1.一种半导体设置，包括：
衬底；
在衬底上形成的沿第一方向延伸的多个鳍；
在衬底上形成的沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个栅堆叠以及沿第二方向延伸且由电介质构成的伪栅，其中各栅堆叠与至少一个鳍相交；
在栅堆叠的侧壁以及伪栅的侧壁上形成的侧墙；以及
设于在第二方向上对准的第一栅堆叠和第二栅堆叠之间用以将第一栅堆叠和第二栅堆叠电隔离的电介质，
其中，第一栅堆叠和第二栅堆叠的侧墙一体延伸，且所述电介质设于第一栅堆叠和第二栅堆叠的一体延伸的侧墙所围绕的空间内，
其中，第一栅堆叠和第二栅堆叠在第二方向上的至少一部分间隔小于该半导体设置的制造工艺中光刻所能实现的线间隔。
2.根据权利要求1所述的半导体设置，其中，所述电介质在第二方向上的尺度小于该半导体设置的制造工艺中光刻所能实现的关键线宽(CD)。
3.根据权利要求1所述的半导体设置，其中，至少一些鳍的端部邻接伪栅，且与相应的侧墙的内壁实质上对准。
4.根据权利要求1所述的半导体设置，其中，在第二方向上对准的至少一个栅堆叠和至少一个伪栅的侧墙一体延伸。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体设置，其中，在第二方向上跨及所述多个鳍的范围内，各侧墙均连续延伸。
6.根据权利要求1所述的半导体设置，其中，第一栅堆叠与第二栅堆叠之间的电介质与伪栅的电介质相同。
7.根据权利要求1所述的半导体设置，还包括：设于相邻的侧墙之间的电接触部。
8.根据权利要求7所述的半导体设置，其中，电接触部的侧壁同与之相对的侧墙的外壁实质上共形或实质上对准。
9.根据权利要求1所述的半导体设置，其中，至少一个鳍包括：
第一半导体材料的第一部分，第一部分在栅堆叠以及侧墙的正下方延伸；以及
第二半导体材料的第二部分，第二部分在侧墙之间延伸，且与第一部分相接，
其中，第二半导体材料能够向第一半导体材料施加应力。
10.根据权利要求9所述的半导体设置，其中，第二部分的顶面高于第一部分的顶面，但是低于侧墙的顶面。
11.根据权利要求1所述的半导体设置，其中，伪栅的电介质形成U型结构。
12.一种制造半导体设置的方法，包括：
在衬底上形成各自分别沿第一方向延伸的多个脊状物；
在衬底上形成各自分别沿与第一方向交叉的第二方向连续延伸从而与所述多个脊状物相交的多条牺牲栅线；
在各牺牲栅线的侧壁上形成绕各牺牲栅线的侧墙；
在衬底上形成第一电介质，对其进行平坦化以露出牺牲栅线；
去除牺牲栅线，以露出下方的脊状物；
向侧墙内的空间中填充第二电介质；
利用掩模遮蔽一部分第二电介质并露出其余部分的第二电介质，其中，在至少一条牺牲栅线处，掩模覆盖在第二方向上一定尺度的第二电介质；
去除露出部分的第二电介质，以露出下方的脊状物；以及
在由于所述部分第二电介质的去除而留下的空间中形成栅堆叠，
其中，在所述至少一条牺牲栅线处，留有所述尺度的第二电介质，且在留下的第二电介质两侧形成的栅堆叠彼此之间在第二方向上的间隔由所述尺度限定，且因此能够小于该半导体设置的制造工艺中光刻所能实现的线间隔。
13.一种制造半导体设置的方法，包括：
在衬底上形成各自分别沿第一方向延伸的多个脊状物；
在衬底上形成各自分别沿与第一方向交叉的第二方向连续延伸从而与所述多个脊状物相交的多条牺牲栅线；
在各牺牲栅线的侧壁上形成绕各牺牲栅线的侧墙；
在衬底上形成第一电介质，对其进行平坦化以露出牺牲栅线；
去除牺牲栅线，以露出下方的脊状物；
向侧墙内的空间中填充第二电介质；
利用第一掩模遮蔽一部分的第二电介质并露出第一部分的第二电介质；
去除露出的第一部分第二电介质，以露出下方的脊状物；
在由于第一部分第二电介质的去除而留下的空间中形成第一栅堆叠；
利用第二掩模遮蔽一部分的第二电介质并露出第二部分的第二电介质，其中，在至少一条牺牲栅线处，第一掩模和第二掩模在第二方向上有一定尺度的套准交迭；
去除露出的第二部分第二电介质，以露出下方的脊状物；
在由于第二部分第二电介质的去除而留下的空间中形成第二栅堆叠，
其中，在所述至少一条牺牲栅线处，留有所述尺度的第二电介质，且所述尺度能够小于该半导体设置的制造工艺中光刻所能实现的关键线宽(CD)。
14.根据权利要求12或13所述的方法，其中，在衬底上形成各自分别沿第一方向延伸的多个脊状物包括：
在衬底上形成各自分别沿第一方向连续延伸的多个脊状物；以及
对一部分脊状物进行选择性刻蚀。
15.根据权利要求12或13所述的的方法，其中，
在衬底上形成各自分别沿第一方向延伸的多个脊状物包括在衬底上形成各自分别沿第一方向连续延伸的多个脊状物，以及
在去除牺牲栅线之后且在向侧墙内的空间中填充第二电介质之前，该方法还包括：对露出的一部分脊状物进行选择性刻蚀。
16.根据权利要求12或13所述的方法，其中，在填充第二电介质之后且在去除露出部分的第二电介质之前，该方法还包括：
选择性刻蚀第一电介质，以露出脊状物在侧墙之间延伸的部分；
至少部分地去除所露出的脊状物在侧墙之间延伸的部分；
在脊状物的剩余部分之间生长不同材料的另一脊状物；
在衬底上形成第三电介质，并对其进行平坦化，平坦化停止于侧墙。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，
在衬底上的一部分区域上执行选择性刻蚀第一电介质到形成第三电介质的处理，并在衬底上的另一部分区域上另外执行去除第一电介质到形成第三电介质的处理，
其中，在这两次处理中生长的另一脊状物的材料不同。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，
在衬底上的全部区域上执行选择性刻蚀第一电介质到形成第三电介质的处理，
该方法还包括：
在衬底的选定区域上选择性去除第三电介质和所述另一脊状物；
在所述选定区域上脊状物的剩余部分之间生长又一脊状物；
在衬底上形成第四电介质，并对其进行平坦化，平坦化停止于侧墙。
19.根据权利要求12或13所述的方法，其中，在形成栅堆叠之后，该方法还包括：
选择性刻蚀第一电介质，至少部分地露出各脊状物在侧墙之间延伸的部分；
在衬底上形成导电层，并对其进行平坦化，平坦化停止于侧墙；以及
在导电层中的预定位置处形成电隔离。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，对第一电介质的刻蚀是各向同性刻蚀，且刻蚀的沟槽或孔洞至少部分地与部分侧墙的外壁实质上共形或实质上对准。
21.根据权利要求12或13所述的方法，其中，形成栅堆叠包括：
在同一侧墙围绕的空间内形成不同的栅堆叠。
22.一种电子设备，包括由如权利要求1-11中任一项所述的半导体设置。
23.根据权利要求22所述的电子设备，该电子设备包括智能电话、计算机、平板电脑、可穿戴智能设备、移动电源。