1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列基板包括多组薄膜晶体管及多个RGB像素单元，一组薄膜晶体管对应一个RGB像素单元，每一组薄膜晶体管包括分别位于第一至第三行的三个薄膜晶体管，三个薄膜晶体管分别对应相应RGB像素单元中的R子像素、G子像素及B子像素，每一行中所有的薄膜晶体管的导电沟道的长宽比不完全相同，且均在预设比例范围内，以使得该行的总的漏电流在预设电流范围内。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，在第一行薄膜晶体管中，相邻两个薄膜晶体管的导电沟道的长宽比不同。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，第一行薄膜晶体管包括2N个薄膜晶体管，N为自然数，第2N个薄膜晶体管的导电沟通的长宽比相同。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，第2N-1个薄膜晶体管的导电沟通的长宽比相同，且与第2N个薄膜晶体管的导电沟通的长宽比不同。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，在第二行薄膜晶体管中，相邻两个薄膜晶体管的导电沟道的长宽比不同。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，第二行薄膜晶体管包括2N个薄膜晶体管，N为自然数，第2N个薄膜晶体管的导电沟通的长宽比相同。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，第2N-1个薄膜晶体管的导电沟通的长宽比相同。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，在第三行薄膜晶体管中，相邻两个薄膜晶体管的导电沟道的长宽比不同。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，第三行薄膜晶体管包括2N个薄膜晶体管，N为自然数，第2N个薄膜晶体管的导电沟通的长宽比相同。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，第2N-1个薄膜晶体管的导电沟通的长宽比相同。
11.一种液晶面板，包括如权利要求1-10任一项所述的薄膜晶体管阵列基板、液晶及彩膜基板。