本实用新型涉及一种太阳能电池，更具体的说，涉及一种高效三五族太阳能电池。
背景技术：
现有技术中，太阳能光伏发电是利用半导体的光生伏打效应，利用PN结的内建电场的作用将光子产生出的光生不平衡载流子收集起来产生电流。太阳能光伏发电的核心部件就是太阳能电池片。太阳能电池片是在硅片衬底上扩散一定浓度的三族元素硼铝镓铟，然后再扩散一定浓度的五族元素氮磷砷碲，三五族与硅化合物之间形成特定厚度的PN结。影响太阳能电池片转换效率的因素主要有：电池片反射率、PN结扩散深度、扩散方块电阻、硅衬底电阻率、硅衬底少子寿命、电极欧姆接触势垒。传统技术中，砷化镓电池的转换效率低的，为提高电池片的光吸收率、提高少子产生率和迁移率。
技术实现要素：
本实用新型的技术目的是克服现有技术中太阳能电池板的发光效率低的技术问题，提供一种反射率低、使用寿命高并且光电转换效率高的高效三五族太阳能电池。
为实现以上技术目的，本实用新型的技术方案是：
高效三五族太阳能电池，包括有一铝膜及设于铝膜上方的PN结层，在所述PN结层上方设有氮化硅膜，在所述氮化硅膜中设有蜂窝陷光结构。
本实用新型将砷化镓太阳能电池片的衬底改为本征硅片，并在氮化硅膜表面制造一种蜂窝陷光结构，反射率低于5%。
附图说明
图1是本实用新型一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
结合图1，详细说明本实用新型的具体实施方式，但不对权利要求作任何限定。
在图1中，本实用新型的高效三五族太阳能电池结构，包括有一铝膜100及设于铝膜上方的PN结层101，在所述PN结层101上方设有氮化硅膜102，在所述氮化硅膜中设有蜂窝陷光结构。在实施中，本实用新型将砷化镓太阳能电池片的衬底改为本征硅片，并在氮化硅膜表面制造一种蜂窝陷光结构，采用H钝化工艺修补硅片表面复合中心。采用四段式扩散工艺。本实用新型采用硝酸、氢氟酸对硅片表面进行腐蚀形成蜂窝孔装结构，反射率低于5%。本实用新型在实施时采用扩散前预钝化工艺，使硅片少子寿命提高5微秒。电池片开路电压升高到700毫伏以上。本实用新型综合转换效率在35%以上。本实用新型掺杂元素为三族元素砷、五族元素镓。