1.一种新型倒装LED光源，包括P-N电极外延片和基板（1），P-N电极外延片包括蓝宝石衬底（7），蓝宝石衬底（7）上形成的N-GaN层（6），N-GaN层（6）上形成的发光层（5）和发光层（5）上形成的P-GaN层（4），所述P-GaN层（4）上和N-GaN层（6）上分别引出P电极（3）和N电极（2），其特征在于，所述基板（1）上围绕所述P-N电极外延片部位设有反射槽（9），所述反射槽（9）内均匀涂覆反射层（8）。
2.根据权利要求1所述的一种新型倒装LED光源，其特征在于，所述反射槽（9）横截面为三角形，反射槽（9）两边相交呈90度,反射槽（9）两边分别与基板（1）相交呈45度。
3.根据权利要求1所述的一种新型倒装LED光源，其特征在于，所述反射槽（9）横截面为半圆形，所述半圆形横截面的半径为5um-7um。
4.根据权利要求1所述的一种新型倒装LED光源，其特征在于，所述反射层（8）为白色硅胶层或者钛铝合金反射层。
5.根据权利要求4所述的一种新型倒装LED光源，其特征在于，所述反射层（8）的厚度为0.1um-0.3um。