1.一种存储器装置，包括在集成电路的互连部内的至少一个电容性存储单元(CEL)，所述电容性存储单元(CEL)包括由电介质区域(MOX)隔离的第一电极(BE)和第二电极(TE)，其特征在于：
所述第一电极(BE)包括正方形或矩形的导电焊垫，且其中所述装置包括电介质层(MOX)和导电层(CC2)的堆叠结构，形成在所述焊垫的每一侧之上或上延伸的条带，所述第二电极(TE)通过第二导电层(CC2)的面对所述焊垫的区域形成。
2.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置包括在所述集成电路的互连部内的存储平面，所述存储平面包括在垂直的第一方向和第二方向(X，Y)上延伸的电容性存储单元(CEL)且每个存储单元(CEL)均包括第一电极(BE)、电介质区(MOX)和第二电极(TE)，所述存储平面(PM)包括：
形成所述第一电极的正方形或矩形的导电焊垫；
所述电介质层(MOX)和所述第二导电层(CC2)的所述堆叠结构，所述堆叠结构在所述第一方向(X)上覆盖所述焊垫，且在所述第二方向(Y)上形成在所述焊垫之上和之间延伸的导电条带；
所述第二电极(TE)通过第二条带的面对所述焊垫的区域形成。
3.根据权利要求2所述的存储器装置，进一步包括：
在所述第一方向(X)上横贯所述存储平面(PM)的字线(WL)和在所述第二方向(Y)上横贯所述存储平面的位线(BL)；
第一导电接触(CWL)，连接所述字线(XL)与所述第一电极(BE)；和
第二导电接触(CBL)，连接所述位线(BL)与所述第二电极(TE)。