技术特征：
技术总结
本发明提供了一种使用扩散炉(1)掺杂硅晶片(8)的方法，所述扩散炉(1)具有用于装载和卸载硅晶片(8)的门(2)、内部容积(6)、用于反应气体、掺杂气体和载气的气体入口(4)以及用于修改所述反应气体、所述掺杂气体和所述载气至扩散炉(1)的内部容积(6)中的流速的工具，所述方法包括下列步骤：将硅晶片(8)装载至扩散炉(1)中，至少在沉积时间中根据预定温度曲线加热扩散炉(1)，使反应气体、掺杂气体和载气同时流至内部容积(6)中并从扩散炉(1)卸载掺杂的硅晶片(8)，其中在反应气体、掺杂气体和载气同时流至扩散炉(1)的内部容积(6)中的沉积时间中，反应气体的流速与掺杂气体的流速之比从第一比率至第二比率改变至少一次和/或载气的流速从第一流速至第二流速改变至少一次。
技术研发人员：瓦伦丁·丹·米哈莱奇
受保护的技术使用者：国际太阳能研究中心康斯坦茨协会
技术研发日：2016.06.03
技术公布日：2018.02.13