孔21的表面接触，同时沿宽度变得更小的方向弹性变形。因此，压配端子10与电子电路板20的电子电路通过通孔21的金属镀层而彼此导电。

压配端子10是通过由基板经冲压加工而获得基材的表面上进行电镀处理而被制成。上述基板(基材)由cu或cu合金制成。通过冲压加工，压配端子10从基板形成为如图1所示的形状。而且，在基材15的表面(包括在冲压加工中形成的断面)上形成电镀基底层16(其为ni覆膜)，如图2所示。电镀基底层16的厚度在0.5μm到2.0μm的范围内。通过使用含有例如ni离子的电镀液进行电镀而在基材15的表面上形成电镀基底层16。应注意到，优选的是在使电镀基底层16形成在基材15的表面上之前，在基材15的表面上进行(诸如电解脱脂、酸洗和水洗之类的)表面处理。

此外，如图2所示，由sn-ni合金构成的电镀表面层(覆膜)17形成在电镀基底层16的表面上。

电镀表面层17是通过使用含有例如sn离子和ni离子的sn-ni合金电镀液而电镀形成在压配端子10的表面上。考虑到诸如sn-ni合金电镀液和螯合剂中的sn离子与ni离子的比的电镀条件，ni均匀地分散到电镀表面层17并被沉积在电镀表面层17的表面上。在这种情况下，在使电镀表面层17的电镀处理在电镀基底层16的表面上进行之后，不必进行回流处理。应注意，优选地，在电镀处理在电镀表面层17上进行之前，(诸如酸洗和水洗的)表面处理在电镀基底层16的表面上进行。

电镀表面层17中的ni含量被设定在10wt％到40wt％的范围内。此外，电镀表面层17的厚度在0.5μm到2.0μm的范围内。

ni均匀地散布在电镀表面层17中并且被沉积在电镀表面层17的表面上，这样，电镀表面层17的整体表面硬度足够高。因此，当压配端子10的压配部11被压配到电子电路板20的通孔21中时，电镀表面层17(其为压配部11的表面)被通孔21的表面刮削的可能性较小。

因此，能够将压配端子10与电子电路板20可靠地彼此连接。

应注意到，若电镀表面层17中的ni含量小于10wt％，则电镀表面层17的整体表面硬度并不足够高。因此，在这种情况下，当压配端子10的压配部11被压配到电子电路板20的通孔21中时，压配部11的电镀表面层17很可能被刮削。

此外，若电镀表面层17中的ni含量大于40wt％，则难以在压配端子10上进行sn-ni合金电镀以便设定所期望的ni比率。而且，在这种情况下，压配端子10的压配部11相对于电子电路板20的通孔21的接触电阻变得过大。

然而，当电镀表面层17中的ni含量被设定为如本实施例中所述的10wt％到40wt％的范围内时，能够减少上述缺陷的发生。

此外，在压配端子10中，电镀基底层16被插入于基材15与电镀表面层17之间。

因此，能够防止基材15中的cu通过电镀基底层16而被散布到电镀表面层17(sn)中。

随后，将描述本公开的示例(示例1)与比较例。应注意到，在示例1中与在相应的比较例中压配端子的基材具有大致相同的尺寸。此外，每个基材的材料都是cu。

示例1

示例1中的压配端子是通过使用与上述实施例中的压配端子10相同的制造方法制成。如图3的表中所示，示例1中的压配端子的电镀基底层的厚度是1.0μm，电镀表面层的厚度是2.0μm。此外，电镀表面层中的ni含量是10wt％。

示例2

示例2中的压配端子是通过使用与上述实施例中的压配端子10相同的制造方法制成。如图3的表中所示，示例2中的压配端子的电镀基底层的厚度是1.0μm，电镀表面层的厚度是2.0μm。此外，电镀表面层中的ni含量是35wt％。

比较例1

比较例1中的压配端子是通过使用与上述实施例中的压配端子10相同的制造方法制成。如图3的表中所示，比较例1中的压配端子的电镀基底层的厚度是1.0μm，电镀表面层的厚度是2.0μm。此外，电镀表面层中的ni含量是5wt％。

