晶片支承构造体的制作方法

技术特征：

1.一种晶片支承构造体，在陶瓷制的基板的上表面配置有陶瓷制的托盘板，该托盘板具备多个对晶片进行载置的晶片载置部，所述晶片支承构造体的特征在于，

所述基板内置有基体侧电极，

所述托盘板内置有托盘侧电极，

在所述晶片载置部载置有所述晶片的状态下对施加于所述基体侧电极以及所述托盘侧电极的电压进行调整，由此产生将所述基板和所述托盘板相互拉近的静电的力，并且产生将所述托盘板和所述晶片相互拉近的静电的力。

2.根据权利要求1所述的晶片支承构造体，其特征在于，

所述托盘板在与所述基板对置的面具有金属层，

在所述晶片载置部载置有所述晶片的状态下对所述基体侧电极以及所述托盘侧电极双方施加电压，由此产生将所述基板和所述托盘板的所述金属层相互拉近的静电的力，并且产生将所述托盘板和所述晶片相互拉近的静电的力。

3.根据权利要求1所述的晶片支承构造体，其特征在于，

所述托盘板在与所述基板对置的面不具有金属层，

在所述晶片载置部载置有所述晶片的状态下对所述托盘侧电极施加电压，由此产生将所述基板和所述托盘板相互拉近的静电的力，并且产生将所述托盘板和所述晶片相互拉近的静电的力。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的晶片支承构造体，其特征在于，

所述托盘板为Al₂O₃制，

所述基板为AlN制。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的晶片支承构造体，其特征在于，

所述托盘侧电极为具有负极和正极的双极构造，各晶片载置部中所述负极与所述正极的面积比为0.7～1：0.7～1。