集成电路的制造方法与半导体元件与流程

技术特征：

技术总结
一种集成电路的制造方法，包含在结晶的晶圆的表面形成沟槽，且沟槽沿着结晶方向＜100＞延伸。此晶圆可经历较少的形变，因为当使用旋涂介电材料填满沟槽时引起较少的应力。因此，解决由晶圆形状改变造成的覆盖问题。

技术研发人员：卢棨彬;张亘亘;周福兴;李智雄
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：2016.10.31
技术公布日：2017.10.10