技术总结
本发明公开了一种扩散片退火工艺，首先选择厚度范围为150～200μm的扩散片作为衬底，通过表面清洗并注入N型离子，经炉管完全退火形成一定的扩散注入曲线，推结形成第一缓冲层；其次在扩散片正面依次完成N‑衬底层和正面金属层；再次将扩散片翻转180度，对扩散片背面进行研磨至设定厚度，再进行表面抛光处理和表面化学修复；然后依次进行N型离子掺杂和P型离子掺杂注入和至少一次的激光退火制程，形成第二缓冲层和P层；最后经过背金工艺完成扩散片背面金属层。本发明将扩散片与激光退火工艺优势互补，不仅满足了FS‑IGBT背面工艺的薄片需求，获得相似地电性能参数，同时简化了工艺流程，降低了制造成本。
技术研发人员：周炯;李志丹;张俊;
受保护的技术使用者：上海微电子装备（集团）股份有限公司;
文档号码：201611073147
技术研发日：2016.11.29
技术公布日：2018.06.05