技术总结
一种获得分栅快闪存储器稳定浮栅尖端的工艺制造方法，包括：在衬底上形成耦合氧化层和浮栅多晶硅层，在浮栅多晶硅层上形成浮栅氮化硅层，布置掩膜，形成掩膜图案；利用掩膜对浮栅氮化硅层进行刻蚀同时保证浮栅多晶硅具有损失量以防止开口区域的浮栅氮化硅残留，基于浮栅氮化硅蚀刻以后的浮栅多晶硅剩余厚度利用反馈系统且各向同性蚀刻以使各项同性蚀刻后的浮栅多晶硅剩余厚度相同，最终形成具有不同弧度的浮栅多晶硅；在浮栅氮化硅开口区域的浮栅多晶硅层上形成第一侧墙、第二侧墙、源多晶硅线；根据对浮栅多晶硅层各向同性蚀刻所形成的弧度大小，对第一侧墙执行不同的湿法横向回刻蚀时间。
技术研发人员：徐涛;曹子贵;康军
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201610890802
技术研发日：2016.10.12
技术公布日：2016.12.14