比较例2

图3的表中所示的比较例2中的压配端子是通过使用与上述实施例中的压配端子10不同的制造方法制成。即，在ni镀层形成于基材的表面上之后，在ni镀层的表面上形成sn镀层，随后在压配端子上进行回流处理，从而制成比较例2中的压配端子。电镀基底层16是通过使用含有ni离子的电镀液而电镀形成。在这种情况下，sn镀层和ni镀层在回流处理期间被熔化，由此在sn镀层与ni镀层之间的边界处形成sn-ni合金。然而，由于电镀表面层增厚，在回流处理期间ni难以在sn镀层的内部扩散，因此ni不会出现在电镀表面层的最外部表面上。应注意到，在前述电镀液中没有添加增亮剂。

比较例2中的压配端子的ni镀层(基底镀层)的厚度是1.0μm，sn镀层(电镀表面层)的厚度是2.0μm。而且，sn镀层(电镀表面层)中的ni含量是30wt％。

随后，下文将描述示例1和示例2以及比较例1和比较例2的性能评价试验结果。

刮削抑制试验

将示例1和示例2以及比较例1和比较例2中的相应的压配端子的每个压配部压配(插入)到电子电路板20的通孔21中，随后目视确定在镀层中产生的刮削的量。具体而言，在将每个压配端子插入到通孔21之后，在压配端子插入通孔21中的状态下，目视评价集中在通孔21附近的镀层中所产生的刮削的存在。结果，如图3的表中所示，在示例1和示例2中未确定有刮削存在。另一方面，在比较例1和比较例2中确定有刮削。

比较例1中的压配端子的电镀表面层中的ni含量是5wt％，小于示例1与示例2中的ni含量。因此，该电镀表面层的表面硬度不足够高，由此，据估计其刮削量大于示例1与示例2中的刮削量。

在比较例2的压配端子中，通过进行回流处理而使sn镀层与ni镀层被熔化，使得在sn镀层与ni镀层之间的边界处形成sn-ni合金。然而，电镀表面层变厚，因此在回流处理期间ni不会均匀地扩散到sn镀层中。即，ni不会出现或几乎不会出现在最外部电镀表面层上。在这种情况下，电镀表面层的表面硬度降低，由此，据估计电镀表面层被通孔21刮削。

表面硬度试验

通过维氏硬度试验测量示例1和示例2以及比较例1和比较例2中的压配端子的表面硬度。同时，维氏硬度试验是通过使用微型维氏硬度试验机(由future-techcorp制造，产品名：fm-ars900)进行的。

结果，如图3的表中所示，能够确定示例1与示例2中的压配端子具有足够高的硬度。另一方面，确定比较例1与比较例2中的压配端子的硬度不足。

可以认为，导致上述结果的因素与刮削抑制试验情况下的因素相同。

破裂试验

在示例1和示例2以及比较例1和比较例2中的每个压配端子的压配部被压配到电子电路板20的通孔21中之后，当将压配部从通孔21中拔出时，目视确定在压配部的电镀表面层上是否发生破裂。结果，如图3的表中所示，在任何压配端子中均未发现破裂。

综合评价

根据上述结果，示例1和示例2的综合评价被确定为通过(○)，比较例1和比较例2的综合评价被确定为失败(×)。

随后，将主要参照图4描述本公开的第二实施例。应注意到，与第一实施例中相同的构件以相同的附图标记表示，且其详细描述将不再重复。

本实施例的压配端子10的基底结构与第一实施例中的相同。即，本实施例的压配端子10也是通过在经基板的冲压加工而获得的基材的表面上进行电镀处理而制成的。此外，压配端子10具有基材15、电镀基底层16和电镀表面层17。

电镀基底层16(其为ni覆膜)形成在由cu或cu合金制成的基材15的表面(包括在冲压加工时形成的断面)上。电镀基底层16的厚度在1.5μm到2.0μm的范围内。

通过使用含有例如ni离子的电镀液进行电镀而在基材15的表面上形成电镀基底层16。电镀液包括作为主增亮剂的邻磺酰苯甲酰亚胺(糖精)和作为次增亮剂的1,4-丁炔二醇。同时，优选的是，在使电镀基底层16形成在基材15中之前，在基材15的表面上进行(诸如电解脱脂、酸洗和水洗之类的)表面处理。

