一种获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法与流程

技术特征：

1.一种获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法，其特征在于包括：

第一步骤：在衬底上依次形成耦合氧化层和浮栅多晶硅层，并且在所述浮栅多晶硅层上形成浮栅氮化硅层，然后布置掩膜，而且形成所述掩膜的图案；

第二步骤：随后利用形成图案的所述掩膜对所述浮栅氮化硅层进行刻蚀同时保证浮栅多晶硅具有一定的损失量以防止开口区域的浮栅氮化硅残留，然后基于浮栅氮化硅蚀刻以后的浮栅多晶硅剩余厚度利用反馈系统且各向同性蚀刻使各项同性蚀刻后的浮栅多晶硅剩余厚度相同，最终形成具有不同弧度的浮栅多晶硅，弧度大小取决于各向同性的蚀刻时间；在此步骤中浮栅氮化硅蚀刻以后浮栅多晶硅的剩余厚度不同，浮栅多晶硅的各项同性蚀刻需要选择不同的时间以保持各项同性蚀刻后的剩余厚度相同，因此，各项同性蚀刻以后浮栅多晶硅的弧度不同。

第三步骤：在浮栅氮化硅开口区域的浮栅多晶硅层上形成第一侧墙、第二侧墙、源多晶硅线；

第四步骤：根据对所述浮栅多晶硅层各向同性蚀刻所形成的弧度大小，对第一侧墙执行不同的湿法横向回刻蚀时间；

第五步骤：以第一侧墙为掩膜，通过干法蚀刻浮栅多晶硅，以形成最终的浮栅尖端。

2.根据权利要求1所述的获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法，其特征在于还包括第六步骤：形成隧穿氧化层、字线以及字线侧墙。

3.根据权利要求1所述的获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法，其特征在于，在第四步骤中，在所述形成的弧度大小不同的情况下，需要对第一侧墙执行不同的横向湿法回蚀刻时间。

4.根据权利要求1或2所述的获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法，其特征在于，在第四步骤中，所述形成的弧度越大，需要执行横向湿法回刻蚀的工艺时间就越长。

5.根据权利要求1或2所述的获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法，其特征在于，所述形成的弧度越小，需要执行横向湿法回刻蚀的工艺时间就越短。

6.根据权利要求2至5之一所述的获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法，其特征在于，在第二步骤中，浮栅多晶硅的弧度取决于各向同性蚀刻的蚀刻时间。

7.根据权利要求1或2所述的获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法，其特征在于，在第二步骤中，各向同性蚀刻的蚀刻时间越长，浮栅多晶硅的弧度越大。

8.根据权利要求1或2所述的获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法，其特征在于，在第二步骤中，各向同性蚀刻的蚀刻时间越短，浮栅多晶硅的弧度越小。

9.根据权利要求1或2所述的获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法，其特征在于，所述获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法用于制造分栅快闪存储器。

10.根据权利要求1或2所述的获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法，其特征在于，所述衬底是硅衬底。