技术总结
本发明公开了基于半导体超表面结构的三频带近红外吸收器，属于超材料领域。所述吸收器自下而上依次由衬底、金属膜层和半导体超表面结构层组成，所述超表面结构层由半导体颗粒阵列和半导体膜层组成。本发明通过合理设计半导体超表面结构的几何尺寸和晶格周期，可以完全吸收入射到结构表面的电磁波。这种基于半导体超表面的吸收器具有结构简单、近红外波段吸收，并且有三个吸收峰的特点，此外结构中采用的半导体材料作为电磁波吸收功能层不仅克服了传统金属共振单元单一尺寸只能产生单一共振吸收峰的局限而且也便于拓展此类吸收器在光电检测、光电转换、光生电子和热电子产生与收集以及电磁能量吸收等领域的应用前景。
技术研发人员：刘正奇;刘桂强;刘晓山
受保护的技术使用者：江西师范大学
文档号码：201710062850
技术研发日：2017.02.03
技术公布日：2017.05.24