另外，在电镀基底层16的表面上形成电镀表面层(覆膜)17，该电镀表面层由sn-ni合金构成且具有等于或小于0.3μm的厚度。

电镀表面层17例如通过以下步骤形成。即，首先通过使用含有sn离子的电镀液进行电镀而在电镀基底层16的表面上形成sn层。接着，在压配端子10上进行回流处理。由此，电镀基底层16和电镀表面层17被熔化。此外，由于电镀表面层17很薄，所以在回流处理期间ni被扩散至电镀表面层17的最外部表面(ni在电镀表面层的内部均匀地扩散)，因此，ni出现在电镀表面层17的最外部表面。以此方式，电镀表面层17由sn-ni合金构成。

同时，优选的是，在电镀表面层17上进行电镀处理之前，在电镀基底层16的表面上进行(诸如酸洗和水洗之类的)表面处理。

电镀基底层16是通过使用包括作为主增亮剂的邻磺酰苯甲酰亚胺和作为次增亮剂的1,4-丁炔二醇的电镀液而形成的。因此，在ni结晶(crystal，晶体)被细化的状态下形成电镀基底层16。更具体地说，电镀基底层16的ni结晶的最大粒径等于或小于500nm(纳米)。电镀基底层16中的ni结晶如上所述地被细化，由此电镀基底层16的硬度变得更高。应注意到，电镀基底层16的硬度变得更高的原因被估计为如下：即，可以认为当电镀基底层16中的ni结晶被细化时，电镀基底层16(ni涂覆层)中的ni结晶颗粒之间的滑移被抑制，由此，覆膜的硬度变得更高。此外，可以认为电镀基底层16中包含的邻磺酰苯甲酰亚胺和1,4-丁炔二醇被附着在ni结晶颗粒的表面上，ni结晶颗粒之间的滑移被抑制，由此，覆膜的硬度变得更高。

此外，电镀基底层16(ni层)被设置于电镀表面层17的内侧，该电镀基底层16具有大于电镀表面层17的厚度和高于sn的硬度。因此，压配部11的表面硬度变得过高。具体而言，压配部11的表面硬度等于或大于400hv。

因此，当压配端子10的压配部11被压配到电子电路板20的通孔21中时，电镀表面层17(其为压配部11的表面)被通孔21的表面刮削的可能性较小。因此，能够将压配端子10和电子电路板20可靠地彼此连接。

而且，本实施例的压配端子10的电镀表面层17(sn层)的厚度等于或小于0.3μm，由此，当将压配端子10的压配部11从通孔21中拔出时，电镀表面层17坍塌(崩溃)的可能性较小。

因此，作为将压配端子10的压配部11从通孔21中拔出所需的负荷，拔出负荷变得更大。换言之，被压配到通孔21中的压配端子10从通孔21中意外脱出的可能性较小。

同时，若电镀基底层16是使用不含增亮剂(邻磺酰苯甲酰亚胺和1,4-丁炔二醇)的电镀液形成的，则电镀基底层16是在ni结晶颗粒变得更大的状态下形成的。即，电镀基底层16中的ni结晶的最大粒径大于500nm。因此，电镀基底层16的硬度变低。结果是，适配部11的表面硬度变低。因此，在这种情况下，当将压配端子10的适配部11从通孔21中拔出时，电镀表面层17的表面易于坍塌。因此，在这种情况下，相对于压配部11的通孔21的拔出负荷变得小。

此外，在电镀表面层17(sn层)被设定为大于0.3μm的情况下，当将压配部11从通孔21中拔出时，电镀表面层17(其比电镀基底层16更柔韧)易于坍塌。因此，在此情况下，相对于压配部11的通孔21的拔出负荷变得更小。

随后，将在下文中描述本公开的示例3。应注意到，与示例1中相同的基材被用作示例3中的压配端子的基材。

示例3

示例3中的压配端子是通过使用与第二实施例中的压配端子10相同的制造方法制成。如图4的表中所示，示例3中的压配端子的电镀基底层16的厚度是2.0μm，电镀表面层17的厚度是0.2μm。此外，电镀表面层17中的ni含量是25wt％。而且，在形成电镀基底层16时使用的电镀液含有作为主增亮剂的邻磺酰苯甲酰亚胺和作为次增亮剂的1,4-丁炔二醇。

