1.一种基于半导体超表面结构的三频带近红外吸收器，它包括衬底、金属膜层、半导体膜层、半导体颗粒，其特征在于：自下而上依次设置衬底、金属膜层、半导体膜层和半导体颗粒，所述半导体膜层和半导体颗粒组成半导体超表面结构层；其中所述半导体膜层下表面与金属膜层的连接交错区域是直接物理接触，所述若干半导体颗粒和半导体膜层的连接交错区域是直接物理接触，所述金属膜层、半导体超表面结构层配合形成具有三频带近红外吸收特性的结构，通过调节半导体超表面结构的几何参数和单元晶格的周期以及半导体材料属性，调控近红外频段吸收频谱范围，增加吸收峰数目。
2.根据权利要求1所述的基于半导体超表面结构的三频带近红外吸收器，其特征在于：所述半导体颗粒组成的周期性阵列图案设置在半导体膜层上表面。
3.根据权利要求1所述的基于半导体超表面结构的三频带近红外吸收器，其特征在于：所述半导体超表面结构层的材料为单晶硅、多晶硅、纳米晶硅、砷化镓、磷化铟、二氧化钛、砷化铟或锗等。
4.根据权利要求1所述的基于半导体超表面结构的三频带近红外吸收器，其特征在于：所述金属膜层的材料为银、铝、铜或金等金属材料。
5.根据权利要求1所述的基于半导体超表面结构的三频带近红外吸收器，其特征在于：所述半导体颗粒的结构为立方体形和长方体形等结构。
6.根据权利要求1所述的基于半导体超表面结构的三频带近红外吸收器，其特征在于：所述半导体膜层厚度处于10-100 nm范围。
7.根据权利要求1所述的基于半导体超表面结构的三频带近红外吸收器，其特征在于：所述衬底的材料为玻璃、硅片、柔性材料比如聚二甲基硅氧烷以及聚合物等材料。
8.根据权利要求1所述的基于半导体超表面结构的三频带近红外吸收器，其特征在于：所述吸收器单元晶格的周期为0.5~2.5 μm。
9.根据权利要求1所述的基于半导体超表面结构的三频带近红外吸收器，其特征在于：所述半导体颗粒的图案形状大小相同，半导体颗粒的尺寸大小包括长宽高范围为0.35~2.2 μm。
10.根据权利要求1所述的基于半导体超表面结构的三频带近红外吸收器，其特征在于：所述金属膜层其厚度优选在50nm以上，尤其是50nm-200nm。