技术总结
一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构膜；在所述栅极结构膜上形成图形化的掩膜结构，所述图形化的掩膜结构包括第一掩膜层和位于第一掩膜层上的第二掩膜层，所述第一掩膜层包括第一材料层；以所述图形化的掩膜结构为掩膜刻蚀栅极结构膜，在所述基底上形成栅极结构，所述刻蚀工艺对第一材料层的刻蚀速率小于对所述第二掩膜层的刻蚀速率；在所述栅极结构的侧壁形成侧墙。所述方法能够避免漏电。
技术研发人员：林静
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.12.02
技术公布日：2018.06.12