电镀基底层16的ni结晶的最大粒径等于或小于0.5μm(500nm)。ni结晶的粒径是以如下方式测量的：通过使用场发射扫描电子显微镜(fe-sem，由hitachi公司制造，产品名：su-70)捕捉压配端子的截面图像，通过使用电子束背散射衍射分析仪(由oxfordinstruments制造，产品名：incax-act)测量捕捉图像中的ni结晶的粒径(粒尺寸)。应注意到，下文将描述的示例4和示例5中的ni结晶的最大粒径也通过使用如上所述的相同的装置和相同的方法来测量。

随后，将描述示例3中的性能评价试验结果。

刮削抑制试验

在示例3中的压配端子的压配部被压配到(插入)电子电路板20的通孔21中之后，通过目视确定镀层中产生的刮削的量。具体而言，在将压配端子插入通孔21之后，在压配端子插入到通孔21的状态下，目视评价集中在通孔21附近的镀层中所产生的刮削的存在。结果，如图4的表中所示，在示例3中未确定有刮削存在。

如下文将描述的，示例3中压配端子的压配部的表面硬度过高。由此，据估计示例3中的压配部的电镀表面层几乎没有被刮削。

表面硬度试验

通过维氏硬度试验测量示例3中的压配端子的表面硬度。应注意到，维氏硬度试验是通过使用微型维氏硬度试验机(由future-techcorp制造，产品名：fm-ars900)进行的。

结果，如图4的表中所示，能够确定示例3中的压配端子具有足够高的表面硬度(表面硬度等于或高于400hv)。

拔出负荷试验

将负荷测量装置连接到示例3中的压配端子，将压配部压配到电子电路板20的通孔21中，随后将负荷测量装置拉出以便从通孔21中拔出压配部。此外，当压配部被从通孔21中拔出时，通过使用自动负荷测试仪(由japaninstrumnentationsystem公司制造，产品名：maxseriesdesktoptype)测负荷量。

结果，如图4的表中所示，示例3中的拔出负荷足够大。

综合评价

根据上述结果，示例3的综合评价被确定为通过(o)。

随后，将主要参照图4描述本公开的第三实施例。应注意到，与第一实施例和第二实施例中相同的构件以相同的附图标记表示，且其详细描述将不再重复。

本实施例的压配端子10的基底结构与第一实施例和第二实施例中的基底结构相同。

电镀基底层16(其为ni覆膜)形成在基材15的表面(包括在冲压加工时形成的断面)上。电镀基底层16的厚度在1.5μm到2.0μm的范围内。

通过使用含有例如ni离子的电镀液进行电镀而在基材15的表面上形成电镀基底层16。这里，电镀液不包括作为主增亮剂的邻磺酰苯甲酰亚胺和作为次增亮剂的1,4-丁炔二醇。同时，优选的是，在使电镀基底层16形成于基材15中之前，在基材15的表面上进行(诸如电解脱脂和水洗之类的)表面处理。

另外，在电镀基底层16的表面上形成电镀表面层(覆膜)17，该电镀表面层由sn-ni合金构成且具有等于或小于0.3μm的厚度。

电镀表面层17例如通过与第二实施例中的步骤相同的步骤形成。

而且，电镀基底层16(ni层)被设置于电镀表面层17的内侧，该电镀基底层16具有大于电镀表面层17的厚度和高于sn的硬度。因此，压配部11的表面硬度变高。具体而言，压配部11的表面硬度等于或大于330hv。

因此，当压配端子10的压配部11被压配到电子电路板20的通孔21中时，电镀表面层17(其为压配部11的表面)被通孔21的表面刮削的可能性较小。因此，能够将压配端子10和电子电路板20可靠地彼此连接。

而且，本实施例的压配端子10的电镀表面层17(sn层)的厚度等于或小于0.3μm，因此，当压配端子10的压配部11从通孔21中拔出时，电镀表面层17坍塌的可能性较小。

