封装管壳的引线连接结构的制作方法

本实用新型属于集成电路封装领域，具体提供一种封装管壳的引线连接结构。

背景技术：

为了方便芯片的运输、保管、焊接和使用，芯片往往需要进行密封封装。为了实现芯片与封装结构外部电路的连接、信息交流，需要在芯片的封装结构上设置通信连接部件，通常以金属化陶瓷作为通信连接部件。通过贯穿陶瓷体的金属层连接封装结构内的芯片引脚和管壳引脚，进而将管壳引脚连接至电路中，完成芯片与封装结构外部电路的连接与信息交流。但是，现有技术中的金属化陶瓷所能通过的通讯频率较低，回波损耗和插入损耗偏高，不利于芯片与外部电路的信息交流。

相应地，本领域需要一种新的引线连接结构来解决上述问题。

技术实现要素：

为了解决现有技术中的上述问题，即为了解决现有技术中芯片封装结构上的金属化陶瓷的通讯频率较低的问题，本实用新型提供了一种封装管壳的引线连接结构，该引线连接结构包括陶瓷体和贯穿陶瓷体的金属层，所述金属层的一端与芯片引脚连接，所述金属层的另一端与管壳引脚连接；所述金属层的至少一端是凸耳结构。

在上述金属化陶瓷的优选技术方案中，所述金属层的所述至少一端设置有从两侧伸出的两个凸耳。

在上述金属化陶瓷的优选技术方案中，所述金属层包括中间段，所述中间段具有等宽的条状结构。

在上述金属化陶瓷的优选技术方案中，所述至少一端包括第一连接端和第二连接端，所述第一连接端与所述中间段一体连接，所述第二连接端与所述芯片引脚或所述管壳引脚连接。

在上述金属化陶瓷的优选技术方案中，所述两个凸耳设置在所述第二连接端并且垂直于所述第二连接端的主体部分。

在上述金属化陶瓷的优选技术方案中，所述第一连接端与所述中间段等宽，并且所述第一连接端与所述第二连接端的主体部分宽度相同。

本领域技术人员能够理解的是，在本实用新型的优选技术方案中，通过将金属化陶瓷的金属化层两端设置成凸耳结构，使得通信频率大大提高，从而提高了金属化陶瓷的通信效率。

附图说明

图1是本实用新型的金属化陶瓷与芯片封装结构的连接位置关系的等轴侧视示意图；

图2是本实用新型的金属化陶瓷与芯片封装结构的连接位置关系的俯视示意图；

图3是本实用新型的金属化陶瓷的结构示意图；

图4是现有技术中金属化陶瓷的结构示意图；

图5是本实用新型的金属化陶瓷与现有技术中金属化陶瓷相比的通信回波损耗；

图6是本实用新型的金属化陶瓷与现有技术中金属化陶瓷相比的通信插入损耗。

具体实施方式

下面参照附图来描述本实用新型的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本实用新型的技术原理，并非旨在限制本实用新型的保护范围。例如，虽然附图中的各部件及各部件之间的位置关系是按一定比例绘制的，但这种比例关系非一成不变，本领域技术人员可以根据需要对其作出调整，以便适应具体的应用场合。

需要说明的是，在本实用新型的描述中，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

此外，还需要说明的是，在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

如图1和图2所示，金属化陶瓷3安装在封装腔体1和固定底板2之间。金属化陶瓷3包括陶瓷体31和金属层32，金属层32贯穿陶瓷体31，并且金属层32的一端与放置在封装腔体1内的芯片引脚6连接，芯片引脚6通过内部基板5固定，金属层32的另一端与封装管壳的管壳引脚7连接，管壳引脚7通过外部基板4固定。设置在封装腔体1内的芯片通过依次电连接的芯片引脚6、金属层32和管壳管壳引脚7与外部电路连接，进而实现通讯。

如图3所示，金属层32又包括位于陶瓷体31内部的中间段(图中未标示)和与中间段连接为一体的两端(图3中陶瓷体31的上下两侧的金属层)。中间段是一个等宽的条状结构，或者本领域技术人员可以根据需要或者加工手段将中间端设置成其他形状。

如图1至图3所示，金属层32的两端均是凸耳结构，包括第一连接端321和第二连接端322，第一连接端321与金属层32的中间段固定连接，第二连接端322与芯片引脚6或管壳引脚7连接。并且，第一连接端321的主体宽度等于第二连接端322的宽度，但是，第二连接端322包括从两侧伸出的两个凸耳。优选地，所述两个凸耳沿着垂直于金属层32的主体的方向延伸(在图3中是横向延伸)。与图3的结构相比，图4所示的现有技术中的金属化陶瓷结构的金属层32的两个连接端均是等宽的平直结构。

如图5和6所示，现有技术中的金属化陶瓷的通信频率在10GHz左右，回波损耗S1和插入损耗S2都比较高；而本实用新型的金属化陶瓷3通过改变金属层32两个连接端的结构，使得通讯频率能够达到18GHz，并且回波损耗S11和插入损耗S21都有所降低，有效地提高了金属化陶瓷的通讯能力，减少了通讯损失。

本领域技术人员能够理解的是，本实用新型的金属化陶瓷中的金属层32的中间段宽度与现有技术中同等型号芯片封装管壳上的陶瓷金属化层宽度相同。并且，金属层32两端的凸耳结构并非一成不变。例如，可以将第一连接端321和第二连接端322分别做成宽度不相同的等宽的条状结构，使得金属层32的两端呈台阶状，只要第二连接端322设置有从两侧伸出的凸耳即可。

本领域技术人员还能够理解的是，如果芯片与外部电路之间是单相通讯，可以只将金属层的一端设置成凸耳结构。本领域技术人员还能够理解的是，本实用新型的金属化陶瓷可以适用于任何芯片的封装管壳。

至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本实用新型的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本实用新型的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本实用新型的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征作出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本实用新型的保护范围之内。