技术总结
本发明实施例公开了一种二极管阳极结构、纵向二极管以及横向二极管，涉及半导体技术领域，其中，所述二极管阳极结构包括：半导体层；至少两个第一肖特基金属层，位于所述半导体层上，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第一肖特基势垒高度；至少一个第二肖特基金属层，位于所述半导体层上，且位于所述第一肖特基金属层之间，与所述半导体层形成肖特基接触，得到第二肖特基势垒高度。采用上述技术方案，在阳极区域与半导体形成两种势垒高度，在二极管反向关断时，第一肖特基势垒高度可以降低反向漏电，在二极管正向开启时，第二肖特基势垒高度可以降低正向开启电压，采用上述二极管阳极结构，可以保证提高二极管使用效率。
技术研发人员：邓光敏;裴轶
受保护的技术使用者：苏州捷芯威半导体有限公司
文档号码：201610944884
技术研发日：2016.10.26
技术公布日：2017.01.04