技术总结
本发明涉及一种应用于可重构环形天线的GaAs固态等离子pin二极管制备方法，该方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，在GeOI衬底上淀积GaAs层并设置隔离区；刻蚀GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于衬底的顶层GaAs的厚度；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成第一P型有源区和第一N型有源区；填充P型沟槽和N型沟槽，并采用离子注入在衬底的顶层GaAs内形成第二P型有源区和第二N型有源区；在衬底上形成引线，以完成GaAs固态等离子pin二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能GaAs固态等离子pin二极管。
技术研发人员：尹晓雪;张亮
受保护的技术使用者：西安科锐盛创新科技有限公司
文档号码：201611184751
技术研发日：2016.12.20
技术公布日：2017.06.13