因此，作为将压配端子10的压配部11从通孔21中拔出所需的负荷，拔出负荷变得更大。换言之，被压配到通孔21中的压配端子10从通孔21中意外脱出的可能性较小。

随后，将在下文中描述本公开的示例4，其为第三实施例的示例。应注意到，与示例1中相同的基材被用作示例4中的压配端子的基材。

示例4

示例4中的压配端子是通过使用与第二实施例中压配端子10不同的制造方法制成。如图4的表中所示，示例4中的压配端子的电镀基底层的厚度是2.0μm，电镀表面层的厚度是0.2μm。此外，电镀表面层中的ni含量是25wt％。这里，在形成电镀基底层时使用的电镀液不含有作为主增亮剂的邻磺酰苯甲酰亚胺和作为次增亮剂的1,4-丁炔二醇。

随后，将描述示例4的性能评价试验结果。

刮削抑制试验

通过与示例3中所用方式相同的方式来目视确定示例4中的压配端子的镀层中产生的刮削。结果，如图4的表中所示，在示例4中未确定有刮削存在。

如下文将描述的，示例4中压配端子的压配部的表面硬度过高。由此，据估计示例4中的压配部的电镀表面层几乎没有被刮削。

表面硬度试验

通过维氏硬度试验测量示例4中的压配端子的表面硬度。应注意到，维氏硬度试验是通过使用微型维氏硬度试验机(由future-techcorp制造，产品名：fm-ars900)进行的。

结果，如图4的表中所示，能够确定示例4中的压配端子具有相对高的表面硬度(表面硬度等于或高于330hv)。即，能够确定示例4中的压配端子的表面硬度等于或大于比较例1和比较例2中的表面硬度的两倍。

拔出负荷试验

当将示例4中的压配端子的压配部从通孔21中拔出时，以与示例3中所用方式相同的方式测量负荷。

结果，如图4的表中所示，示例4中的拔出负荷被确定为相应较高。

综合评价

根据上述结果，示例4的综合评价被确定为通过(o)。

随后，将主要参照图4描述本公开的第四实施例。应注意到，与第一实施例至第三实施例中的相同构件以相同的附图标记表示，且其详细描述将不再重复。

本实施例的压配端子10的基底结构与第一实施例至第三实施例中的基底结构相同。

电镀基底层16是ni覆膜，其形成在基材15的表面(包括在冲压加工时形成的断面)上。电镀基底层16的厚度在1.5μm到2.0μm的范围内。

电镀基底层16例如通过与第二实施例中的步骤相同的步骤形成。即，电镀基底层16通过使用含有例如ni离子的电镀液进行电镀而形成在基材15的表面上。电镀液含有作为主增亮剂的邻磺酰苯甲酰亚胺和作为次增亮剂的1,4-丁炔二醇。

另外，在电镀基底层16的表面上形成电镀表面层(覆膜)17，该电镀表面层由sn-ni合金构成且具有等于或小于0.3μm的厚度。

电镀表面层17例如通过与第二实施例和第三实施例中的步骤相同的步骤形成。

而且，电镀基底层16(ni层)被设置在电镀表面层17的内侧，该电镀基底层16具有大于电镀表面层17的厚度和高于sn的硬度。因此，压配部11的表面硬度变高。具体而言，压配部11的表面硬度等于或大于270hv。

因此，当压配端子10的压配部11被压配到电子电路板20的通孔21中时，电镀表面层17(其为压配部11的表面)被通孔21的表面刮削的可能性较小。因此，能够将压配端子10与电子电路板20可靠地彼此连接。

而且，本实施例的压配端子10的电镀表面层17(sn层)的厚度等于或小于0.4μm，因而当压配端子10的压配部11被从通孔21中拔出时，电镀表面层17坍塌的可能性较小。

因此，作为从通孔21中拔出压配端子10的压配部11所需的负荷，拔出负荷变得更大。换言之，被压配到通孔21中的压配端子10从通孔21中意外脱出的可能性较小。

随后，将在下文中描述本公开的示例5，其为第四实施例的一个示例。应注意到，与示例1中相同的基材被用作示例5中的压配端子的基材。

示例5

示例5中的压配端子是通过使用与第二实施例中压配端子10相同的制造方法被制造。如图4的表中所示，示例5中的压配端子的电镀表面层的厚度是0.4μm。此外，电镀表面层中的ni含量是10wt％。

