1.一种晶硅电池多层钝化膜，其特征在于：包括第一氧化硅膜、氮化硅膜、第二氧化硅膜以及氮氧化硅膜；氮化硅膜沉积在第一氧化硅膜上；第二氧化硅膜沉积在氮化硅膜上，氮氧化硅膜沉积在第二氧化硅膜上；第一氧化硅膜厚度为5-9nm，氮化硅膜厚度为60-90nm，第二氧化硅膜的厚度为10-20nm，氮氧化硅膜的厚度为15-30nm。
2.如权利要求1所述的晶硅电池表面钝化膜，其特征在于：第一氧化硅膜厚度为6-8nm，氮化硅膜的厚度为70-80nm，第二氧化硅膜的厚度为12-18nm，氮氧化硅膜的厚度为20-25nm。
3.如权利要求1或2所述的晶硅电池多层钝化膜，其特征在于：第一氧化硅膜的折射率为1.2-1.5，氮化硅膜的折射率为2.0-2.2，第二氧化硅膜的折射率为1.2-1.5，氮氧化硅膜的折射率为1.7-1.8。
4.权利要求1-4任意一项所述的晶硅电池多层钝化膜的制备方法，其特征在于：包括顺序相接的如下步骤：
A、采用热氧化法或PECVD法制作第一氧化硅膜；
B、使用PECVD法在第一层氧化硅膜上制作氮化硅膜；
C、使用PECVD法在氮化硅膜上制作第二氧化硅膜；
D、使用PECVD法在第二氧化硅膜上制作氮氧化硅膜，以完成晶硅电池多层钝化膜的制作。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：步骤A中，第一氧化硅膜使用PECVD法制作，工艺条件为：温度350-380℃，笑气流量3-7L/min，硅烷流量2-4L/min，压力2-2.5Torr，射频功率5-7kW，持续时间5-12s。
6.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于：步骤B中，氮化硅膜的工艺条件为：温度420-550℃，氮气流量20-35L/min，氨气流量0.6-1.2L/min，硅烷流量2.5-4L/min，压力2-2.5Torr，射频功率8-10kW，持续时间35-55s。
7.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于：步骤C中，第二氧化硅膜的工艺条件为：温度350-380℃，笑气流量3-7L/min，硅烷流量2-4L/min，压力2-2.5Torr，射频功率5-7kW，持续时间20-40s。
8.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于：步骤D中，氮氧化硅膜的工艺条件为：温度400-480℃，氮气流量18-35L/min，笑气流量3-7L/min，硅烷流量2-4L/min，压力2-2.5Torr，射频功率5-7kW，持续时间20-40s。