1.一种二极管阳极结构，其特征在于，包括：
半导体层；
至少两个第一肖特基金属层，位于所述半导体层上，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第一肖特基势垒高度；
至少一个第二肖特基金属层，位于所述半导体层上，且位于所述第一肖特基金属层之间，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第二肖特基势垒高度。
2.根据权利要求1所述的二极管阳极结构，其特征在于，所述第一肖特基势垒高度大于所述第二肖特基势垒高度。
3.根据权利要求1所述的二极管阳极结构，其特征在于，所述第一肖特基金属层与所述半导体层之间形成有势垒调节区。
4.根据权利要求3所述的二极管阳极结构，其特征在于，所述半导体层上形成有与所述第一肖特基金属层对应的凹槽结构，所述第一肖特基金属层的底部位于所述凹槽结构中。
5.根据权利要求4所述的二极管阳极结构，其特征在于，采用氟基等离子体处理所述凹槽结构，在所述凹槽结构内形成所述势垒调节区；或者在所述凹槽结构内生长氮化硅，二氧化硅，氮化铝材料，在所述凹槽结构内形成所述势垒调节区。
6.根据权利要求3所述的二极管阳极结构，其特征在于，采用氟基等离子体处理所述半导体层表面，在所述半导体层表面形成所述势垒调节区。
7.根据权利要求1-6任一项所述的二极管阳极结构，其特征在于，在所述二极管阳极结构上形成有金属场板，所述金属场板包括单层金属场板、多层金属场板以及阶梯型金属场板中的至少一种。
8.一种纵向二极管，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的二极管阳极结构，还包括：
衬底；
重掺杂N型氮化镓层，位于所述衬底上；
至少两个阴极金属层，位于所述重掺杂N型氮化镓层上，与所述重掺杂N型氮化镓层形成欧姆接触，所述二极管阳极结构，位于所述重掺杂N型氮化镓层上，且位于相邻的两个所述阴极金属层之间。
9.一种纵向二极管，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的二极管阳极结构，还包括：
阴极金属层；
重掺杂N型氮化镓层，位于所述阴极金属层上，与所述阴极金属层形成欧姆接触，所述二极管阳极结构，位于所述重掺杂N型氮化镓层上。
10.一种横向二极管，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的二极管阳极结构，还包括：
衬底；
氮化镓层，位于所述衬底上；
铝镓氮层，位于所述氮化镓层上，与所述氮化镓层在界面处形成二维电子气；
阴极金属层，位于所述铝镓氮层上，所述阴极金属层的底部截止在所述铝镓氮层或者所述氮化镓层，与所述二维电子气形成欧姆接触；
所述二极管阳极结构位于所述铝镓氮层上。