技术特征：
技术总结
一种MOS晶体管，包括：衬底、第一区域、第二区域、源极区、漏极区、有源栅极堆叠件和伪栅极堆叠件。衬底具有第一导电性。具有第一导电性的第一区域形成在衬底中。具有第二导电性的第二区域形成在衬底中并且与第一区域相邻。具有第二导电性的源极区形成在第一区域中。具有第二导电性的漏极区形成在第二区域中。有源栅极堆叠件设置在第一区域上。伪栅极堆叠件设置在第二区域上，并且伪栅极堆叠件电连接至可变电压。本发明实施例涉及LDMOS晶体管。
技术研发人员：吴俊庆;王柏仁
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.29
技术公布日：2017.09.01