本实用新型属于红外探测器封装技术领域，特别涉及一种复合薄膜引线式金属杜瓦，适用于红外探测器芯片的杜瓦封装。
背景技术：
红外探测器是红外系统的主要组件之一，它直接影响系统的整体性能。微型金属杜瓦是红外探测器的重要组成部件之一，主要用于封装红外探测器芯片，为红外探测器芯片提供稳定可靠的真空、低温工作环境。杜瓦引线的作用是输出探测器光敏元光电转换信号，它分布在杜瓦外壳和内管之间，引线的数目与光敏元的数量有关。杜瓦引线除了直接担负信号传输之外，还以固体导热的方式对杜瓦漏热有贡献。杜瓦引线的形式决定了引线在壳体结构中的装配方式，其装配质量将影响杜瓦的真空气密性；引线形式还限定了杜瓦的外部装配关系。因此杜瓦的引线是整个杜瓦设计制造的中心问题。用于封装多元红外探测器的微型杜瓦应满足元数(电极引线数)多，漏热小，小型化的要求。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种复合薄膜引线式金属杜瓦。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：
一种复合薄膜引线式金属杜瓦，该金属杜瓦的外壳1和内管3均为中空结构，所述外壳1套在内管3外部，两者之间形成真空夹层；在所述内管3的外表面设有绝缘玻璃/金属复合式薄膜引线4，在所述内管3的顶部设置红外探测器芯片2，所述薄膜引线4与红外探测器芯片2实现电连接。
优选地，所述薄膜引线4由绝缘玻璃内层和金属引线薄膜外层组成。
优选地，所述内管3、绝缘玻璃内层和金属引线薄膜外层为一体结构。
优选地，所述金属引线薄膜外层为均等分布在内管3外表面的金属引线图形。
优选地，所述金属引线薄膜外层为均等分布在内管3外表面的环形金属引线阵列。
优选地，所述内管3内部的中空结构，由下至上分为粗管径段31、渐变管径段32和细管径段33。
优选地，所述薄膜引线4与红外探测器芯片2通过金属丝7一一对应连接，实现电连接。
优选地，所述内管3的底部带有金属底座，在所述金属底座上连接有绝缘瓷环5，所述外壳1的底部连接在绝缘瓷环5上。
优选地，所述外壳1的顶部设有密封窗口6。
本实用新型的有益效果为：
1.金属杜瓦的电极引线为绝缘玻璃/金属复合式薄膜引线，薄膜引线制备于内管的外表面，且与内管为一体，有利于探测器的抗振动性能。
2.复合薄膜引线外层为阻抗小、低热导的金属薄膜，传导漏热小，可降低金属杜瓦热负载，从而提高探测器低温工作性能。
3.利用三维激光刻蚀技术可实现薄膜引线在内管外表面高密度排列，从而实现多元芯片安装。
4.本实用新型的金属杜瓦具有传热效率高，冷损小，抗振性高等特点，满足引线数多、漏热小、微型化、气密性好等要求，适用于多元红外探测器芯片的封装。
附图说明
图1为实施例中所述一种复合薄膜引线式金属杜瓦的示意图。
标号说明：1-外壳，2-红外探测器芯片，3-内管，4-薄膜引线，5-绝缘瓷环，6-密封窗口，7-金属丝，31-粗管径段，32-渐变管径段，33-细管径段。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步说明。应该强调的是，下述说明仅仅是示例性的，而不是为了限制本实用新型的范围及其应用。
如图1所示为本实用新型提供的一种复合薄膜引线式金属杜瓦，包括外壳1、红外探测器芯片2、内管3、薄膜引线4和绝缘瓷环5。
所述内管3为带有底座的旋转体结构，其内部的中空结构，由下至上分为粗管径段31、渐变管径段32和细管径段33；在底座以上的内管3，其外径随内径保持一致变化，并在顶端封口。
在内管3的外表面布置有薄膜引线4。所述薄膜引线4采用绝缘玻璃/金属复合式薄膜引线结构，首先将玻璃粉和磨加物混合成釉浆，涂覆在内管3的外表面制备成绝缘玻璃内层，厚度为50μm；再在绝缘玻璃内层的外表面制备金属薄膜，本实施方式采用金薄膜，厚度为0.5μm，然后通过三维激光刻蚀将金薄膜刻蚀成均等分布于内管3外表面的环形引线列阵，得到金属引线薄膜外层。将预先装配好的红外探测器芯片2安装在内管3的顶端中部，并通过金丝与薄膜引线4一一对应焊连，实现电连接，引出芯片信号。
将绝缘瓷环5设置在布有薄膜引线4的金属底座8上，通过热压密封与内管3连接成一体。
所述外壳1为圆筒状，并在顶端设有密封窗口6。将外壳1套在内管3外侧，其底端与绝缘瓷环5通过烧结成为一体从而实现密封，使外壳1与内管3之间形成真空夹层。