随后，将描述示例5的性能评价试验结果。

刮削抑制试验

使用与示例3中所用方式相同的方式来目视确定示例5中的压配端子的镀层中产生的刮削。结果，如图4的表中所示，在示例5中未确定有刮削存在。

如下文将描述的，示例5中的压配端子的压配部的表面硬度相应较高。因此，据估计示例5中的压配端子的压配部几乎未被刮削。

表面硬度试验

示例5中的压配端子的表面硬度是以与示例3中所用方式相同的方式通过维氏硬度试验测量的。

结果，如图4的表中所示，能够确定示例5中的压配端子具有相应的高表面硬度(该表面硬度等于或高于270hv)。即，能够确定示例5中的压配端子所具有的表面硬度等于或大于比较例1和比较例2中表面硬度的两倍。

拔出负荷试验

当将示例5中的压配端子的压配部从通孔21中拔出时，以与示例3中所用方式相同的方式测量负荷。

结果，如图4的表中所示，示例5中的拔出负荷被确定为相应较高。

综合评价

根据上述结果，示例5的综合评价被确定为通过(o)。

如上文所述，描述了本公开的各个实施例；然而，本公开并不局限于上述实施例。

例如，压配端子10的基材的主要成分可由除cu之外的其它金属构成。

第一实施例的压配端子10可以不设有电镀基底层16。

优选地，根据本公开的一个方案的压配端子包括基材和通过用sn-ni合金对该基材的表面进行电镀而获得的电镀表面层。

在本公开的一个方面中，由sn-ni合金构成的该电镀表面层被形成在压配端子的表面上。

ni均匀地散布在电镀表面层中，并出现在电镀表面层的最外部表面上。因此，能够将整个电镀表面层的表面硬度设置得足够高。

因此，能够在压配端子被压配到电子电路板上的通孔中时，避免压配端子的表面被刮削。

电镀表面层中的ni含量可在10wt％到40wt％的范围内。

在电镀表面层中的ni含量小于10wt％的情况下，整个电镀表面层的表面硬度的程度是不足的。因此，在这种情况下，当压配端子被压配到电子电路板上的通孔中时，压配端子的表面可能被刮削。

而且，在电镀表面层中的ni含量大于40wt％的情况下，相对于压配端子的电子电路板的通孔的接触电阻变得过大。

然而，当电镀表面层中的ni含量被设定为在10wt％到40wt％的范围内时，能够减少上述缺陷的发生。

基材可由cu或cu合金制成，压配端子还可包括电镀基底层，该电镀基底层为基材与电镀表面层之间的ni覆膜，电镀表面层的厚度可以等于或小于0.3μm，而电镀基底层中的ni结晶的最大粒径可等于或小于500纳米。

应注意到，在本说明书中，术语“ni覆膜”的含义不仅包括“仅含有ni的覆膜”，而且也包括“含有ni和除ni之外的其它成分的覆膜”。

借助这种构造，能够防止基材中的cu通过电镀基底层(为ni覆膜)而被扩散到电镀表面层(sn)中。此外，由于电镀基底层的硬度高且电镀表面层变薄，所以压配端子的表面硬度高。

电镀基底层可含有作为增亮剂的邻磺酰苯甲酰亚胺和1,4-丁炔二醇。

借助这种构造，电镀基底层在ni结晶被细化的状态中形成。因此，能够将电镀基底层中的ni结晶的最大粒径设定为等于或小于500nm(纳米)。

在前述说明中描述了本发明的原理、优选实施例和操作模式。然而，所要保护的本发明不应被解释为局限于所公开的特定实施例。而且，本文描述的实施例应被认为是说明性的而非限制性的。其他人也可以做出多种变型和改变，并且可采用多种等同物，这并不脱离本发明的精神。因此，应明确指出的是，(本发明)由此涵盖如权利要求书中所限定的落入本发明的精神和范围内的所有这类变型、改变和等同物。